半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本申请公开了一种半导体装置的制造方法，涉及半导体技术领域。所述方法包括：在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜；在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下；执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。本申请可以减少键合后的晶圆之间存在的气隙。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置的制造方法
本申请涉及半导体
，尤其涉及一种半导体装置的制造方法。
技术介绍
在背照式(BSI)图像传感器等半导体器件的制造工艺中，需要将顶部晶圆和底部晶圆熔融键合。本申请的专利技术人发现：在将顶部晶圆和底部晶圆熔融键合后，上下两片晶圆的边缘区域之间存在较多的气隙(bubblevoids)，这会影响图像传感器的性能。
技术实现思路
本申请的一个目的是减少键合后的晶圆的边缘之间存在的气隙。根据本申请的一方面，提供了一种半导体装置的制造方法，包括：在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜；在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下；执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。在一个实施例中，所述真空环境下的压强为0.0001mBar-0.1mBar。在一个实施例中，置于所述真空环境下停留的时间为0.5h-2h。在一个实施例中，所述方法还包括：在形成所述水膜前，对所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面进行亲水性处理。在一个实施例中，所述亲水性处理包括等离子体处理。在一个实施例中，所述等离子体处理的处理条件包括：真空压强小于1mBar；处理时间为15s-90s；功率为50W-200W；处理气氛包括氮气。在一个实施例中，所述在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜包括：利用去离子水对旋转的所述顶部晶圆的底面和旋转的所述底部晶圆的顶面进行清洗，从而形成所述水膜。在一个实施例中，所述清洗步骤的清洗条件包括：清洗时间为1min-5min；所述顶部晶圆和所述底部晶圆的旋转速率为1000转/分-3000转/分。在一个实施例中，所述将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合包括：对所述顶部晶圆的顶面施加1N-3N的压力，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面通过分子间力吸引而贴合。在一个实施例中，所述热退火工艺的条件包括：退火温度为300℃-500℃；退火时间为1h-3h；退火气氛包括氮气。在一个实施例中，所述半导体装置包括背照式图像传感器。本申请实施例通过将贴合后的顶部晶圆和底部晶圆置于真空环境下一段时间，之后再进行退火工艺，减少了键合后的顶部晶圆和底部晶圆的边缘之间存在的气隙。通过以下参照附图对本申请的示例性实施例的详细描述，本申请的其它特征、方面及其优点将会变得清楚。附图说明附图构成本说明书的一部分，其描述了本申请的示例性实施例，并且连同说明书一起用于解释本申请的原理，在附图中：图1是根据本申请一个实施例的半导体装置的制造方法的流程图；图2是根据本申请另一个实施例的半导体装置的制造方法的流程图；图3A示出了顶部晶圆和底部晶圆贴合的示意图；图3B示出了将贴合后的顶部晶圆和底部晶圆置于真空环境的后的示意图。具体实施方式现在将参照附图来详细描述本申请的各种示例性实施例。应理解，除非另外具体说明，否则在这些实施例中阐述的部件和步骤的相对布置、数字表达式和数值不应被理解为对本申请范围的限制。此外，应当理解，为了便于描述，附图中所示出的各个部件的尺寸并不必然按照实际的比例关系绘制，例如某些层的厚度或宽度可以相对于其他层有所夸大。以下对示例性实施例的描述仅仅是说明性的，在任何意义上都不作为对本申请及其应用或使用的任何限制。对于相关领域普通技术人员已知的技术、方法和装置可能不作详细讨论，但在适用这些技术、方法和装置情况下，这些技术、方法和装置应当被视为本说明书的一部分。应注意，相似的标号和字母在下面的附图中表示类似项，因此，一旦某一项在一个附图中被定义或说明，则在随后的附图的说明中将不需要对其进行进一步讨论。专利技术人对键合后的晶圆之间存在气隙的问题进入了深入研究，发现：通常的熔融键合是靠作用于顶部晶圆中央的外力(例如针)使得两片要键合的晶圆从中央向四周贴合，而在贴合过程中，因为熔融键合过程太快而缺少方向性，使得晶圆边缘区域的熔融不够充分，导致空气排除不彻底，从而在键合后的晶圆的边缘区域之间存在整圈的气隙缺陷。据此，专利技术人提出了如下解决方案。图1是根据本申请一个实施例的半导体装置的制造方法的流程图。在步骤102，在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜。顶部晶圆例如可以为载体晶圆，而底部晶圆例如可以为器件晶圆。在一个实施例中，可以利用去离子水等对旋转的顶部晶圆的底面和旋转的底部晶圆的顶面进行清洗，从而形成水膜。