The invention discloses a method for forming fine Island patterns of semiconductor elements, which comprises: forming a first shield column on a hard shield layer on a substrate; forming an upper buffer shield layer to cover the first shield column on a hard shield layer; patterning an island on an upper buffer shield layer; separating each island into a sub-island; etching a buffer shield layer to form a second one on a hard shield layer. Shield pillar; etch the exposed part of hard shield layer exposed by the first shield pillar and the second shield pillar until the part of the substrate is etched; and remove the residual parts of the first shield pillar, the second shield pillar and the hard shield layer. Therefore, the fine island pattern forming method of the semiconductor element of the present invention can effectively form fine Island patterns with line width or diameter less than the minimum resolution of the microlithography process.
【技术实现步骤摘要】
半导体元件的精细岛状图案形成方法
本专利技术是有关于一种半导体元件的精细岛状图案形成方法。
技术介绍
随着半导体元件整合程度的增加,现已发展出各种线宽或直径小于光刻工艺最小解析度的形成精细岛状图案的双重图案化技术。大致上来说,现有两个主要双重图案化技术(DPT):双微影蚀刻(LELE)双重图案化技术以及自对准双重图案化(SADP)技术。双微影蚀刻在工艺开发以及设计流程实施上远较自对准双重图案化成熟,然而自对准双重图案化技术因为其在尖端-尖端(tip-tip)以及尖端-侧(tip-side)上较小的设计规范加上其自对准的本质,使其相较于双微影蚀刻双重图案化技术有较强的尺度变化潜力。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术的一目的在于提供一种半导体元件的精细岛状图案形成方法,该方法能够有效地形成线宽或直径小于微影工艺最小解析度的精细岛状图案。为了达到上述目的,依据本专利技术的一实施方式,一种半导体元件的精细岛状图案形成方法包含在基板上的硬遮罩层上形成第一遮罩柱;形成上缓冲遮罩层至硬遮罩层上以覆盖第一遮罩柱;对上缓冲遮罩层图案化岛状物;分离每个岛状物为次岛状物;蚀刻上缓冲遮罩层以在硬遮罩层上形成第二遮罩柱;蚀刻硬遮罩层由第一遮罩柱与第二遮罩柱所暴露的暴露部位,直到基板的部位被蚀刻;以及移除第一遮罩柱、第二遮罩柱以及硬遮罩层的残留部位。在本专利技术的一实施方式中,前述岛状物在硬遮罩层上的垂直投影是位于第一遮罩柱之间。在本专利技术的一实施方式中,前述形成第一遮罩柱的步骤包含基于阵列形成第一遮罩柱,其中阵列是由第一维度以及第二维度所组成。在本专利技术的一实施方式中,前述形成第 ...
【技术保护点】
1.一种半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,包含:在基板上的硬遮罩层上形成多个第一遮罩柱;形成上缓冲遮罩层至所述硬遮罩层上方以覆盖所述多个第一遮罩柱;对所述上缓冲遮罩层图案化多个岛状物;分离每个所述岛状物为多个次岛状物;蚀刻所述上缓冲遮罩层以在所述硬遮罩层上形成多个第二遮罩柱;蚀刻所述硬遮罩层由所述多个第一遮罩柱与所述多个第二遮罩柱所暴露的暴露部位,直到所述基板的部位被蚀刻;以及移除所述多个第一遮罩柱、所述多个第二遮罩柱以及所述硬遮罩层的残留部位。
【技术特征摘要】
2017.09.05 US 15/695,0271.一种半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,包含:在基板上的硬遮罩层上形成多个第一遮罩柱;形成上缓冲遮罩层至所述硬遮罩层上方以覆盖所述多个第一遮罩柱;对所述上缓冲遮罩层图案化多个岛状物;分离每个所述岛状物为多个次岛状物;蚀刻所述上缓冲遮罩层以在所述硬遮罩层上形成多个第二遮罩柱;蚀刻所述硬遮罩层由所述多个第一遮罩柱与所述多个第二遮罩柱所暴露的暴露部位,直到所述基板的部位被蚀刻;以及移除所述多个第一遮罩柱、所述多个第二遮罩柱以及所述硬遮罩层的残留部位。2.如权利要求1所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,所述多个岛状物位于所述硬遮罩层上的垂直投影是位于所述多个第一遮罩柱之间。3.如权利要求1所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,所述形成所述多个第一遮罩柱包含:基于阵列形成所述多个第一遮罩柱,其中所述阵列是由第一维度以及第二维度所组成。4.如权利要求3所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,所述形成所述多个第一遮罩柱包含:基于所述阵列等距形成所述多个第一遮罩柱。5.如权利要求4所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,所述图案化所述多个岛状物包含:基于阵列图案化所述多个岛状物,其中所述阵列是由所述第一维度以及第三维度所组成,其中所述多个岛状物位于所述硬遮罩层上的垂直投影以及所述多个第一遮罩柱是沿所述第一维度以及所述第三维度排列。6.如权利要求5所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,位于所述第一维度以及所述第二维度之间的夹角为60度,且位于所述第一维度以及所述第三维度之间的夹角为90度。7.如权利要求5所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法,其特征在于,所述分离所述多个岛状物包含:使每个所述岛状物的所述多个次岛状物沿所述第三维度排列。8.如权利要求5所述的半导体元件的精细岛状图案形成方法...
【专利技术属性】
技术研发人员:施信益,施江林,林智清,
申请(专利权)人:南亚科技股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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