带开关防反接电路制造技术

本发明专利技术公开了一种带开关防反接电路，包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，电源连接于所述第一MOS管的漏级，且所述第一MOS管的栅极通过开关接地；电源连接于所述第二MOS管的漏级，且所述第二MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极。该带开关防反接电路，既能实现开关和防反接保护功能，又能保证功率损耗最小。

Anti-backconnection circuit with switch

The invention discloses a switching anti-backconnection circuit, which comprises a first MOS transistor and a second MOS transistor, in which a power supply is connected to the leak stage of the first MOS transistor and the gate of the first MOS transistor is grounded by a switch; a power supply is connected to the leak stage of the second MOS transistor, and the gate of the second MOS transistor is connected to the gate of the first MOS transistor. The anti-backconnection circuit with switch not only realizes the function of switch and anti-backconnection protection, but also ensures the minimum power loss.

【技术实现步骤摘要】
带开关防反接电路
本专利技术涉及带开关防反接电路。
技术介绍
随着技术的快速发展，市场对电路的微型化、功耗及使用可靠性提出更高的要求，尤其是军工行业，电路既需要简单，又需要满足功能要求，电路硬件设计迎来了更大的挑战。产品不仅需要独立控制外部输入的直流稳压电源，而且当电源的正负极反接时，不会因为产品的反向电压导致产品损坏。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种带开关防反接电路，该带开关防反接电路，既能实现开关和防反接保护功能，又能保证功率损耗最小。为了实现上述目的，本专利技术提供了一种带开关防反接电路，该带开关防反接电路包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，电源连接于所述第一MOS管的漏级，且所述第一MOS管的栅极通过开关接地；电源连接于所述第二MOS管的漏级，且所述第二MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极。优选地，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连。优选地，所述所述第一MOS管的源极通过并联的电容和电阻连接于所述第一MOS管的栅极。优选地，所述所述第二MOS管的源极通过并联的电容和电阻连接于所述第二MOS管的栅极。优选地，所述第一MOS管和所述第二MOS管为高压功率型MOS管。优选地，所述第二MOS管的VGS设置为-10V。根据上述技术方案，本专利技术的方案包含三个功能，即电源开关控制、防反接电路和低损耗。所述的电源开关控制用于控制外部电源输入至产品的开关。所述的防反接电路用于电源正负极接反时保护后续电路。所述的低功耗用于降低产品功耗。本专利技术的其他特征和优点将在随后的具体实施方式部分予以详细说明。附图说明附图是用来提供对本专利技术的进一步理解，并且构成说明书的一部分，与下面的具体实施方式一起用于解释本专利技术，但并不构成对本专利技术的限制。在附图中：图1是说明本专利技术的一种带开关防反接电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本专利技术的具体实施方式进行详细说明。应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本专利技术，并不用于限制本专利技术。本专利技术一种带开关防反接电路，该带开关防反接电路包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，电源连接于所述第一MOS管的漏级，且所述第一MOS管的栅极通过开关接地；电源连接于所述第二MOS管的漏级，且所述第二MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极。可以有效的控制电源输入开关控制。可以实现防反接功能。可以实现极低的功率损耗。方便实现微型化电路。在本专利技术的一种具体实施方式中，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连。在本专利技术的一种具体实施方式中，所述所述第一MOS管的源极通过并联的电容和电阻连接于所述第一MOS管的栅极。在本专利技术的一种具体实施方式中，所述所述第二MOS管的源极通过并联的电容和电阻连接于所述第二MOS管的栅极。在本专利技术的一种具体实施方式中，所述第一MOS管和所述第二MOS管为高压功率型MOS管。在本专利技术的一种具体实施方式中，所述第二MOS管的VGS设置为-10V。本专利技术的设计原理：(1)开关的两端不直接串接在28V电源线上实现开关功能，串接在MOS管的栅极之间，这样流过开关两端的电流非常小，对开关的选用降低了要求。(2)Q1的P沟道MOS管起到防反接作用，当开关闭合状态、+28V和GND接反时，Q1的MOS管处于关闭状态，电路没有回路，后续电路不能工作，起到保护作用。(3)Q1的MOS内部有体二极管，所以该MOS管的开关无法控制，因此引入Q2的P沟道MOS管，该MOS管在VGS达到开启电压后即可导通，可以实现开关功能。2、参数选取：(1)P沟道的MOS可以选用SO-8FL封装(大小仅为5mm×6mm)，低导通电阻(VGS＝-10V时7.7m欧)的高压功率型MOS管，推荐ONSemiconductor公司的NVMFS5A160PLZT1G型号MOS管。(2)为保证两个MOS管能完全导通，VGS设置在-10V左右，且在开关处加电容做缓开启功能，保护MOS管。(3)损耗计算电源负载按照1A计算，Q1，Q2电流2A左右，总计损耗约0.028W，损耗极小。如果使用二极管串接实现反接，二极管压降按照最小0.3V计算，二极管上的损耗就达到0.6W。因此，本设计相对比较节省功耗且简单易实现。以上结合附图详细描述了本专利技术的优选实施方式，但是，本专利技术并不限于上述实施方式中的具体细节，在本专利技术的技术构思范围内，可以对本专利技术的技术方案进行多种简单变型，这些简单变型均属于本专利技术的保护范围。另外需要说明的是，在上述具体实施方式中所描述的各个具体技术特征，在不矛盾的情况下，可以通过任何合适的方式进行组合，为了避免不必要的重复，本专利技术对各种可能的组合方式不再另行说明。此外，本专利技术的各种不同的实施方式之间也可以进行任意组合，只要其不违背本专利技术的思想，其同样应当视为本专利技术所公开的内容。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种带开关防反接电路，其特征在于，该带开关防反接电路包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，电源连接于所述第一MOS管的漏级，且所述第一MOS管的栅极通过开关接地；电源连接于所述第二MOS管的漏级，且所述第二MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极。

【技术特征摘要】
1.一种带开关防反接电路，其特征在于，该带开关防反接电路包括：第一MOS管和第二MOS管；其中，电源连接于所述第一MOS管的漏级，且所述第一MOS管的栅极通过开关接地；电源连接于所述第二MOS管的漏级，且所述第二MOS管的栅极连接于所述第一MOS管的栅极。2.根据权利要求1所述的带开关防反接电路，其特征在于，其特征在于，所述第一MOS管的源极和所述第二MOS管的源极相连。3.根据权利要求1所述的带开关防反接电路，其特征在于，其特征在于，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：吴豪杰，黄荣园，
申请(专利权)人：中航华东光电有限公司，
类型：发明
国别省市：安徽,34