一种信号传输管的驱动电路和电平转换电路制造技术

技术编号:20549707 阅读:24 留言:0更新日期:2019-03-09 22:02
本发明专利技术提供了一种信号传输管的驱动电路和电平转换电路,包括第一检测模块、第二检测模块和栅极驱动模块;第一检测模块用于将第一电压和第二电压中的较大者传输至栅极驱动模块的第一输入端;第二检测模块用于将第一电压和第二电压中的较小者传输至栅极驱动模块的第二输入端;栅极驱动模块用于根据第一电压和第二电压产生箝位电压,以通过箝位电压控制信号传输管进行信号的传输,从而可以在第一电压和第二电压大小关系不确定即两个电压所属电压域的大小关系不确定的情况下,实现两个电压域之间信号的传输。

【技术实现步骤摘要】
一种信号传输管的驱动电路和电平转换电路
本专利技术涉及半导体集成电路
,更具体地说,涉及一种信号传输管的驱动电路和电平转换电路。
技术介绍
电平转换芯片是集成电路中常见的芯片类型之一,其广泛应用于数据传输、逻辑控制和数模转换等系统中。电平转换芯片的作用是将一端较低电压域下的逻辑电平信号传输至另一端的较高电压域下,或者,将一端较高电压域下的逻辑电平信号传输至另一端的较低电压域下,并在传输过程中尽可能减小传输延时,同时保持信号的完整性。但是,在将现有的电平转换芯片连接到信号传输通路中时,需明确信号传输通路两端的电压域大小关系,即明确哪一端为较高电压域、哪一端为较低电压域,也就是说,现有的电平转换芯片不适用于信号传输通路两端电压域大小关系不确定的情况,限制了电平转换芯片的应用范围。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术提供了一种信号传输管的驱动电路和电平转换电路,以解决现有的电平转换芯片不适用于信号传输通路两端电压域大小关系不确定的情况的问题。为实现上述目的,本专利技术提供如下技术方案:一种信号传输管的驱动电路,包括第一检测模块、第二检测模块和栅极驱动模块;所述第一检测模块的第一输入端与第一电压电连接,所述第一检测模块的第二输入端与第二电压电连接;所述第一检测模块用于将所述第一电压和所述第二电压中的较大者传输至所述栅极驱动模块的第一输入端;所述第二检测模块的第一输入端与第一电压电连接,所述第二检测模块的第二输入端与第二电压电连接;所述第二检测模块用于将所述第一电压和所述第二电压中的较小者传输至所述栅极驱动模块的第二输入端;所述栅极驱动模块用于根据所述第一电压和所述第二电压产生箝位电压,以通过所述箝位电压控制所述信号传输管进行信号的传输。可选地,所述第一检测模块包括第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管的第一端与所述第一电压电连接,所述第一晶体管的控制端与所述第二电压电连接,所述第二晶体管的第一端与所述第二电压电连接,所述第二晶体管的控制端与所述第一电压电连接,所述第二晶体管的第二端与所述第一晶体管的第二端电连接,且所述第一晶体管的第二端与所述栅极驱动模块的第一输入端电连接。可选地,所述第二检测模块包括第三晶体管和第四晶体管;所述第三晶体管的第一端与所述第一电压电连接,所述第三晶体管的控制端与所述第二电压电连接,所述第四晶体管的第一端与所述第二电压电连接,所述第四晶体管的控制端与所述第一电压电连接,所述第四晶体管的第二端与所述第三晶体管的第二端电连接,且所述第三晶体管的第二端与所述栅极驱动模块的第二输入端电连接。可选地,所述第一晶体管和所述第二晶体管都为PMOS晶体管;所述第三晶体管和所述第四晶体管都为NMOS晶体管。可选地,所述栅极驱动模块包括反相器、第五晶体管、第六晶体管、电阻和电容;所述反相器的输入端与使能端电连接,所述反相器的输出端与所述第五晶体管的控制端电连接;所述第五晶体管与所述栅极驱动模块的第一输入端电连接,所述第五晶体管的第二端与所述电阻的第一端电连接,所述电阻的第二端与所述第六晶体管的第一端电连接;所述第六晶体管的第二端接地,所述第六晶体管的控制端与所述栅极驱动模块的第二输入端电连接;所述电容的第一端与所述电阻的第二端电连接,所述电容的第二端接地;所述电容的第一端与所述信号传输管的控制端电连接,以将箝位电压传输至所述信号传输管的控制端,并通过所述箝位电压控制所述信号传输管进行信号的传输。可选地,所述第五晶体管和所述第六晶体管都为PMOS晶体管。一种电平转换电路,包括信号传输管和信号传输管的驱动电路,所述信号传输管的驱动电路为如上任一项所述的驱动电路。可选地,还包括第一上拉管、第二上拉管、第一控制模块和第二控制模块;所述第一上拉管的第一端与所述第一电压电连接,所述第一上拉管的第二端与所述信号传输管的第一端电连接,所述第一上拉管的控制端与所述第一控制模块的输出端电连接;所述第一控制模块的第一输入端与所述信号传输管的第二端电连接,所述第一控制模块的第二输入端与所述第一电压电连接;所述第一控制模块用于在所述信号传输管的第二端为高电平时,控制所述第一上拉管导通;所述第二上拉管的第一端与所述第二电压电连接,所述第二上拉管的第二端与所述信号传输管的第二端电连接,所述第二上拉管的控制端与所述第二控制模块的输出端电连接;所述第二控制模块的第一输入端与所述信号传输管的第一端电连接,所述第二控制模块的第二输入端与所述第二电压电连接;所述第二控制模块用于在所述信号传输管的第一端为高电平时,控制所述第二上拉管导通。可选地,所述第一上拉管和所述第二上拉管为PMOS晶体管。可选地,所述信号传输管为NMOS晶体管。与现有技术相比,本专利技术所提供的技术方案具有以下优点:本专利技术所提供的信号传输管的驱动电路和电平转换电路,无论第一电压大于第二电压,还是第一电压小于第二电压,第一检测模块都会将两个电压中的较大者传输至栅极驱动模块的第一输入端,第二检测模块都会将两个电压中的较小者传输至栅极驱动模块的第二输入端,以使栅极驱动模块根据所述第一电压和所述第二电压产生箝位电压,并通过所述箝位电压控制所述信号传输管进行信号的传输,从而可以在第一电压和第二电压大小关系不确定即两个电压所属电压域的大小关系不确定的情况下,实现两个电压域之间信号的传输。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本专利技术的实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据提供的附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种信号传输管的驱动电路的结构示意图;图2为本专利技术实施例提供的另一种信号传输管的驱动电路的结构示意图;图3为本专利技术实施例提供的一种电平转换电路的结构示意图;图4为本专利技术实施例提供的另一种电平转换电路的结构示意图。具体实施方式以上是本专利技术的核心思想,为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂,下面将结合本专利技术实施例中的附图,对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本专利技术保护的范围。本专利技术实施例提供了一种信号传输管的驱动电路,该电平转换电路可以应用于电平转换芯片、逻辑控制芯片和数据传输芯片等,如图1所示,该信号传输管的驱动电路包括第一检测模块11、第二检测模块12和栅极驱动模块13。其中,第一检测模块11的第一输入端与第一电压VA电连接,第一检测模块11的第二输入端与第二电压VB电连接。第一检测模块11用于将第一电压VA和第二电压VB中的较大者传输至栅极驱动模块13的第一输入端A1。第二检测模块12的第一输入端与第一电压VA电连接,第二检测模块12的第二输入端与第二电压VB电连接。第二检测模块12用于将第一电压VA和第二电压VB中的较小者传输至栅极驱动模块13的第二输入端A2。也就是说,若第一电压VA大于第二电压VB,则第一检测模块11将第一电压VA传输至栅极驱动模块13的第一输入端A1、第二检测模块12将第二电压VB传输至栅极驱动模块13的第二输入端本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种信号传输管的驱动电路,其特征在于,包括第一检测模块、第二检测模块和栅极驱动模块;所述第一检测模块的第一输入端与第一电压电连接,所述第一检测模块的第二输入端与第二电压电连接;所述第一检测模块用于将所述第一电压和所述第二电压中的较大者传输至所述栅极驱动模块的第一输入端;所述第二检测模块的第一输入端与第一电压电连接,所述第二检测模块的第二输入端与第二电压电连接;所述第二检测模块用于将所述第一电压和所述第二电压中的较小者传输至所述栅极驱动模块的第二输入端;所述栅极驱动模块用于根据所述第一电压和所述第二电压产生箝位电压,以通过所述箝位电压控制所述信号传输管进行信号的传输。

