一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；本发明专利技术的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，系统实现了反坦克导弹武器系统二级技术维护参数和信号的模拟，可进行检测训练；同时，为导弹检测设备的研制与生产提供了先进可靠的计量和调试手段。

A Missile Detection Simulator for Missile Weapon System

The invention discloses a missile detection simulation device for missile weapon system, which is composed of a control box, a tracking device, on resistance and an insulating resistance board; the control box is composed of a box body and a box cover; the rear side of the box cover is hinged with the box body through hinges, and the front side is locked with the box body through laps; the top of the box body can be disassembled and installed with a panel under the panel; There is a power supply module; the inner part of the box is provided with a cage structure; the cage structure is equipped with circuit boards through angle iron; the circuit boards are electrically connected with power supply modules; the panel is electrically connected with circuit boards through bus boards, tracking devices and on-resistance and insulation resistance boards; the missile detection simulation device for missile weapon system of the present invention realizes the anti-tank missile system. The simulation of secondary technical maintenance parameters and signals of weapon system can be used for testing and training. At the same time, it provides advanced and reliable measurement and debugging means for the development and production of missile testing equipment.

【技术实现步骤摘要】
一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置
本专利技术涉及一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，属于军用设备

技术介绍
本专利技术研制了一种导弹武器系统控制箱模拟设备，用以代替AFT07A/B、AFT07C导弹武器系统控制箱，可以达到下列目的：(1)作为部队导弹装备技术人员的检测训练设备；(2)作为“导弹装备检测系统”的生产工厂的工装；(3)作为导弹检测车综合调试的计量设备奔马。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术提出了一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，系统实现了反坦克导弹武器系统二级技术维护参数和信号的模拟，可进行检测训练。本专利技术的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述导通电阻和绝缘电阻板由固定阻值的精密电阻构成；所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板，机笼结构、线路板、电源模块和面板为一体，可随面板一起拿出控制箱，以方便拆卸和维修；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；所述面板上设置有武器系统专用插座、串行口插座，及与武器系统对应的多个拨动开关、发射旋钮、自检指示灯和装弹指示灯；所述拨动开关包括用于选择左转12°低电平或右转12°低电平的第一拨动开关，及用于选择自检或工作模式的第二拨动开关，及用于选择不同型号导弹的第三拨动开关，及用于选择是否开启夜视功能的第四拨动开关；所述线路板包括主单片机电路，及与主单片机电路其输入端电连接的Uxx信息信号处理电路和双线串行通信变单线通信电路，及与主单片机电路其输出端连接的高压指令形成电路、在系统可编程逻辑器件和指令数据存贮器；所述高压指令形成电路包括ISP指令单片机电路，及与ISP指令单片机电路其输出端电连接的电连接的指令功率放大电路；所述Uxx信息信号处理电路由回输信号处理电路、温度补偿电路、脉冲检测电路和信号缓冲电路构成，Uxx信息信号处理电路的功能是将Uxx信号变成TTL信息信号,并控制当信息信号Uxx幅值小于70V时，停止指令的输出；所述Uxx信息信号处理电路其输入端电连接有输入单元；所述输入单元包括光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路；所述输入单元经三芯传输线连接有弹上信息信号；所述指令功率放大电路由光电耦合电路和高压驱动电路组成。