A semiconductor structure and its forming method are described. After forming a stress layer in the fins on both sides of the gate structure, a barrier layer is formed on the side wall of the gate structure, and then a doping region is formed by first ion implantation into the fins below the stress layer. The ion implantation depth is deeper, so a higher ion implantation energy is required. Because the barrier layer blocks ion implantation near both sides of the gate structure, the damage of the gate structure caused by higher ion implantation energy is avoided, and the performance of the formed semiconductor structure is improved.
【技术实现步骤摘要】
半导体结构及其形成方法
本专利技术涉及半导体制造领域,特别涉及一种半导体结构及其形成方法。
技术介绍
随着半导体制造技术的飞速发展,半导体器件朝着更高元件密度,以及更高集成度的方向发展。晶体管作为最基本的半导体器件目前正被广泛应用,因此随着半导体器件元件密度和集成度的提高,平面晶体管的栅极尺寸也越来越小,传统的平面晶体管对沟道电流的控制能力变弱,产生短沟道效应,漏电流增大,最终影响半导体器件的电学性能。为了进一步缩小MOSFET器件的尺寸,人们发展了多面栅场效应晶体管结构,以提高MOSFET器件栅极的控制能力,抑制短沟道效应。其中,鳍式场效应晶体管(FinFET)就是一种常见的多面栅结构晶体管。FinFET中,栅极至少可以从两侧对超薄体(鳍部)进行控制,具有比平面MOSFET器件强得多的栅对沟道的控制能力,能够很好的抑制短沟道效应;且FinFET相对于其他器件,具有更好的现有的集成电路制作技术的兼容性。然而,现有技术所形成鳍式场效应管的电学性能有待进一步提高。
技术实现思路
本专利技术解决的问题是提供一种半导体结构及其形成方法,以改善所形成半导体结构的电学性能。为解决上述问题,本专利技术提供一种半导体结构的形成方法,包括:提供基底,所述基底包括衬底以及位于衬底上的多个鳍部;形成横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面;在所述栅极结构两侧的鳍部中形成应力层;在所述栅极结构的侧壁上形成阻挡层;以所述阻挡层为掩模,对所述应力层下方的鳍部进行第一离子注入形成掺杂区。可选的,所述半导体结构为N型器件,所述阻挡层的厚度在50埃~300埃的范围内;或 ...
【技术保护点】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底以及位于衬底上的多个鳍部;形成横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面;在所述栅极结构两侧的鳍部中形成应力层;在所述栅极结构的侧壁上形成阻挡层;以所述阻挡层为掩模,对所述应力层下方的鳍部进行第一离子注入形成掺杂区。
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的形成方法,其特征在于,包括:提供基底,所述基底包括衬底以及位于衬底上的多个鳍部;形成横跨所述鳍部的栅极结构,所述栅极结构覆盖鳍部的部分侧壁和顶部表面;在所述栅极结构两侧的鳍部中形成应力层;在所述栅极结构的侧壁上形成阻挡层;以所述阻挡层为掩模,对所述应力层下方的鳍部进行第一离子注入形成掺杂区。2.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述半导体结构为N型器件,所述阻挡层的厚度在50埃~300埃的范围内;或者,所述半导体结构为P型器件,所述阻挡层的厚度在50埃~250埃的范围内。3.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述阻挡层的材料是氧化硅。4.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,所述半导体结构为N型器件,所述第一离子注入的离子注入能量在2Kev~30Kev范围内,所述第一离子注入的离子包括砷元素;或者,所述半导体结构为P型器件,所述第一离子注入的离子注入能量在1Kev~10Kev范围内,所述第一离子注入的离子包括硼元素。5.如权利要求1所述的形成方法,其特征在于,在形成所述应力层之后,在形成所述阻挡层之前,所述形成方法还包括:在所述应力层及所述栅极结构上形成停止层。6.如权利要求5所述的形成方法,其特征在于,所述停止层的材料是氮化硅。7.如权利要求5所述的形成方法,其特征在于,所述停止层的厚度在60埃~200埃的范围内。8.如权利要求5所述的形成方法,其特征在于,所述半导体结构为N型器件,所述第一离子注入的离子注入能量在2Kev~30Kev的范围内,所述第一离子注入的离子包括砷元素;或者,所述半导体结构为P型器件,所述第一离子注入的离子注入能量在1Kev~10Kev的范围内,所述第一离子注入的离子包括硼元素。9.如权利要求5所述的形成方法,其特征在于,在形成所述掺杂区以后,所述形成方法还包括:去除阻挡层;在所述停止层上形成介质层;以所述停止层作为刻蚀...
【专利技术属性】
技术研发人员:周飞,
申请(专利权)人:中芯国际集成电路制造上海有限公司,中芯国际集成电路制造北京有限公司,
类型:发明
国别省市:上海,31
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