封装薄膜、电子装置及其制备方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种封装薄膜和电子装置及其制备方法。本发明专利技术封装薄膜包括氮化物陶瓷膜层、在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。本发明专利技术电子装置包括用于封装电子元件的本发明专利技术封装薄膜。本发明专利技术封装薄膜通过氮化物陶瓷膜层与两层氧化物陶瓷膜层构成复合封装膜层结构，其阻隔水氧作用优异，结构稳定，保证了电子装置电化学性能的稳定，延长了工作寿命。

【技术实现步骤摘要】
封装薄膜、电子装置及其制备方法
本专利技术属于包封膜
，具体涉及一种封装薄膜、包含所述封装薄膜的电子装置和其制备方法。
技术介绍
封装薄膜可以用于保护对外部因素如水分或氧气敏感的电子元件(如二极管)、太阳能电池或者二次电池。电子元件的寿命是非常重要的一项参数。提高电子元件的寿命，使其达到商用水平，封装是至关重要的一个环节。对于电子元件而言，封装不仅仅是防止划伤等物理保护，更重要的是防止外界环境中水汽，氧气的渗透。这些环境中的水汽渗透到器件内部，会加速器件的老化。因此电子元件的封装结构必须具有良好的渗透阻挡功能。当前，商用的电子元件的封装技术正从传统的盖板式封装向新型薄膜一体化封装发展。相对比于传统的盖板封装，薄膜封装能够明显降低器件的厚度与质量，约节省50％的潜在封装成本，同时薄膜封装能适用于柔性器件。薄膜封装技术将是发展的必然趋势。如在欧司朗OLED有限责任公司的一份专利中公开了采用膜层封装，具体是采用有机或无机封装层，并在膜层封装层外表面还增设一金属层。因此，根据其封装层的作用，其主要起到将热传递至金属层以便散热。而且其没有具体公开有机或无机为何种材料以及形成的工艺条件。虽然陶瓷膜具有良好的水、氧阻隔性，良好的阶梯型覆盖以及极佳的厚度均匀性，可以尝试用于电子元件封装阻挡层材料，但是，在生成陶瓷薄膜的过程中缺陷(针孔、裂纹等)会不可避免地产生，缺陷的存在大大降低了其阻隔能力。同时陶瓷膜会产生较大的应力，严重影响封装质量。另外，当设置多层多层陶瓷膜本体结构时，热膨胀系数的差异，使得多层陶瓷膜在叠加时容易产生兼容性的问题，进而影响封装薄膜质量。因此，如何提高电子元件如电子元件的封装效果目前本行业一直在努力解决的技术问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的所述不足，提供一种封装薄膜，以解决现有如采用陶瓷作为封装薄膜质量不稳定，而且水氧阻隔能力差的技术问题。本专利技术另一目的在于提供一种电子装置和其制备方法，以解决现有电子装置由于封装构件水氧阻隔性差，结构不稳定等因素造成的电子装置性能稳定性差，寿命不理想的技术问题。为了实现所述专利技术目的，本专利技术一方面，提供了一种封装薄膜。所述封装薄膜，所述第一氧化物陶瓷膜层表面包括：氮化物陶瓷膜层；在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层；和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。本专利技术另一方面，提供了一种电子装置，所述电子装置包括：衬底；在衬底上形成的电子元件；和本专利技术封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件；其中，所述氮化物陶瓷膜层设置在所述衬底和/或电子元件表面；所述第一氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述氮化物陶瓷膜层表面；所述第二氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述第一氧化物陶瓷膜层表面。本专利技术又一方面，提供了一种电子装置的制备方法。所述电子装置的制备方法包括如下步骤：提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子元件；在所述基材上形成本专利技术所述的封装薄膜，对所述电子元件进行封装；其中，所述氮化物陶瓷膜层设置在所述基材表面；所述第一氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述氮化物陶瓷膜层表面；所述第二氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述第一氧化物陶瓷膜层表面。与现有技术相比，本专利技术封装薄膜通过氮化物陶瓷膜层与两层氧化物陶瓷膜层构成复合封装膜层结构。其中，氮化物陶瓷层起到良好的阻隔水氧作用，第二氧化物陶瓷膜层具有优异的机械强度和硬度较高、耐热冲击性能和抗化学侵蚀性能良好。第一氧化物陶瓷膜层层叠结合在氮化物陶瓷膜层与第二氧化物陶瓷膜层之间，能够起到过渡层的作用，减小氮化物陶瓷膜层与第二氧化物陶瓷膜层热膨胀系数的差异，降低整个封装薄膜的薄膜应力；同时，使得氮化物陶瓷膜层与第二氧化物陶瓷膜层之间没有明显的界面，减少了膜层的缺陷态。因此，本专利技术封装薄膜通过三层构成的复合封装膜层结构，通过各层之间的协同作用，阻隔水氧作用优异，而且结构稳定。从而有效提高了被封装的电子元件工作的稳定性，延长了电子元件的使用寿命。本专利技术电子装置采用所述本专利技术封装膜层封装所述电子元件。