一种NOR Flash的编程方法和编程装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种NOR Flash的编程方法和编程装置，方法包括：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；如果是，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接；对N个存储单元中其它存储单元进行编程；若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接；对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明专利技术仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

A Programming Method and Device of NOR Flash

The invention provides a programming method and a programming device for NOR Flash, which includes: when programming N storage units in NOR Flash, detecting whether the output voltage of the charge pump is less than the preset voltage; connecting the output terminal of the charge pump with the bit line of the N storage units, N is an integer greater than 1; and if so, disconnecting the bit line and the preset number of storage units in the N storage units. Connection of charge pump; Programming of other storage units in N storage units; If programming of other storage units in N storage units is successful, connecting the bit lines of preset storage units with the output of charge pump; Programming of preset storage units until programming of preset storage units is successful. When programming N storage units at the same time, even if the output voltage of the charge pump can not guarantee the successful programming at the same time, the invention can still guarantee the successful programming of the N storage units and improve the programming success rate.

【技术实现步骤摘要】
一种NORFlash的编程方法和编程装置
本专利技术涉及存储器
，特别是涉及一种NORFlash的编程方法和一种NORFlash的编程装置。
技术介绍
目前，在对NORFlash存储单元进行编程时，通常采用热电子注入的方式，该方式需要在存储单元的栅极端(WL，字线)和漏极端(BL，位线)加正高压，并从漏极端抽取一路电流。其中，NORFlash存储单元的阈值越低，字线电压越高，位线电压越高，从漏极端抽取的电流越大。为了提高编程效率，现有技术中的编程方法通常将N个存储单元作为1组，同时对N个存储单元进行编程，N越大，从漏极端抽取的电流越大。现有技术中的编程方法存在以下缺陷：为了将存储单元的阈值编程到目标值，需要维持足够高的字线电压和位线电压，若电源电压较低等原因造成给位线提供电压的电荷泵驱动能力太低，而无法提供N个存储单元同时编程时位线所需要的电流，位线电压可能会掉得比较低，使得擦除后的存储单元无法被编程，存储单元的阈值一直维持在较低值，导致编程失败。
技术实现思路
鉴于上述问题，本专利技术实施例的目的在于提供一种NORFlash的编程方法和一种NORFlash的编程装置，以解决现有技术中的编程方法中在给位线提供电压的电荷泵驱动能力低时编程失败的问题。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种NORFlash的编程方法，包括以下步骤：在对NORFlash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；如果是，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。可选地，在所述对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：对编程之后的存储单元进行校验；若校验成功，则确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。可选地，在对NORFlash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。可选地，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。可选地，所述预设数量小于或等于N/2。为了解决上述问题，本专利技术实施例公开了一种NORFlash的编程装置，其特征在于，包括：检测模块，在对NORFlash中N个存储单元进行编程时，用于检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；断开连接模块，用于在所述电荷泵的输出端电压小于所述预设电压时，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；第一编程模块，对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；连接模块，若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；第二编程模块，用于对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。可选地，在所述第一编程模块对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述连接模块将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：校验模块，用于对编程之后的存储单元进行校验；编程成功确定模块，若所述校验模块校验成功，则用于确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。可选地，在对NORFlash中N个存储单元进行编程预设时间后，所述检测模块检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。可选地，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。可选地，所述预设数量小于或等于N/2。本专利技术实施例包括以下优点：在对NORFlash中N个存储单元进行编程过程中，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压，其中，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数，若电荷泵的输出端电压小于预设电压，即电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，则断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接，先对N个存储单元中其它存储单元进行编程，当N个存储单元中其它存储单元编程成功时，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。这样，在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本专利技术仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。附图说明图1是本专利技术的一种NORFlash的编程方法实施例的步骤流程图；图2是本专利技术的一种NORFlash的编程方法具体实施例的波形示意图；图3是本专利技术的另一种NORFlash的编程方法实施例的步骤流程图；图4是本专利技术的一种NORFlash的编程装置实施例的结构框图；图5是本专利技术的另一种NORFlash的编程装置实施例的结构框图。具体实施方式为使本专利技术的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细的说明。实施例一参照图1，示出了本专利技术的一种NORFlash的编程方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：步骤S10，在对NORFlash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数。具体地，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接后，电荷泵为N个存储单元的位线同时提供电流。其中，电荷泵的输出端电压小于预设电压时，说明电荷泵驱动能力低，无法提供N个存储单元同时编程时位线所需要的电流，N个存储单元的位线电压无法达到目标值，N个存储单元无法同时成功编程，进入步骤S20。步骤S20，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接。步骤S20中，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接后，仅N个存储单元中其它存储单元的位线与电荷泵的输出端连接。这样，电荷泵仅需提供N个存储单元中其它存储单元同时编程时位线所需要的电流，大大降低了对电荷泵驱动能力的需求，N个存储单元中其它存储单元的位线电压可以达到目标值，便于对N个存储单元中其它存储单元成功编程。具体地，预设数量可以根据确保电荷泵可以提供N个存储单元中其它存储单元同时编程时位线所需要的电流和确保电荷泵可以提供预设数量个存储单元同时编程时位线所需要的电流为准进行设置。步骤S30，对N个存储单元中其它存储单元进行编程。步骤S40，若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接。其中，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，电荷泵向预设数量个存储单元提供同时编程时位线所需要的电流。步骤S50，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。在本专利技术的一个具体实施例中，N个存储单元中预设数量个存储单元的位线可以通过第一开关与电荷泵的输出端连接，N个存储单元中其它存储单元的位线可以通过第二开关与电荷泵本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种NOR Flash的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；如果是，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。

【技术特征摘要】
1.一种NORFlash的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：在对NORFlash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；如果是，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，在所述对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：对编程之后的存储单元进行校验；若校验成功，则确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。3.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，在对NORFlash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。4.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。5.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述预设数量小于或等于N/2。6.一种NORFlash的编程装置，其特征在于，包括：检测模块，在对NORFlash中N个存...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈晓璐，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11