半导体装置制造方法及图纸

提供一种即使在具有旁路电容以及电源电路的情况下，也能够防止电源电路出现失灵的半导体装置。实施方式涉及的半导体装置1包括：绝缘基板2；形成在绝缘基板2上的导电图形部51、52、53、54、55；半导体开关部10、20；以及旁路电容80，其中，半导体开关部10被配置在导电图形部51上，半导体开关部20被配置在导电图形部52上，半导体开关部10具有边S1以及边S2，半导体开关部20具有边S3以及边S4，沿边S1延伸的假想线L1与沿边S3延伸的假想线L2相交。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
本专利技术涉及一种具有电源电路的半导体装置。
技术介绍
以往，具有将电源电压转换为期望的电压后进行输出的电源电路的半导体装置已被普遍认知。电源电路中包括有逆变器(Invertor)、整流器、DC/DC(Convertor)转换器等。这样的半导体装置例如被运用于太阳光发电系统的功率调节器(PowerConditioner)或服务器装置(Serverdevice)。在半导体装置的电源电路中，使用了半桥(Half-bridge)电路或全桥(Full-bridge)电路。在这些电路中，高电压侧的高端开关(High-sideswitch)与低电压侧的低端开关(Low-sideswitch)被级联。另外，在专利文献1中记载了一种具有级联后的两个开关元件的功率模块(Powermodule)。该功率模块中的高端开关与低端开关被平行配置。先行技术文献专利文献1：特开2016-162773号公报在电源电路中，为了将电源电压的变动以及各种噪声(Noise)滤除，一般会使用旁路电容(Bypasscondenser)。并且旁路电容会配置在高电压侧端子与低电压侧端子(接地端)之间。而且在以往，其还会被安装在半导体装置的外部。由于旁路电容在被配置在开关元件附近时更加能够发挥出效果，因此行业内一直期望于将旁路电容配置在半导体装置的内部(内置方式)。在采用内置方式的情况下，当高端开关与低端开关为N型时，旁路电容会被配置在高端开关的源电极与低端开关的漏电极之间。而当高端开关与低端开关为P型时，旁路电容会被配置在高端开关的漏电极与低端开关的源电极之间。然而，在高端开关与低端开关平行配置这样一种以往的布局下，由于从高端开关经由旁路电容后到达低端开关的路径(以下，也简称为“旁路电容路径”)过长，因此会导致旁路电容路径上的寄生电感(Parasiticinductance)变大。其结果就是，电源电路会出现失灵。本专利技术鉴于上述课题，目的是提供一种即使在具有旁路电容以及电源电路的情况下，也能够防止电源电路出现失灵的半导体装置。
技术实现思路
本专利技术涉及的半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板；第一导电图形(Pattern)部，形成在所述绝缘基板上；第二导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第三导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第四导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第五导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第一半导体开关部，具有第一主电极以及第二主电极，并且配置在所述第一导电图形部上；第二半导体开关部，具有第三主电极以及第四主电极，并且配置在所述第二导电图形部上；以及旁路电容，具有第一电极以及第二电极，其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部的所述第二主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第三主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极与所述第五导电图形部电气连接，所述旁路电容的所述第一电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第二电极与所述第五导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部具有第一边、以及与所述第一边相对的第二边，所述第二半导体开关部具有第三边、以及与所述第三边相对的第四边，所述第一主电极沿所述第一边配置，所述第二主电极沿所述第二边配置，所述第三主电极沿所述第三边配置，所述第四主电极沿所述第四边配置，沿所述第一边延伸的第一假想线与沿所述第三边延伸的第二假想线相交。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于30°，小于等于135°。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于45°，小于等于90°。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度为45°。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极经由所述第三导电图形部与高电压侧端子电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极经由所述第五导电图形部与低电压侧端子电气连接。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述绝缘基板具有从平面看所述高电压侧端子与所述低电压侧端子突出的第一基板边、以及与所述第一基板边相对的第二基板边，所述第一半导体开关部被配置为所述第一假想线与所述第一基板边相平行，所述第二半导体开关部被配置为所述第二假想线相对于所述第一基板边倾斜。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述旁路电容被配置为：连结所述第一电极与所述第二电极的第三假想线与所述第一假想线以及所述第二假想线相交。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第三假想线与所述第二假想线相交的角度为90°。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第一半导体开关部具有：配置在所述第一导电图形部上的第一GaN-HEMT(HighElectronMobilityTransistor)；以及配置在所述第一GaN-HEMT上的第一MOS-FET，所述第二半导体开关部具有：配置在所述第二导电图形部上的第二GaN-HEMT；以及配置在所述第二GaN-HEMT上的第二MOS-FET，所述第一GaN-HEMT的栅电极经由所述第四导电图形部与所述第二主电极电气连接，所述第二GaN-HEMT的栅电极经由所述第五导电图形部与所述第四主电极电气连接。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述第一GaN-HEMT以及所述第二GaN-HEMT为常开型(Normally-ontype)的晶体管，所述第一MOS-FET以及所述第二MOS-FET为常关型(Normally-offtype)的晶体管。