进一步地，所述主单片机电路由AT89C51主控单片机及其外围电路组成，主单片机是整个电路的控制核心，以晶振输出为基准信号，检测信息信号、发射旋钮输入、光电编码信号(CLKA和CLKB，相位相差90度、周期为2.93±0.02ms)、左转(右转)12°低电平、串行控制命令等，产生指令脉冲发(UK)、发射同步脉冲(XPRET)、光电编码输出(A模和B模)、电源变换控制等信号，经变换或驱动后形成模拟输出信号；由于逻辑结构复杂，控制箱的逻辑功能由89C51单片机和ISP在系统可编程单片机89S2051完成。进一步地，所述ISP指令单片机电路由SIP89S2051指令单片机及其外围电路组成。进一步地，所述回输信号处理电路由第八电容、第二十电容、第三光电耦合器和第四光电耦合器组成；所述第八电容和第二十电容电连接后分别与第三光电耦合器的光电二极管正极和第四光电耦合器的光电二极管负极电连接；所述第三光电耦合器其光电二极管负极和第四光电耦合器其光电二极管正极电连接，且其连接端与输入单元的放大限幅滤波电路其输出端电连接；所述第二十电容其另一端与与输入单元的放大限幅滤波电路其另一输出端电连接；所述温度补偿电路包括第一电阻、第二变阻器、第三滑动变阻器、第四变阻器、第六电阻和第四十一电阻；所述第一电阻和第二变阻器并联后与第三滑动变阻器的固定端电连接；所述第三滑动变阻器其另一固定端与第六电阻串联；所述第三滑动变阻器其滑动端分别与第四变阻器和第四十一电阻电连接；所述第六电阻其另一端连接至第三光电耦合器的光敏三极管集电极；所述第四变阻器和第四十一电阻其另一端分别连接至第三光电耦合器的光敏三极管基极和第四光电耦合器的光敏三极管基极；所述脉冲检测电路包括与第三光电耦合器电连接的第一脉冲单元及与第四光电耦合器电连接的第二脉冲单元，且第一脉冲单元和第二脉冲单元结构相同；所述第一脉冲单元包括与第三光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二十七电阻，及与第二十七电阻其另一端电连接的第五三极管，及与第五三极管其集电极电连接的第八电阻和第八十二电阻，及分别与第五三极管其基极和发射极连接的第二十一电容；所述第二脉冲单元包括与第四光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二百七十一电阻，及与第二百七十一电阻其另一端电连接的第八三极管，及与第八三极管其集电极电连接的第八十一电阻和第八十三电阻，及分别与第八三极管其基极和发射极连接的第二百十一电容；所述信号缓冲电路包括分别与第五三极管其集电极和第八三极管其集电极电连接的反向器，且反向器其第二引脚和第四引脚分别与AT89C51主控单片机电连接，弹上信息信号经三芯传输线进入控制箱的输入单元，经输入单元的光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路后，信息信号进入由第八电容、第二十电容和第三光电耦合器、第四光电耦合器组成的回输信号处理电路，并进行微分；经微分的回输信号的上升沿、下降沿，分别在第三光电耦合器、第四光电耦合器的三极管脚部分产生相应的脉冲信号，经第五三极管和第八三极管放大，在第五三极管和第八三极管的集电极形成满足TTL电平要求的电压幅值脉冲；第五三极管的集电极输出的脉冲信号，对应弹上回输信号的上升沿，第八三极管的集电极输出的脉冲信号，对应弹上回输信号的下降沿；第五三极管和第八三极管的输出是从同一弹上信息信号所产生在不同相位的两路脉冲信号；第五三极管、第八三极管的集电极输出的回输信号的参考点，是相对+5V电源，已不同于弹上来的回输信号参考点，即通过第三、第四光电耦合器的隔离，主控单片机接口信号与外界隔离；这样，提高了系统的抗干扰能力；第三、第四光电耦合器的光敏三极管基极由第一电阻、第六电阻和第三滑动变阻器分压后提供一正向电压偏置，改变此偏压，可以抑制干扰信号，使光敏三极管不能导通；由第五三极管、第八三极管集电极输出的回输信号经反向器反向整形后，送入主控单片机接口，由主控单片机处理；74HC14是施密特型反向器，用于进一步抑制干扰脉冲和对回输信号脉冲的整形，使脉冲沿符合单片机接口电路要求；这样，在74HC14的输出端形成两路脉冲，频率与导弹旋转频率相同，相位反应导弹的空间位置，该两路脉冲即作为主控单片机识别导弹转速从而形成控制指令的基准。进一步地，所述光电耦合电路包括第十四光电耦合器和第十五光电耦合器；所述第十五光电耦合器其光电二极管负极经反向器反向后与第十四光电耦合器其光电二极管负极电连接。进一步地，所述高压驱动电路包括与第十四光电耦合器电连接的第一驱动单元及与第十五光电耦合器电连接的第二驱动单元；所述第一驱动单元包括第三十七滑动变阻器，及与第三十七滑动变阻器电连接的第六三极管，及与第六三极管其集电极电连接的第一阻容并联电路；所述第二驱动单元包括第三十八滑动变本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述导通电阻和绝缘电阻板由固定阻值的精密电阻构成；其特征在于：所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；所述面板上设置有武器系统专用插座、串行口插座，及与武器系统对应的多个拨动开关、发射旋钮、自检指示灯和装弹指示灯；所述拨动开关包括用于选择左转12°低电平或右转12°低电平的第一拨动开关，及用于选择自检或工作模式的第二拨动开关，及用于选择不同型号导弹的第三拨动开关，及用于选择是否开启夜视功能的第四拨动开关；所述线路板包括主单片机电路，及与主单片机电路其输入端电连接的Uxx信息信号处理电路和双线串行通信变单线通信电路，及与主单片机电路其输出端连接的高压指令形成电路、在系统可编程逻辑器件和指令数据存贮器；所述高压指令形成电路包括ISP指令单片机电路，及与ISP指令单片机电路其输出端电连接的电连接的指令功率放大电路；所述Uxx信息信号处理电路由回输信号处理电路、温度补偿电路、脉冲检测电路和信号缓冲电路构成；所述Uxx信息信号处理电路其输入端电连接有输入单元；所述输入单元包括光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路；所述输入单元经三芯传输线连接有弹上信息信号；所述指令功率放大电路由光电耦合电路和高压驱动电路组成，高压指令通过TTL电平的HO0低压指令变成±220V高压指令。...

