显示装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术涉及显示装置及其制造方法。本发明专利技术要解决的课题为提供一种能够防止在使用氧化物半导体的薄膜晶体管中从氧化物半导体中发生的氧脱离、并且特性稳定的薄膜晶体管。本发明专利技术的显示装置具有形成有使用氧化物半导体(104)的TFT的TFT基板，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体(104)形成在由氧化硅膜形成的第一绝缘膜(103)之上，氧化物半导体(104)和氧化铝膜(50)均直接形成在所述第一绝缘膜(103)之上。

【技术实现步骤摘要】
显示装置及其制造方法
本专利技术涉及在具有使用了氧化物半导体的TFT的显示装置中，应对由构成沟道部的氧化物半导体被还原所引起的漏电流增大之现象的显示装置。
技术介绍
液晶显示装置中，形成如下构成：配置有TFT基板和与TFT基板相对的对置基板，在TFT基板与对置基板之间夹持液晶，在所述TFT基板中具有像素电极及薄膜晶体管(TFT，ThinFilmTransistor)等的像素形成为矩阵状。另外，按照每个像素来控制基于液晶分子的光的透过率从而形成图像。另一方面，有机EL显示装置通过在各像素中配置自发光的有机EL层和TFT而形成彩色图像。有机EL显示装置由于无需背光源，因此，对于柔性显示装置等而言是有利的。在显示装置中，TFT用于像素中的开关元件、周边驱动电路等中。使用氧化物半导体的TFT的OFF电阻高，因此，作为开关晶体管是合适的。另外，与使用poly－Si的TFT相比，使用氧化物半导体的TFT还具有能够在较低的温度下形成这样的优点。显示装置中，作为层间绝缘膜，使用了各种绝缘膜。多数情况下使用氧化硅(以下，在本说明书中，记为SiO)、氮化硅(以下，在本说明书中，记为SiN)，但也存在使用氧化铝的情况。专利文献1中记载了下述构成：由铝形成栅电极，对该铝的表面实施阳极氧化而形成氧化铝，从而提高其与抗蚀剂的密合性。另外，专利文献1中还记载了下述构成：形成通孔时，通过蚀刻将通孔中的氧化铝除去。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开平9－213968号公报
技术实现思路
专利技术要解决的课题在使用氧化物半导体的TFT中，若沟道部的氧化物半导体被还原，则电阻减小，TFT的漏电流增大。作为氧化物半导体被还原的情况，包括下述情况：氧通过金属等而被除去的情况；氢从SiN等层被供给的情况；等等。为防止氧化物半导体被还原，有下述方法：与氧化物半导体接触地配置例如SiO膜等，从该SiO向氧化物半导体供给氧。为从SiO膜供给氧，需要形成SiO膜包含大量氧的结构。但是，对于包含大量的氧的构成而言，使得SiO膜中存在大量缺陷，将无法充分保持绝缘特性等特性。另外，即使是SiO包含大量的氧的结构，也存在成为氧向其他部分脱离、无法从SiO膜向氧化物半导体充分地供给氧的构成的情况。本专利技术的课题在于提供下述构成，所述构成中，与氧化物半导体接触地配置包含大量的氧的SiO，并且，能够从SiO向氧化物半导体充分地供给所需的氧。另外，本专利技术的课题还在于提供能够维持小的漏电流的使用氧化物半导体的TFT。用于解决课题的手段本专利技术为解决上述问题的方案，具体的手段如下所述。一种显示装置，其具有形成有使用氧化物半导体的TFT的TFT基板，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体形成在由氧化硅膜形成的第一绝缘膜之上，在所述第一绝缘膜之上并列地形成有氧化物半导体和氧化铝膜。即，通过覆盖所述第一绝缘膜的氧化铝膜，将第一绝缘膜中的氧封入，从而高效地将所述第一绝缘膜中的氧供给至所述氧化物半导体。附图说明[图1]为液晶显示装置的俯视图。[图2]为液晶显示装置的显示区域的剖面图。[图3]为氧化物半导体TFT的俯视图。[图4]为图3的A－A剖面图。[图5]为形成了第一栅电极的状态的剖面图。[图6]为形成了第一栅极绝缘膜的状态的剖面图。[图7]为被覆了氧化物半导体的状态的剖面图。[图8]为将氧化物半导体图案化后的状态的剖面图。[图9]为被覆了氧化铝膜的状态的剖面图。[图10]为将抗蚀剂剥离后的状态的剖面图。[图11]为示出在TFT基板上被覆了氧化铝膜的状态的俯视图。[图12]为将氧化铝膜图案化后的状态的显示区域的俯视图。[图13]为示出实施例2的第一例的剖面图。[图14]为示出实施例2的第二例的剖面图。[图15]为示出实施例3的剖面图。[图16]为示出实施例4的剖面图。[图17]为有机EL显示装置的俯视图。[图18]为应用了本专利技术的有机EL显示装置的显示区域的剖面图。附图标记说明11…扫描线，12…影像信号线，13…像素，14…电源线，20…显示区域，21…密封材料，30…端子区域，31…驱动IC，32…柔性布线基板，50…AlO膜，60…扫描线驱动电路，61…控制电路，62…电流供给区域，100…TFT基板，101…基膜，102…第一栅电极，103…第一栅极绝缘膜，104…氧化物半导体，105…第二栅极绝缘膜，106…第二栅电极，107…层间绝缘膜，108…漏电极，109…源电极，110…有机钝化膜，111…公共电极，112…电容绝缘膜，113…像素电极，114…取向膜，115…漏电极，116…源电极，120…通孔，121…通孔，122…通孔，123…通孔，130…通孔，140…多晶硅，141…第三栅极绝缘膜，142…第三栅电极，200…对置基板，201…彩色滤光片，202…黑矩阵，203…保护膜，204…取向膜，300…液晶层，301…液晶分子，401…反射电极，402…阳极，403…堤，404…有机EL层，405…阴极，406…保护层，407…粘合材料，408…偏光板，500…抗蚀剂，1081…漏极金属，1091…源极金属，SE…侧蚀具体实施方式以下，通过实施例详细说明本专利技术的内容。