细胞培养基体及其制作方法、细胞膜片分离方法技术

一种细胞培养基体，其包括一柱状基底及形成于所述柱状基底的外壁上的光致断裂层，所述光致断裂层包括多个化学结构式为

Cell Culture Matrix and Its Manufacturing Method and Cell Membrane Separation Method

A cell culture matrix comprises a columnar base and a photoinduced fracture layer formed on the outer wall of the columnar base. The photoinduced fracture layer comprises a plurality of chemical structures.

【技术实现步骤摘要】
细胞培养基体及其制作方法、细胞膜片分离方法
本专利技术涉及一种细胞培养基体，还涉及一种上述细胞培养基体的制作方法及应用上述细胞培养基体的细胞膜片分离方法。
技术介绍
在现有技术中，通常采用温度敏感型细胞培养板来培养细胞，该种细胞培养板通常采用在聚苯乙烯基板上枝接聚N-异丙基丙烯酰胺的方式形成，当细胞培养结束后，需改变整个细胞培养板的温度使枝接的聚N-异丙基丙烯酰胺形变，从而进行细胞分离。但是，温度的改变往往会损伤细胞的活性和品质。因此，有必要提供一种能够在细胞与细胞培养板分离时保证细胞的活性和品质的细胞培养板。
技术实现思路
本专利技术旨在提供一种能够在细胞与细胞培养板分离时保证细胞的活性和品质的细胞培养基体。本专利技术还提供一种上述细胞培养基体的制作方法，以及一种应用上述细胞培养基体的细胞分离方法。一种细胞培养基体，所述细胞培养基体包括一柱状基底及形成于所述柱状基底的外壁上的光致断裂层，所述光致断裂层包括多个化学结构式为的光致断裂基团，其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯烃基，R5基团、R6基团及R7基团为氢基及烷烃基中的一种，所述光致断裂基团通过酰氨基键接于所述外壁。一种细胞培养基体的制作方法，其包括以下步骤：提供一柱状基底；对所述柱状基底的外壁进行表面处理，使所述外壁上键接多个氨基；提供多个化学结构式为的光致断裂化合物，并使所述光致断裂化合物与所述外壁上的氨基反应形成光致断裂层，从而得到所述细胞培养基体，其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯烃基，R5基团、R6基团及R7基团为氢基及烷烃基中的一种，所述光致断裂层包括多个化学结构式为的光致断裂基团。一种细胞膜片分离方法，其包括以下步骤：提供一细胞培养基体，所述细胞培养基体包括一柱状基底及形成于所述柱状基底的外壁上的光致断裂层，所述光致断裂层包括多个化学结构式为的光致断裂基团，其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯烃基，R5基团、R6基团及R7基团为氢基及烷烃基中的一种，所述光致断裂基团通过酰氨基键接于所述外壁；在所述细胞培养基体上培养细胞以使得细胞沿所述光致断裂层远离所述所述柱状基底的表面形成一细胞层；对上述带有细胞层的细胞培养基体进行光照，所述光致断裂基团在光照下断键，使得所述细胞层与所述柱状基底分离而得到筒状的细胞膜片。本专利技术的细胞培养基体，其柱状基底的外壁上形成有光致断裂层，细胞在所述光致断裂层上培养，当细胞培养成细胞层后，通过光照使得所述光致断裂层断裂，从而将细胞层和所述细胞培养基体分离，有利于在细胞与细胞培养板分离时保证细胞的活性和品质。附图说明图1是本专利技术实施方式提供的细胞培养基体的结构示意图。主要元件符号说明细胞培养基体100柱状基底10外壁11光致断裂层13如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本专利技术。具体实施方式请参阅图1，本专利技术较佳实施方式提供一种细胞培养基体100，其包括一柱状基底10及形成于所述柱状基底10的外壁11上的光致断裂层13。所述柱状基底10的材质为聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶，且所述柱状基底10还包括若干银纳米粒子，所述银纳米粒子分散在所述聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶中。本实施方式中，所述柱状基底10大致呈圆柱状。所述聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶在温度高于或等于32摄氏度时将脱水萎缩，从而使得所述柱状基底10的体积缩小。所述光致断裂层13包括若干光致断裂基团，所述光致断裂基团通过酰氨基键接于所述外壁11。所述光致断裂基团的化学结构式为其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯烃基，R5基团、R6基团及R7基团分别为氢基及烷烃基中的一种。在光照下，所述光致断裂基团中硝基邻位上的酯基断键，反应原理如下：在其他实施方式中，所述R2基团还可包括硫基，例如所述R2基团可选自包含硫基的天然高分子基团或包含硫基的合成高分子基团，所述天然高分子基团选自骨胶原基团、玻尿酸基团、促进细胞功能化的蛋白质基团及促进细胞功能化的多肽基团中的至少一种。优选的，所述R1基团为丙烷基，R2基团为乙烯基，R3基团为甲基，R5基团及R6基团为氢基，即，光致断裂基团的化学结构式为本专利技术较佳实施方式还提供一种上述细胞培养基体100的制作方法，其包括以下步骤：步骤S11，提供一柱状基底10。所述柱状基底10的材质为聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶，且所述柱状基底10还包括若干银纳米粒子，所述银纳米粒子分散在所述聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶中。步骤S12，对所述柱状基底10的外壁11进行表面处理，使所述外壁11上键接若干氨基。具体的，可以采用氨基硅烷类物质对所述柱状基底10的外壁11进行表面处理以在所述外壁11上键接氨基，如采用氨丙基三甲氧基硅烷处理所述外壁11，也可以等离子合成的方式在所述外壁11上键接氨基。步骤S13，提供若干光致断裂化合物并使得所述光致断裂化合物与所述外壁11上的氨基反应形成光致断裂层13，从而得到所述细胞培养基体100。其中，所述光致断裂化合物的化学结构式为其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯烃基，R5基团、R6基团及R7基团为氢基及烷烃基中的一种。所述光致断裂层13包括若干化学结构式为的光致断裂基团。在其他实施方式中，所述细胞培养基体100的制作方法还可包括使步骤S13制得的光致断裂层13中的R2基团与骨胶原基团、玻尿酸基团、促进细胞功能化的蛋白质基团及促进细胞功能化的多肽基团中的至少一种键接。本专利技术较佳实施方式还提供一种细胞膜片分离方法，其包括以下步骤：步骤S21，提供所述细胞培养基体100。步骤S22，在上述细胞培养基体100上培养细胞以使得细胞沿所述光致断裂层13远离所述所述柱状基底10的表面形成一细胞层(图未示)。步骤S23，对上述带有细胞层的细胞培养基体100进行光照，使所述光致断裂基团在光照下断键，从而使得所述细胞层与所述柱状基底10的外壁11之间断开，以便于将所述细胞层从所述柱状基底10上分离得到筒状的细胞膜片。而且，在光照下，所述所述柱状基底10中的银纳米粒子吸收热量，使得所述柱状基底10的温度高于或等于32摄氏度，从而使得所述柱状基底10脱水萎缩减小体积，从而更加有利于将所述细胞层从所述柱状基底10上分离得到筒状的细胞膜片。本专利技术的细胞培养基体100，其柱状基底10的外壁11上形成有光致断裂层13，细胞在所述光致断裂层13上培养，当细胞培养成细胞层后，通过光照使得所述光致断裂层13断裂，从而将细胞层和所述细胞培养基体100分离，有利于在细胞与细胞培养板分离时保证细胞的活性和品质。另外，由于所述柱状基底10的材质为聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶，且聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶中分散有银纳米粒子，在光照下所述银纳米粒子吸收热量使得所述聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶的温度高于或等于32摄氏度，所述柱状基底10体积缩小，更加便于分离细胞层和所述细胞培养基体100。以上所述，仅是本专利技术的较佳实施方式而已，并非对本专利技术任何形式上的限制，虽然本专利技术已是较佳实施方式揭露如上，并非用以限定本专利技术，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本专利技术技术方案范围内，当可利用上述揭示的
技术实现思路
做出些许更动或修饰为等同变化的等效实本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种细胞培养基体，其特征在于，所述细胞培养基体包括一柱状基底及形成于所述柱状基底的外壁上的光致断裂层，所述光致断裂层包括多个化学结构式为