优选地，清洗步骤的清洗条件可以包括：清洗时间为1min-5min，例如2min、3min、4min等；顶部晶圆和底部晶圆的旋转速率为1000转/分-3000转/分、例如1500转/分、2000转/分、2500转/分等。在步骤104，在形成水膜后，将顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面对准后贴合。优选地，可以在室温下对顶部晶圆的顶面施加1N-3N(例如2N等)的压力，以使得顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面通过分子间力吸引而贴合。在步骤106，将贴合后的顶部晶圆和底部晶圆置于真空环境下停留一段时间，以使释放顶部晶圆的边缘和底部晶圆的边缘之间的气泡。优选地，真空环境下的压强为0.0001mBar-0.1mBar，例如0.001mBar、0.01mBar等，上述压强范围下可以更好地释放晶圆的边缘之间的气泡，以使得键合后的晶圆的边缘之间的气隙进一步减少。更优选地，置于压强为0.0001mBar-0.1mBar的真空环境下停留的时间为0.5h-2h，例如1h、1.5h等。在步骤108，执行热退火工艺，以使得顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面熔融键合。在一个实施例中，顶部晶圆和底部晶圆为硅晶圆，热退火工艺可以实现Si-O-Si原子健的键合。优选地，热退火工艺的条件可以包括：退火温度为300℃-500℃，例如350℃、400℃、450℃等；退火时间为1h-3h，例如1.5h、2h、2.5h等；退火气氛包括氮气等。上述热退火工艺的条件有利于进一步减少键合后的晶圆的边缘之间的气隙。本实施例中，将贴合后的顶部晶圆和底部晶圆置于真空环境下一段时间，之后再进行退火工艺，减少了键合后的顶部晶圆和底部晶圆的边缘之间存在的气隙。图2是根据本申请另一个实施例的半导体装置的制造方法的流程图。下面仅重点介绍图2与图1所示实施例的不同之处，其他相关步骤可以参照上面的描述。在步骤202，对顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面进行亲水性处理。在一个实施例中，亲水性处理可以包括等离子体处理，等离子体处理可以激活顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面，从而使其具有亲水性。等离子体处理的处理条件优选包括以下条件：真空压强小于1mBar，例如0.5mBar、0.05mBar等；处理时间为15s-90s，例如30s、60s、80s等；功率为50W-200W，例如80W、100W、150W等；处理气氛包括氮气等。在步骤204，在亲水性处理后，在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜。在步骤206，在形成水膜后，将顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面对准后贴合。在步骤208，将贴合后的顶部晶圆和底部晶圆置于真空环境下停留一段时间。在步骤210，执行热退火工艺，以使得顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面熔融键合。步骤204-步骤210可以参见步骤102-步骤108的描述，在此不再赘述。本实施例本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜；在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下；执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：在顶部晶圆的底面和底部晶圆的顶面上形成水膜；在形成所述水膜后，将所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面贴合；将贴合后的所述顶部晶圆和所述底部晶圆置于真空环境下；执行热退火工艺，以使得所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面熔融键合。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述真空环境下的压强为0.0001mBar-0.1mBar。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，置于所述真空环境下停留的时间为0.5h-2h。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括：在形成所述水膜前，对所述顶部晶圆的底面和所述底部晶圆的顶面进行亲水性处理。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述亲水性处理包括等离子体处理。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，所述等离子体处理的处理条件包括：真空压强小于1mBar；处理时间为15s-90s；功率为50W-200W；处理气氛包...

【专利技术属性】
技术研发人员：施林波，陈福成，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31