这样本专利技术电子装置所含的封装膜层能够有效隔绝空气中水氧对被封装电子元件的损害，保证电子元件的电化学性能稳定。因此，本专利技术电子装置工作性能稳定，且工作寿命长。本专利技术电子装置的制备方法直接在电子元件需要封装的部位形成所述本专利技术封装薄膜，因此，制备的电子装置封装效果好，能够有效阻隔水氧对被封装的电子元件损害，使得制备的电子装置工作性能稳定，且工作寿命长。另外，本专利技术制备方法工艺条件易控，保证了制备的封装薄膜的性能稳定，降低了制备成本。附图说明图1是本专利技术实施例封装薄膜结构示意图；图2是本专利技术实施例电子装置一种结构示意图；图3是本专利技术实施例电子装置另一种结构示意图。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术实施例中，对下文名词作出如下说明。本专利技术所用术语“电子装置”指具有如下结构的电子元件，所述电子元件在一对彼此面对的电极之间包括利用与电子产生电荷交换的材料层，作为举例包括光伏器件、整流器、发射机、电学发光器件，但本申请不限于此。所述电学发光器件包括OLED、QLED。本专利技术所用术语“封装”指对电子元件需要封装的部位采用封装膜层进行覆盖处理，根据实现的功能，不同的电子元件结构对封装的部位有不同的要求，具体地，所述电子元件需要封装的部位可以电子元件所有的顶面和侧面，当然也可以仅仅是电子元件的顶面或侧面。根据需要封装的部位不同，封装薄膜可以形成在电子元件表面或电子元件和衬底表面。一方面，本专利技术实施例提供一种阻隔水氧效果优异，结构稳定的封装薄膜。所述封装薄膜结构如图1所示，所述封装薄膜20包括层叠结合的氮化物陶瓷膜层21、第一氧化物陶瓷膜层22和第二氧化物陶瓷膜层23。具体地，第一氧化物陶瓷膜层22是形成于氮化物陶瓷膜层21表面上，第二氧化物陶瓷膜层23是形成于第一氧化物陶瓷膜层22表面上。这样，所述封装薄膜20通过三层构成的复合封装膜层结构，通过各层之间的协同作用，阻隔水氧作用优异，而且结构稳定。从而保证了被封装电子元件10(图2、3所示)的电化学性能的稳定，延长了电子元件10工作寿命。其中，所述氮化物陶瓷膜层21起到良好的阻隔水氧作用。一实施例中，控制氮化物陶瓷层21的厚度为50nm-1μm；所述氮化物陶瓷层21的材料包括AlN、Si3N4、BN、TiN、MoN2和WN2中的至少一种。通过对氮化物陶瓷层21厚度和材料的选用，优化氮化物陶瓷层21的阻隔水氧作用效果。所述第一氧化物陶瓷膜层22能够起到过渡层的作用，减小氮化物陶瓷膜层21与第二氧化物陶瓷膜层23热膨胀系数的差异，降低整个封装薄膜20的薄膜应力；同时，使得氮化物陶瓷膜层21与第二氧化物陶瓷膜层23之间没有明显的界面，减少了膜层的缺陷态。一实施例中，控制第一氧化物陶瓷膜层22的厚度为1nm-10nm。所述第一氧化物陶瓷膜层22的材料可以是Al2O3、SiO2、TiO2、MoO3和WO3中的至少一种。通过对第一氧化物陶瓷膜层22厚度和材料的选用，优化第一氧化物陶瓷膜层22的过渡层作用，降低封装薄膜20的薄膜应力和缺陷态，本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种封装薄膜，其特征在于：包括氮化物陶瓷膜层；在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层；和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。

【技术特征摘要】
1.一种封装薄膜，其特征在于：包括氮化物陶瓷膜层；在所述氮化物陶瓷膜层上形成的第一氧化物陶瓷膜层；和在所述第一氧化物陶瓷膜层上形成的第二氧化物陶瓷膜层。2.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述氮化物陶瓷膜层的厚度为50nm-1μm；和/或所述第一氧化物陶瓷膜层的厚度为1-10nm；和/或所述第二氧化物陶瓷膜层的厚度为50nm-1μm。3.根据权利要求1所述的封装薄膜，其特征在于：所述氮化物陶瓷膜层的材料包括AlN、Si3N4、BN、TiN、MoN2和WN2中的至少一种；和/或所述第一氧化物陶瓷膜层和/所述第二氧化物陶瓷膜层的材料包括Al2O3、SiO2、TiO2、MoO3和WO3中的至少一种。4.根据权利要求1-3任一所述的封装薄膜，其特征在于：所述第一氧化物陶瓷膜层是将所述氮化物陶瓷膜层表面进行退火氧化处理形成。5.一种电子装置，包括：衬底；在衬底上形成的电子元件；和权利要求1-4所述的封装薄膜，所述封装薄膜封装所述电子元件；其中，所述氮化物陶瓷膜层设置在所述电子元件表面或衬底和电子元件表面；所述第一氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述氮化物陶瓷膜层表面；所述第二氧化物陶瓷膜层层叠结合在所述第一氧化物陶瓷膜层表面。6.一种电子装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：提供基材，所述基材包括衬底和设置于所述衬底上的电子...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱佩，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44