动态随机存取存储器及其操作方法技术

本公开提供一种动态随机存取存储器(dynamic random access memory，DRAM)及其操作方法。该DRAM包括一第一更新单元、一第二更新单元、一控制元件。该第一更新单元具有一第一数量的有效数据。该第二更新单元具有一第二数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据小于该第一数量的有效数据。该控制元件经配置以判断出该第一更新单元具有比该第二更新单元更多量的有效数据、将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元、并且停止更新有效数据在之前已被移动到该第一更新单元的该第二更新单元。

Dynamic Random Access Memory and Its Operation

The present disclosure provides a dynamic random access memory (DRAM) and its operation method. The DRAM includes a first update unit, a second update unit and a control element. The first update unit has a first number of valid data. The second update unit has a second number of valid data, in which the second number of valid data is less than the first number of valid data. The control element is configured to determine that the first update unit has more valid data than the second update unit, moves the valid data of the second update unit to the first update unit, and stops updating the valid data which has been moved to the second update unit before.

【技术实现步骤摘要】
动态随机存取存储器及其操作方法本公开主张2017年8月23日申请的美国正式申请案第15/684,524号的优先权及益处，该美国正式申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本公开关于一种动态随机存取存储器及其操作方法，尤其是指动态随机存取存储器的存储操作方法。
技术介绍
动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)是一种随机存取存储器的形态。该种形态的随机存取存储器将每个位元的数据存储在单独的电容器中。最简单的DRAM单元包括单个N型金属氧化物半导体(n-typemetal-oxide-semiconductor，NMOS)晶体管和单个电容器。如果电荷存储在电容器中，则根据所使用的惯例，该单元被称为存储逻辑高。如果不存在电荷，则称该单元存储逻辑低。由于电容器中的电荷随时间消耗，因此DRAM系统需要额外的更新电路来周期性地更新存储在电容器中的电荷。由于电容器只能存储非常有限的电荷量，为了快速区分逻辑1和逻辑0之间的差异，通常每个位元使用两个位元线(bitline，BL)，其中位元线对中的第一位被称为位线真(bitlinetrue，BLT)，另一个是位元线补数(bitlinecomplement，BLC)。单个NMOS晶体管的栅极由字元线(wordline，WL)控制。上文的“现有技术”说明仅是提供
技术介绍
，并未承认上文的“现有技术”说明公开本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。
技术实现思路
本公开的一实施例中，提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)。该DRAM包括一第一更新单元、一第二更新单元、一控制元件。该第一更新单元具有一第一数量的有效数据。该第二更新单元具有一第二数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据小于该第一数量的有效数据。该控制元件经配置以判断出该第一更新单元具有比该第二更新单元更多量的有效数据、将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元、并且停止更新有效数据在之前已被移动到该第一更新单元的该第二更新单元。在本公开的一些实施例中，该控制元件经配置以继续更新该第一更新单元，其中该第一更新单元存储一被移动的有效数据，其中该第一更新单元，因应于该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元，存储该被移动的有效数据。在本公开的一些实施例中，该控制元件经配置以，通过向该第一更新单元提供相同于该第二更新单元的有效数据，将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元。在本公开的一些实施例中，该控制元件经配置以，在更新该第二更新单元的期间，将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元中。在本公开的一些实施例中，该控制元件经配置以建立一更新关系，以及当该控制元件要存取一被移动的有效数据时，基于该更新关系存取该第一更新单元，其中该第一更新单元，因应于该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元，存储该被移动的有效数据，以及其中该更新关系指的是一逻辑地址及关联于该被移动的有效数据的一更新实体地址之间的关系。在本公开的一些实施例中，当该控制元件建立该更新关系时，该控制元件移除一关系，该关系指的是该逻辑地址及关联于该第二更新单元的有效数据的一初始实体地址的关系。在本公开的一些实施例中，该DRAM还包括一第三更新单元。该第三更新单元具有一第三数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据大于该第三数量的有效数据。该控制元件还经配置以判断出该第一更新单元具有最大数量的有效数据。当该控制元件判断出该第一更新单元的容量足以存储一全部的该第二更新单元的有效数据及该第三更新单元的有效数据时，该控制元件将该全部的该第二更新单元的有效数据及该第三更新单元的有效数据移至该第一更新单元、停止更新该第二更新单元和第三更新单元、并继续更新该第一更新单元。在本公开的一些实施例中，该DRAM还包括一第三更新单元。该第三更新单元具有一第三数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据大于该第三数量的有效数据。该控制元件还经配置以判断出该第一更新单元具有最大数量的有效数据，以及该第二更新单元具有次大数量的有效数据。当该控制元件判断出该第一更新单元具有足够的容量来存储仅有一全部的该第三更新单元的有效数据时，该控制元件将该全部的该第三更新单元的有效数据移动到该第一更新单元、停止更新该第三更新单元、以及继续更新该第一更新单元和该第二更新单元。在本公开的一些实施例中，该DRAM还包括一第三更新单元。该第三更新单元具有一第三数量的有效数据，其中该第三数量的有效数据小于该第二数量的有效数据。该控制元件还经配置以判断出该第一更新单元具有最大数量的有效数据，以及该第二更新单元具有次大数量的有效数据。当该控制元件判断该第一更新单元的容量不足以存储仅一全部的该第三更新单元的有效数据时，该控制元件将该全部的该第三更新单元的有效数据的一部分移入该第一更新单元、将该全部的该第三更新单元的有效数据的一剩余部分移入该第二更新单元、停止更新该第三更新单元、继续更新该第一更新单元和该第二更新单元。本公开的另一实施例中，提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)。该DRAM包括一第一更新单元、一第二更新单元、一第三更新单元、一控制元件。该第一更新单元具有一第一数量的有效数据。该第二更新单元具有一第二数量的有效数据。该第三更新单元具有一第三数量的有效数据。该控制元件，经配置以基于该第一数量、该第二数量和该第三数量判断出该第一更新单元、该第二更新单元和该第三更新单元中的哪一个做为一目的地更新单元，其中另外两个更新单元的有效数据被移动至该目的地更新单元；经配置以基于该第一数量、该第二数量和该第三数量判断该另外两个更新单元中的一者的有效数据相较于该另外两个更新单元中的另一者具有被移动至该目的地更新单元的一较高优先权；经配置以基于该等判断对该第一更新单元、该第二更新单元和该第三更新单元执行一集中操作；经配置以继续更新该目的地更新单元；以及，经配置以停止更新未被识别为该目的地更新单元的该另外两个更新单元。在本公开的一些实施例中，当该第一数量的有效数据大于该第二数量的有效数据与该第三数量的有效数据时，该控制元件判断该第一更新单元为该目的地更新单元。在本公开的一些实施例中，当该第二数量的有效数据大于该第三数量的有效数据时，该控制元件判断该第三更新单元的有效数据的优先权高于该第二更新单元的有效数据。本公开的又另一实施例中，提供一种动态随机存取存储器(dynamicrandomaccessmemory，DRAM)的操作方法。该操作方法包括：判断出一第一更新单元具有比一第二更新单元更多的有效数据量；将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元；以及停止更新其有效数据被移动到该第一更新单元的该第二更新单元。在本公开的一些实施例中，该操作方法还包括：更新该第一更新单元，该第一更新单元存储一被移动的有效数据，其中该第一更新单元，因应于该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元，存储该被移动的有效数据。在本公开的一些实施例中，将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元的该操作包括：通过向该第一更新单元提供相同本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种动态随机存取存储器，包括：一第一更新单元，具有一第一数量的有效数据；一第二更新单元，具有一第二数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据小于该第一数量的有效数据；以及一控制元件，经配置以判断出该第一更新单元具有比该第二更新单元更多量的有效数据、将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元、并且停止更新其有效数据在之前已被移动到该第一更新单元的该第二更新单元。