【技术特征摘要】
1.一种用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，由控制箱、跟踪装置及导通电阻和绝缘电阻板组成；所述导通电阻和绝缘电阻板由固定阻值的精密电阻构成；其特征在于：所述控制箱由箱体和箱盖组成；所述箱盖其后侧通过铰链与箱体铰接，其前侧通过搭扣与箱体锁定；所述箱体顶部可拆卸安装有面板；所述面板下方安装有电源模块；所述箱体内部设有机笼结构；所述机笼结构中通过角铁安装有线路板；所述线路板与电源模块电连接；所述面板通过母线板与线路板、跟踪装置与导通电阻和绝缘电阻板电连接；所述面板上设置有武器系统专用插座、串行口插座，及与武器系统对应的多个拨动开关、发射旋钮、自检指示灯和装弹指示灯；所述拨动开关包括用于选择左转12°低电平或右转12°低电平的第一拨动开关，及用于选择自检或工作模式的第二拨动开关，及用于选择不同型号导弹的第三拨动开关，及用于选择是否开启夜视功能的第四拨动开关；所述线路板包括主单片机电路，及与主单片机电路其输入端电连接的Uxx信息信号处理电路和双线串行通信变单线通信电路，及与主单片机电路其输出端连接的高压指令形成电路、在系统可编程逻辑器件和指令数据存贮器；所述高压指令形成电路包括ISP指令单片机电路，及与ISP指令单片机电路其输出端电连接的电连接的指令功率放大电路；所述Uxx信息信号处理电路由回输信号处理电路、温度补偿电路、脉冲检测电路和信号缓冲电路构成；所述Uxx信息信号处理电路其输入端电连接有输入单元；所述输入单元包括光电耦合输入电路和放大限幅滤波电路；所述输入单元经三芯传输线连接有弹上信息信号；所述指令功率放大电路由光电耦合电路和高压驱动电路组成，高压指令通过TTL电平的HO0低压指令变成±220V高压指令。2.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述主单片机电路由AT89C51主控单片机及其外围电路组成。3.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述ISP指令单片机电路由SIP89S2051指令单片机及其外围电路组成。4.根据权利要求1所述的用于导弹武器系统的导弹检测模拟装置，其特征在于：所述回输信号处理电路由第八电容、第二十电容、第三光电耦合器和第四光电耦合器组成；所述第八电容和第二十电容电连接后分别与第三光电耦合器的光电二极管正极和第四光电耦合器的光电二极管负极电连接；所述第三光电耦合器其光电二极管负极和第四光电耦合器其光电二极管正极电连接，且其连接端与输入单元的放大限幅滤波电路其输出端电连接；所述第二十电容其另一端与与输入单元的放大限幅滤波电路其另一输出端电连接；所述温度补偿电路包括第一电阻、第二变阻器、第三滑动变阻器、第四变阻器、第六电阻和第四十一电阻；所述第一电阻和第二变阻器并联后与第三滑动变阻器的固定端电连接；所述第三滑动变阻器其另一固定端与第六电阻串联；所述第三滑动变阻器其滑动端分别与第四变阻器和第四十一电阻电连接；所述第六电阻其另一端连接至第三光电耦合器的光敏三极管集电极；所述第四变阻器和第四十一电阻其另一端分别连接至第三光电耦合器的光敏三极管基极和第四光电耦合器的光敏三极管基极；所述脉冲检测电路包括与第三光电耦合器电连接的第一脉冲单元及与第四光电耦合器电连接的第二脉冲单元，且第一脉冲单元和第二脉冲单元结构相同；所述第一脉冲单元包括与第三光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二十七电阻，及与第二十七电阻其另一端电连接的第五三极管，及与第五三极管其集电极电连接的第八电阻和第八十二电阻，及分别与第五三极管其基极和发射极连接的第二十一电容；所述第二脉冲单元包括与第四光电耦合器其光敏三极管发射极电连接的第二百七十一电阻，及与第二百七十一电阻其另一端电连接的第八三极管，及与第八三极管其集电极电连接的第八十一电阻和第八十三电...

【专利技术属性】
技术研发人员：孔子华，史连艳，魏保华，范书义，王成，李青，姜会霞，
申请(专利权)人：中国人民解放军陆军工程大学，
类型：发明
国别省市：河北,13