一种QLED器件及其制备方法技术

本发明专利技术公开一种QLED器件及其制备方法，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。本发明专利技术在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种QLED器件及其制备方法
本专利技术涉及发光二极管
，尤其涉及一种QLED器件及其制备方法。
技术介绍
量子点由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近年来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。目前，尽管通过对量子点材料的改进以及QLED器件结构的不断优化，现有QLED的性能(包括器件效率和寿命)得到了大幅度的提高，但是其效率与产业化生产的要求还相差较远。其中，载流子的注入不平衡是影响QLED器件效率的一个主要原因。因此，如何有效提高QLED器件中量子点层的载流子平衡，是研究的一个热点。
技术实现思路
鉴于上述现有技术的不足，本专利技术的目的在于提供一种QLED器件及其制备方法，旨在解决现有QLED器件的载流子注入不平衡，导致QLED器件的发光效率低的问题。本专利技术的技术方案如下：一种QLED器件，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的碘氧化铋层（BiOI层），及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。所述的QLED器件，其中，还包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。所述的QLED器件，其中，还包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。所述的QLED器件，其中，所述BiOI层的厚度为1-10nm。所述的QLED器件，其中，所述BiOI层由BiOI溶液制备而成，所述BiOI溶液的浓度为0.1-10mg/ml。所述的QLED器件，其中，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS。所述的QLED器件，其中，所述空穴传输层的材料为PVK、Poly-TPD中的一种或多种。所述的QLED器件，其中，所述电子传输层的材料为n型氧化锌。一种如上任一项所述的QLED器件的制备方法，其中，包括步骤：制备阳极；在阳极上制备BiOI层；在BiOI层上制备量子点发光层；在量子点发光层上制备BiOI层；在BiOI层上制备阴极，得到QLED器件。所述的QLED器件的制备方法，其中，BiOI的制备方法包括步骤：将Bi(NO3)3·5H2O溶解于乙醇中，室温下搅拌，得到乙醇溶液；将NaI加入到超纯水中，搅拌至溶液澄清后，加入到上述已制备好的乙醇溶液中，并搅拌，得到混合溶液；将混合溶液在110-150℃下反应10-14h后，将产物洗涤、干燥，得到BiOI。有益效果：本专利技术在量子点发光层两侧设置一层超薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的超薄BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。附图说明图1为本专利技术提供的一种不含空穴功能层、电子功能层的正装结构的QLED器件的结构示意图。图2为本专利技术提供的一种不含空穴功能层、电子功能层的倒装结构的QLED器件的结构示意图。图3为本专利技术提供的一种含空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层的正装结构的QLED器件的结构示意图。图4为本专利技术提供的一种含空穴注入层、空穴传输层、电子注入层、电子传输层的倒装结构的QLED器件的结构示意图。具体实施方式本专利技术提供一种QLED器件及其制备方法，为使本专利技术的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本专利技术进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。本专利技术提供一种QLED器件较佳实施例，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其中，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。根据所述QLED器件发光类型的不同，所述QLED器件可以分为正装结构的QLED器件和倒装结构的QLED器件。作为一个具体实施例，当所述QLED器件为正装结构的QLED器件时，如图1所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阳极1、BiOI层2、量子点发光层3、BiOI层4和阴极5。作为另一个具体实施例，当所述QLED器件为倒装结构的QLED器件时，如图2所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阴极5、BiOI层4、量子点发光层3、BiOI层2和阳极1。本专利技术BiOI是一种半导体光催化剂，具有独特的层状结构，并且其较窄的带隙(~1.8eV)能最大限度地吸收可见光，其特殊的层状结构和内部电场能有效地实现光生电子-空穴对的分离，从而表现出优异的可见光催化性能。本专利技术在量子点发光层两侧设置一层薄的BiOI，所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的空穴浓度；所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层，增加了注入的电子浓度。并且所述量子点发光层两侧的薄的BiOI层将电子和空穴限制在量子点发光层内，从而增加电子与空穴对的复合，有效提高载流子平衡，减少漏电流的产生，进而有效提高了QLED器件的发光效率。优选的，所述QLED器件还可以包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。换句话说，所述QLED器件可以包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴注入层；或是可以包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴传输层；亦或是同时包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴注入层和空穴传输层，其中所述空穴注入层与所述阳极叠合。优选的，所述QLED器件还可以包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。换句话说，所述QLED器件可以包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子注入层；或是可以包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子传输层；亦或是同时包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子注入层和电子传输层，其中所述电子注入层与所述阴极叠合。作为一个优选具体实施例，当所述QLED器件为正装结构的QLED器件时，如图3所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阳极1、空穴注入层6、空穴传输层7、BiOI层2、量子点发光层3、BiOI层4、电子传输层8、电子注入层9和阴极5。作为另一个优选具体实施例，当所述QLED器件为倒装结构的QLED器件时，如图4所示，所述QLED器件包括从下往上依次叠层设置的阴极5、电子注入层9、电子传输层8、BiOI层4、量子点发光层3、BiOI层2、空穴传输层7、空穴注入层6和阳极1。本专利技术空穴功能层的引入，可以提高空穴的注入/传输效率。电子功能层的引入，可以提高电子的注入/传输效率。更重要的是，当电子的注入/传输效果与量子点发光层另一端的空穴注入/传输效果相当时，能够尽可能地实现QLED器件内部电子与空穴的注入平衡，从而提高器件的发光性能。需说明的是，本专利技术不限于上述结构的QLED器件，还可进一步包括界面功能层或界面修饰层，包括但不限于电子阻挡本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。

【技术特征摘要】
1.一种QLED器件，所述QLED器件包括依次设置的阳极、量子点发光层和阴极，其特征在于，还包括设置于所述阳极和所述量子点发光层之间的BiOI层，及设置于所述阴极和所述量子点发光层之间的BiOI层。2.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置于所述阳极和所述BiOI层之间的空穴功能层，所述空穴功能层包括空穴注入层和空穴传输层中的至少一种。3.根据权利要求1所述的QLED器件，其特征在于，还包括设置于所述阴极和所述BiOI层之间的电子功能层，所述电子功能层包括电子注入层和电子传输层中的至少一种。4.根据权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述BiOI层的厚度为1-10nm。5.根据权利要求1-3任一项所述的QLED器件，其特征在于，所述BiOI层由BiOI溶液制备而成，所述BiOI溶液的浓度为0.1-10mg/ml。6.根据权利要求2所述的QLED器件，其特征...

【专利技术属性】
技术研发人员：李龙基，曹蔚然，
申请(专利权)人：TCL集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44