【技术特征摘要】
2017.08.23 US 15/684,5241.一种动态随机存取存储器，包括：一第一更新单元，具有一第一数量的有效数据；一第二更新单元，具有一第二数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据小于该第一数量的有效数据；以及一控制元件，经配置以判断出该第一更新单元具有比该第二更新单元更多量的有效数据、将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元、并且停止更新其有效数据在之前已被移动到该第一更新单元的该第二更新单元。2.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件经配置以继续更新该第一更新单元，其中该第一更新单元存储一被移动的有效数据，其中该第一更新单元，因应于该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元，存储该被移动的有效数据。3.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件经配置以，通过向该第一更新单元提供相同于该第二更新单元的有效数据，将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元。4.如权利要求3所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件经配置以，在更新该第二更新单元的期间，将该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元中。5.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，其中该控制元件经配置以建立一更新关系，以及当该控制元件要存取一被移动的有效数据时，基于该更新关系存取该第一更新单元，其中该第一更新单元，因应于该第二更新单元的有效数据移动到该第一更新单元，存储该被移动的有效数据，以及其中该更新关系指的是一逻辑地址及关联于该被移动的有效数据的一更新实体地址之间的关系。6.如权利要求5所述的动态随机存取存储器，其中当该控制元件建立该更新关系时，该控制元件移除一关系，该关系指的是该逻辑地址及关联于该第二更新单元的有效数据的一初始实体地址的关系。7.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括：一第三更新单元，具有一第三数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据大于该第三数量的有效数据，其中该控制元件还经配置以判断出该第一更新单元具有最大数量的有效数据，其中当该控制元件判断出该第一更新单元的容量足以存储一全部的该第二更新单元的有效数据及该第三更新单元的有效数据时，该控制元件将该全部的该第二更新单元的有效数据及该第三更新单元的有效数据移至该第一更新单元、停止更新该第二更新单元和第三更新单元、并继续更新该第一更新单元。8.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括：一第三更新单元，具有一第三数量的有效数据，其中该第二数量的有效数据大于该第三数量的有效数据，其中该控制元件还经配置以判断出该第一更新单元具有最大数量的有效数据，以及该第二更新单元具有次大数量的有效数据，其中当该控制元件判断出该第一更新单元具有足够的容量来存储仅有一全部的该第三更新单元的有效数据时，该控制元件将该全部的该第三更新单元的有效数据移动到该第一更新单元、停止更新该第三更新单元、以及继续更新该第一更新单元和该第二更新单元。9.如权利要求1所述的动态随机存取存储器，还包括：一第三更新单元，具有一第三数量的有效数据，其中该第三数量的有效数据小于该第二数量的有效数据，其中，该控制元件还经配置以判断出该第一更新单元具有最大数量的有效数据，以及该第二更新单元具有次大数量的有效数据，其中当该控制元件判断该第一更新单元的容量不足以存储仅一全部的该第三更新单元的有效数据时，该控制元件将该全部的该第三更新单元的有效数据的一部分移入该第一更新单元、将该全部的该第三更新单元的有效数据的一剩余部分移入该第二更新单元、停止更新该第三更新单元、继续更新该第一更新单元和该第二更新单元。10.一种动态随机存取存储器，包括：一第一更新单元，具有一第一数量的有效数据；一第二更新单元，具有一第二数量的有效数据；一第三更新单元，具有一第三数量的有效数据；以及一控制元件，经配置以基于该第一数量、该第二数量和该第三数量判断出该第一更新单元、该第二更新单元和该第三更新单元中的哪一个做为一目的地更新单元，其中另外两个更新单元...

【专利技术属性】
技术研发人员：李忠勋，刘献文，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71