【技术特征摘要】
1.一种细胞培养基体，其特征在于，所述细胞培养基体包括一柱状基底及形成于所述柱状基底的外壁上的光致断裂层，所述光致断裂层包括多个化学结构式为的光致断裂基团，其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯烃基，R5基团、R6基团及R7基团为氢基及烷烃基中的一种，所述光致断裂基团通过酰氨基键接于所述外壁。2.如权利要求1所述的细胞培养基体，其特征在于，所述柱状基底的材质为聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶，所述聚(N-异丙基丙烯酰胺)水凝胶中分散有多个银纳米粒子。3.如权利要求1所述的细胞培养基体，其特征在于，所述R2基团选自包含硫基的天然高分子基团或包含硫基的合成高分子基团，所述天然高分子基团选自骨胶原基团、玻尿酸基团、促进细胞功能化的蛋白质基团及促进细胞功能化的多肽基团中的至少一种。4.如权利要求1所述的细胞培养基体，其特征在于，所述光致断裂基团的化学结构式为5.一种细胞培养基体的制作方法，其包括以下步骤：提供一柱状基底；对所述柱状基底的外壁进行表面处理，使所述外壁上键接多个氨基；提供多个化学结构式为的光致断裂化合物，并使所述光致断裂化合物与所述外壁上的氨基反应形成光致断裂层，从而得到所述细胞培养基体，其中，R1基团及R3基团为烷烃基，R2基团至少包括烷烃基或烯...

【专利技术属性】
技术研发人员：简秀纹，
申请(专利权)人：鸿富锦精密工业深圳有限公司，鸿海精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44