【技术特征摘要】
1.一种信号传输管的驱动电路,其特征在于,包括第一检测模块、第二检测模块和栅极驱动模块;所述第一检测模块的第一输入端与第一电压电连接,所述第一检测模块的第二输入端与第二电压电连接;所述第一检测模块用于将所述第一电压和所述第二电压中的较大者传输至所述栅极驱动模块的第一输入端;所述第二检测模块的第一输入端与第一电压电连接,所述第二检测模块的第二输入端与第二电压电连接;所述第二检测模块用于将所述第一电压和所述第二电压中的较小者传输至所述栅极驱动模块的第二输入端;所述栅极驱动模块用于根据所述第一电压和所述第二电压产生箝位电压,以通过所述箝位电压控制所述信号传输管进行信号的传输。2.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述第一检测模块包括第一晶体管和第二晶体管;所述第一晶体管的第一端与所述第一电压电连接,所述第一晶体管的控制端与所述第二电压电连接,所述第二晶体管的第一端与所述第二电压电连接,所述第二晶体管的控制端与所述第一电压电连接,所述第二晶体管的第二端与所述第一晶体管的第二端电连接,且所述第一晶体管的第二端与所述栅极驱动模块的第一输入端电连接。3.根据权利要求1或2所述的驱动电路,其特征在于,所述第二检测模块包括第三晶体管和第四晶体管;所述第三晶体管的第一端与所述第一电压电连接,所述第三晶体管的控制端与所述第二电压电连接,所述第四晶体管的第一端与所述第二电压电连接,所述第四晶体管的控制端与所述第一电压电连接,所述第四晶体管的第二端与所述第三晶体管的第二端电连接,且所述第三晶体管的第二端与所述栅极驱动模块的第二输入端电连接。4.根据权利要求3所述的驱动电路,其特征在于,所述第一晶体管和所述第二晶体管都为PMOS晶体管;所述第三晶体管和所述第四晶体管都为NMOS晶体管。5.根据权利要求1所述的驱动电路,其特征在于,所述栅极驱动模块包括反相器、第五晶体管、第六晶体管、电阻和电容;所述反相器的输入端与使能端电连接,所述反相器的输出端与...

【专利技术属性】
技术研发人员:董渊王云松黄建刚吴传奎程剑涛
申请(专利权)人:上海艾为电子技术股份有限公司
类型:发明
国别省市:上海,31

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