在以下说明中，以液晶显示装置为例进行说明，但本专利技术也能够适用于有机EL显示装置。[实施例1]图1为本专利技术可被应用的液晶显示装置的俯视图。图1中，形成有TFT、像素电极的TFT基板100与对置基板200在周边处用密封材料21粘接，在内部封入有液晶。由密封材料21围成的区域成为显示区域20。图1中，TFT基板100形成为比对置基板200大，TFT基板100与对置基板200未重合的部分成为端子部30，在该部分中配置有驱动IC31。另外，在端子部30上连接有向液晶显示装置供给电源、信号的柔性布线基板32。图1中，在显示区域20中，扫描线11在横向(x方向)上延伸，在纵向(y方向)上排列。另外，影像信号线12在纵向上延伸，在横向上排列。从配置于端子部30的驱动IC31向影像信号线12发送影像信号。扫描线11与影像信号线12围成的区域成为像素13。在图1所示的液晶显示装置中，使用了使用氧化物半导体的TFT。氧化物半导体具有漏电流小这样的特征。因此，其适合作为显示区域的像素中的开关元件。另一方面，使用poly－Si的TFT的漏电流大，但由于迁移率大，因此，用作周边电路的驱动用TFT的情况较多。图2为图1所示的液晶显示装置的显示区域20的剖面图。图2中所使用的TFT使用了氧化物半导体104。利用氧化物半导体104的TFT能够减小漏电流。将氧化物半导体之中光学上透明且非晶质的半导体称为TAOS(TransparentAmorphousOxideSemiconductor(透明非晶氧化物半导体))。TAOS包括IGZO(IndiumGalliumZincOxide，氧化铟镓锌)、ITZO(IndiumTinZincOxide，氧化铟锡锌)、ZnON(ZincOxideNitride，氮氧化锌)、IGO(IndiumGalliumOxide，氧化铟镓)等。本专利技术中，通过氧化物半导体104中使用IGZO的例子进行说明。需要说明的是，本说明书中，有时将氧化物半导体104表述为TAOS。图2中，在由玻璃或树脂形成的TF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.显示装置，其具有形成有TFT的TFT基板，所述TFT使用了氧化物半导体，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体形成在由氧化硅膜形成的第一绝缘膜之上，氧化物半导体和氧化铝膜均直接形成在所述第一绝缘膜之上。

【技术特征摘要】
2017.08.31 JP 2017-1668181.显示装置，其具有形成有TFT的TFT基板，所述TFT使用了氧化物半导体，所述显示装置的特征在于，所述氧化物半导体形成在由氧化硅膜形成的第一绝缘膜之上，氧化物半导体和氧化铝膜均直接形成在所述第一绝缘膜之上。2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，所述氧化物半导体与所述氧化铝膜在俯视下观察时没有重合。3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述氧化物半导体与所述氧化铝膜之间存在有在俯视下观察时小于10μm的间隙。4.根据权利要求3所述的显示装置，其特征在于，所述氧化铝膜的端部为倒锥形。5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述氧化物半导体的端部处，所述氧化铝膜的端部重合地形成，并且所述氧化铝膜跨至所述氧化物半导体之上。6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在所述氧化物半导体的端部处，所述氧化铝膜的端部重合地形成，并且所述氧化物半导体跨至所述氧化铝膜之上。7.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在俯视下观察时，在所述氧化物半导体与所述第一绝缘膜的下侧，形成有第一栅电极，所述第一绝缘膜作为栅极绝缘膜发挥功能。8.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，在俯视下观察时，在所述氧化物半导体与所述第一绝缘膜的下侧，形成有作为遮光膜的金属膜。9.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，在所述氧化物半导体之上形成有由氧化硅形成的第二绝缘膜，在所述第二绝缘膜之上形成有第二栅电极。10.根据权利要求8所述的显示装置，其特征在于，在所述氧化物半导体之上形成有由氧化硅形成的第二绝缘膜，在所述第二绝缘膜之上形成有第二栅电极。11.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，在所述氧化...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口阳平，
申请(专利权)人：株式会社日本显示器，
类型：发明
国别省市：日本,JP