另外，在所述半导体装置中，也可以是：其中，所述旁路电容与所述第一半导体开关部以及所述第二半导体开关部一同被树脂封装。另外，在所述半导体装置中，也可以进一步包括：第六导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第七导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第八导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第九导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第三半导体开关部，具有第五主电极以及第六主电极，并且配置在所述第六导电图形部上；以及第四半导体开关部，具有第七主电极以及第八主电极，并且配置在所述第七导电图形部上，所述第三半导体开关部的所述第五主电极与所述第八导电图形部电气连接，所述第三半导体开关部的所述第六主电极与所述第九导电图形部电气连接，所述第四半导体开关部的所述第七主电极与所述第九导电图形部电气连接，所述第四半导体开关部的所述第八主电极与所述第五导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部与所述第三半导体开关部将所述第五导电图形部夹住并被对称地配置，所述第二半导体开关部与所述第四半导体开关部将所述第五导电图形部夹住并被对称地配置。另外，在所述半导体装置中，也可以进一步包括：具有第三电极以及第四电极的另一个旁路电容，所述第三电极与所述第八导电图形部电气连接，所述第四电极与所述第五导电图形部电气连接，所述旁路电容与所述另一个旁路电容将所述第五导电图形部夹住并被对称地配置。专利技术效果在本专利技术涉及的半导体装置中，第一半导体开关部与第二半导体开关部被配置为第一半导体开关部的第一假想线与第二半导体开关部的第二假想线相交。通过本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板；第一导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第二导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第三导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第四导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第五导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第一半导体开关部，具有第一主电极以及第二主电极，并且配置在所述第一导电图形部上；第二半导体开关部，具有第三主电极以及第四主电极，并且配置在所述第二导电图形部上；以及旁路电容，具有第一电极以及第二电极，其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部的所述第二主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第三主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极与所述第五导电图形部电气连接，所述旁路电容的所述第一电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第二电极与所述第五导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部具有第一边、以及与所述第一边相对的第二边，所述第二半导体开关部具有第三边、以及与所述第三边相对的第四边，所述第一主电极沿所述第一边配置，所述第二主电极沿所述第二边配置，所述第三主电极沿所述第三边配置，所述第四主电极沿所述第四边配置，沿所述第一边延伸的第一假想线与沿所述第三边延伸的第二假想线相交。...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，包括：绝缘基板；第一导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第二导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第三导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第四导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第五导电图形部，形成在所述绝缘基板上；第一半导体开关部，具有第一主电极以及第二主电极，并且配置在所述第一导电图形部上；第二半导体开关部，具有第三主电极以及第四主电极，并且配置在所述第二导电图形部上；以及旁路电容，具有第一电极以及第二电极，其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部的所述第二主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第三主电极与所述第四导电图形部电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极与所述第五导电图形部电气连接，所述旁路电容的所述第一电极与所述第三导电图形部电气连接，所述第二电极与所述第五导电图形部电气连接，所述第一半导体开关部具有第一边、以及与所述第一边相对的第二边，所述第二半导体开关部具有第三边、以及与所述第三边相对的第四边，所述第一主电极沿所述第一边配置，所述第二主电极沿所述第二边配置，所述第三主电极沿所述第三边配置，所述第四主电极沿所述第四边配置，沿所述第一边延伸的第一假想线与沿所述第三边延伸的第二假想线相交。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于30°，小于等于135°。3.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度大于等于45°，小于等于90°。4.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一假想线与所述第二假想线相交的角度为45°。5.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述第一半导体开关部的所述第一主电极经由所述第三导电图形部与高电压侧端子电气连接，所述第二半导体开关部的所述第四主电极经由所述第五导电图形部与低电压侧端子电气连接。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述绝缘基板具有从平面看所述高电压侧端子与所述低电压侧端子突出的第一基板边、以及与所述第一基板边相对的第二基板边，所述第一半导体开关部被配置为所述第一假想线与所述第一基板边相平行，所述第二半导体开关部被配置为所述第二假想线相对于所述第一基板边倾斜。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于：其中，所述旁路电容被配置...

【专利技术属性】
技术研发人员：森永雄司，久德淳志，菊地芳彦，
申请(专利权)人：新电元工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP