树脂片及半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。本发明专利技术提供一种树脂片(1)，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片(1)，树脂片(1)具备第一支撑片(11)、及层叠在第一支撑片(11)的一面上的树脂组合物层(10)，第一支撑片(11)具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将第一支撑片(11)从树脂组合物层(10)上剥离时的、第一支撑片(11)的剥离静电压的绝对值小于200V。

Resin Sheet and Semiconductor Device

The invention provides a resin sheet which is not easy to generate stripping static electricity. The invention provides a resin sheet (1), which is a resin sheet (1) used for sealing or insulating film formation of electronic components in the manufacture of semiconductor devices using panel-level packaging. The resin sheet (1) has a first support sheet (11) and a resin composite layer (10) overlapped on one side of the first support sheet (11), and the first support sheet (11) has antistatic property, and will be peeled at a peeling speed of 10 m/min. The absolute value of the stripping static voltage of the first support sheet (11) when one support sheet (11) is stripped from the resin composite layer (10) is less than 200 V.

【技术实现步骤摘要】
树脂片及半导体装置
本专利技术涉及树脂片及使用该树脂片而制造的半导体装置。
技术介绍
近年来，对半导体封装的小型·薄型化的要求非常高。为了满足这样的要求，提出了一种扇出型的半导体封装。作为扇出型的半导体封装的制造方法，以300～700mm左右的方型基板尺寸制造的面板级的扇出封装技术(FOPLP)受到了关注。在FOPLP的半导体装置的制造方法中，例如相对于设置在支撑体上的电子元件层叠形成为片状的树脂组合物层后，通过树脂组合物层的加压而将电子元件埋入树脂组合物层。然后，通过使该树脂组合物层固化而将电子元件密封，然后，形成重新布线层。作为具备如上所述的树脂组合物层的树脂片，通常为了提高其加工和搬运时的操作性，有时使用具有在树脂组合物层上层叠有支撑片的构成的树脂片。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2015-126133号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题然而，将支撑片从上述树脂片上剥离时，有时会产生静电、且树脂组合物层及支撑片带电(以下有时称为“剥离静电”)。通常，半导体装置的制造方法中，虽然有时对所使用的设备实施抗静电措施，但是仅靠这样的抗静电措施无法充分地抑制上述的剥离静电。由于这样的剥离静电的产生在如上所述的FOPLP这样的、使用大面积的树脂片的半导体装置的制造中变得显著，因此当树脂片的剥离静电导致异物混入所得到的半导体装置时，有可能成为非常重大的问题。本专利技术是鉴于这样的实际情况而完成的，其目的在于提供一种不容易产生剥离静电的树脂片。此外，本专利技术提供一种使用了这样的树脂片的、具有良好质量的半导体装置。解决技术问题的技术手段为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种树脂片，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片，其特征在于，所述树脂片具备第一支撑片、及层叠在所述第一支撑片的一面上的树脂组合物层，所述第一支撑片具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将所述第一支撑片从所述树脂组合物层上剥离时的、所述第一支撑片的剥离静电压的绝对值小于200V(专利技术1)。上述专利技术(专利技术1)的树脂片中，通过使第一支撑片具有抗静电性，同时通过使第一支撑片的剥离静电压的绝对值为上述范围，不容易产生将第一支撑片从树脂片上剥离时的树脂组合物层的剥离静电，由此能够防止异物对树脂组合物层的附着，其结果，能够制造良好质量的半导体装置。在上述专利技术(专利技术1)中，优选所述树脂组合物层的表面的表面电阻率为1.0×1012Ω/sq以上(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术1、2)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的抗静电层(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的支撑基材(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的剥离剂层(专利技术5)。在上述专利技术(专利技术1～4)中，优选所述第一支撑片具备含有抗静电剂的粘着剂层(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术1～6)中，优选所述第一支撑片的表面电阻率为1×1011Ω/sq以下(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术1～7)中，优选所述树脂组合物层由含有热固化性树脂的树脂组合物形成(专利技术8)。在上述专利技术(专利技术1～8)中，优选所述树脂片具备层叠在所述树脂组合物层的与所述第一支撑片相反侧的面上的第二支撑片(专利技术9)。第二，本专利技术提供一种半导体装置，其特征在于，具备使上述树脂片(专利技术1～9)中的树脂组合物层固化而成的固化层(专利技术10)。专利技术效果本专利技术的树脂片不容易产生将第一支撑片从树脂片上剥离时的树脂组合物层的剥离静电，由此能够防止异物对树脂组合物层的附着。此外，使用本专利技术的这样的树脂片能够制造具有良好质量的半导体装置。附图说明图1是本专利技术的一个实施方式的树脂片的剖面图。图2是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。图3是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。图4是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。图5是显示本实施方式的第一支撑片的例子的剖面图。附图标记说明1：树脂片；10：树脂组合物层；11：第一支撑片；111：支撑基材；111’：含有抗静电剂的支撑基材；112：剥离剂层；112’：含有抗静电剂的剥离剂层；113：粘着剂层；113’：含有抗静电剂的粘着剂层；114：抗静电层；12：第二支撑片。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。[树脂片]图1示出了本实施方式的树脂片1的剖面图。如图1所示，本实施方式的树脂片1具备第一支撑片11、及层叠在第一支撑片11的一面上的树脂组合物层10。第一支撑片11具有抗静电性。而且，以剥离速度10m/分钟将第一支撑片11从树脂组合物层10上剥离时的、第一支撑片11的剥离静电压的绝对值小于200V。此外，如图1所示，优选本实施方式的树脂片1具备层叠在树脂组合物层10的与第一支撑片11相反侧的面上的第二支撑片12。1.树脂组合物层本实施方式中的树脂组合物层10具有固化性，通过使树脂组合物层10固化能够形成固化层。优选树脂组合物层10由含有热固化性树脂的树脂组合物形成。(1)热固化性树脂作为上述热固化性树脂，没有特别限定，例如可列举出环氧树脂、酚树脂、萘酚类树脂、活性酯类树脂、苯并噁嗪类树脂、氰酸酯类树脂等，它们能够单独使用1种或组合使用2种以上。上述环氧树脂能够使用公知的各种环氧树脂，具体而言，能够列举出双酚A、双酚F、间苯二酚、苯酚酚醛清漆、甲酚酚醛清漆等酚类的缩水甘油醚；丁二醇、聚乙二醇、聚丙二醇等醇类的缩水甘油醚；邻苯二甲酸、间苯二甲酸、四氢邻苯二甲酸等羧酸的缩水甘油醚；使用缩水甘油基取代键合于苯胺异氰脲酸酯等的氮原子的活性氢而成的缩水甘油基型或烷基缩水甘油基型的环氧树脂；如乙烯基环己烷二环氧化物、3,4-环氧环己基甲基-3,4-二环己烷羧酸酯、2-(3,4-环氧)环己基-5,5-螺(3,4-环氧)环己烷-间二噁烷等的、例如通过将分子内的碳-碳双键氧化而导入环氧基而成的所谓的脂环型环氧化物。此外，还能够使用具有联苯骨架、三苯基甲烷骨架、二环己二烯骨架、萘骨架等的环氧树脂。这些环氧树脂能够单独使用1种或组合使用2种以上。上述的环氧树脂中，优选使用双酚A的缩水甘油醚(双酚A型环氧树脂)、具有联苯骨架的环氧树脂(联苯型环氧树脂)、具有萘骨架的环氧树脂(萘型环氧树脂)或它们的组合。作为上述酚树脂，例如可列举出双酚A、四甲基双酚A、二烯丙基双酚A、联苯酚、双酚F、二烯丙基双酚F、三苯基甲烷型苯酚、四酚、酚醛清漆型苯酚、甲酚酚醛清漆树脂、具有联苯基芳烷基骨架的苯酚(联苯型苯酚)等，其中，优选使用联苯型苯酚。这些酚树脂能够单独使用1种或组合使用2种以上。另外，使用环氧树脂作为固化性树脂时，从与环氧树脂的反应性等的角度出发，优选同时使用酚树脂。树脂组合物中的热固化性树脂的含量优选为10质量％以上，特别优选为15质量％以上，进一步优选为20质量％以上。此外，该含量优选为60质量％以下，特别优选为50质量％以下，进一步优选为40质量％以下。通过使该含量为10质量％以上，树脂组合物层10的固化更加充分，能够将电子元件更坚固地密封。此外，通过使该含量为60质量％以下，能够进一步抑制树脂组合物层10在非预期阶段的固化，使保存稳定性更加优异。另外，热固化性树脂的上述含量为固体成分换算值。(2)热塑性树脂此本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种树脂片，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片，其特征在于，所述树脂片具备第一支撑片、及层叠在所述第一支撑片的一面上的树脂组合物层，所述第一支撑片具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将所述第一支撑片从所述树脂组合物层上剥离时的、所述第一支撑片的剥离静电压的绝对值小于200V。

【技术特征摘要】
2017.08.31 JP 2017-1665841.一种树脂片，其为在采用面板级封装的半导体装置的制造中，用于电子元件的密封或绝缘膜的形成的树脂片，其特征在于，所述树脂片具备第一支撑片、及层叠在所述第一支撑片的一面上的树脂组合物层，所述第一支撑片具有抗静电性，以剥离速度10m/分钟将所述第一支撑片从所述树脂组合物层上剥离时的、所述第一支撑片的剥离静电压的绝对值小于200V。2.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述树脂组合物层的表面的表面电阻率为1.0×1012Ω/sq以上。3.根据权利要求1所述的树脂片，其特征在于，所述第一支撑片具备含有抗静电剂的抗静电层。4.根据权利要求1所述的树脂片...

【专利技术属性】
技术研发人员：根津裕介，渡边康贵，杉野贵志，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP