The invention discloses an encapsulation structure and a encapsulation method of a surface acoustic filter chip, which belongs to the field of semiconductor chip encapsulation technology. The SAW filter chip includes a SAW filter chip, a metal connection block, a multi-layer metal rewiring layer, an encapsulation material layer and a metal block/layer. The metal connection block is located outside the functional area of the chip and is fixed with a multi-layer metal rewiring layer. The SAW filter chip is inverted connected with a metal block/layer above the multi-layer metal rewiring layer through a metal connection block and electrically connected with the metal block/layer above the multi-layer metal rewiring layer. Signals are transmitted downward; metal blocks/layers are wrapped with encapsulating materials to form encapsulation layers on the multilayer metal re-wiring layers; SAW filter chips are encapsulated with a diaphragm-like encapsulation film through lamination process, and a cavity is formed above the encapsulation layer and below the SAW filter chip, and the chip functional area is placed in the cavity. The invention reduces the technological difficulty in making and improves the yield of SAW filter.
【技术实现步骤摘要】
一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法
本专利技术涉及一种声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法,属于半导体芯片封装
技术介绍
声表面波滤波器是移动通讯终端产品的重要部件,原材料是采用压电晶体制作而成。随着移动终端的小型化、低成本化,对声表面波滤波器的封装要求也相应的提高了。同时因声表面波滤波器产品性能和设计功能需求,需要保证滤波芯片功能区域不能接触任何物质,即空腔结构设计。基于声表面波滤波器对封装结构中空腔结构的需求,以及空腔表面平整度和洁净度的要求,传统的声表面波滤波器大多采用陶瓷基板封装结合热压超声焊接的方式进行封装。如图1所示,在陶瓷基板2上设有镀金焊盘3,在焊盘3上设有锡膏层4,在焊盘3周围的陶瓷基板2上设有绝缘层5;在芯片1的焊接面植有金球6,芯片1通过金球6与锡膏层4相焊接的方式与陶瓷基板2紧固连接在一起。现有的这类声表面波滤波器封装结构存在以下缺陷:一、陶瓷基板必须采用金球的热压超声焊接,导致材料和工艺成本居高不下;二、陶瓷基板本身厚度和重量都较大,使得封装结构体积大、工艺复杂同时性价比低,和移动终端需求的薄、小、轻背道而驰;三、器件安装的准确性、信号导线的影响、焊接的角度等这一系列的不确定性便造成了器件性能的不一致性,甚至对声表面波滤波器造成破坏。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术中存在的不足,提供一种不需采用陶瓷基板封装的声表面滤波芯片的封装结构及其封装方法,以降低制作时的工艺难度,降低成本,以及提高声表面波滤波器的成品率。本专利技术的目的是这样实现的:本专利技术一种声表面滤波芯片的封装结构,其包括正面设有芯片功能区 ...
【技术保护点】
1.一种声表面滤波芯片的封装结构,其包括声表面波滤波器芯片,其正面设有芯片功能区,其特征在于,其还包括金属连接块、多层金属再布线层、包封料层和金属块/层,所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围,所述多层金属再布线层包括至少一层介电层和至少一层再布线金属图形层,其相互交错设置,所述介电层包裹再布线金属图形层和/或填充于相邻的再布线金属图形层之间,所述再布线金属图形层彼此之间存在选择性电性连接,所述金属块/层对应所述金属连接块的位置设置,并与多层金属再布线层固连,所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层金属再布线层之上的金属块/层40倒装连接,并将其电信号向下传导;用包封材料包裹金属块/层,在所述多层金属再布线层上形成包封料层;采用膜片状的包封膜,经层压工艺,将所述声表面波滤波器芯片包封,并在包封料层的上方、声表面波滤波器芯片的下方形成空腔,所述芯片功能区置于空腔内。
【技术特征摘要】
1.一种声表面滤波芯片的封装结构,其包括声表面波滤波器芯片,其正面设有芯片功能区,其特征在于,其还包括金属连接块、多层金属再布线层、包封料层和金属块/层,所述金属连接块设置在所述芯片功能区的外围,所述多层金属再布线层包括至少一层介电层和至少一层再布线金属图形层,其相互交错设置,所述介电层包裹再布线金属图形层和/或填充于相邻的再布线金属图形层之间,所述再布线金属图形层彼此之间存在选择性电性连接,所述金属块/层对应所述金属连接块的位置设置,并与多层金属再布线层固连,所述声表面波滤波器芯片通过金属连接块与多层金属再布线层之上的金属块/层40倒装连接,并将其电信号向下传导;用包封材料包裹金属块/层,在所述多层金属再布线层上形成包封料层;采用膜片状的包封膜,经层压工艺,将所述声表面波滤波器芯片包封,并在包封料层的上方、声表面波滤波器芯片的下方形成空腔,所述芯片功能区置于空腔内。2.根据权利要求1所述的声表面滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述金属连接块的厚度范围为8~22微米。3.根据权利要求2所述的声表面滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述金属连接块的厚度范围为8~15微米。4.根据权利要求1所述的声表面滤波芯片的封装结构,其特征在于,在所述多层金属再布线层的上表面形成若干个与所述金属连接块位置对应的输入/输出端Ⅰ,其下表面形成输入/输出端Ⅱ,所述金属块/层通过输入/输出端Ⅰ与多层金属再布线层固连。5.根据权利要求1至4中任一项所述的声表面滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述金属块/层的顶端设置焊料层,所述焊料层将金属连接块与金属块/层固连。6.根据权利要求2所述的声表面滤波芯片的封装结构,其特征在于,所述包封料层的上表面与焊料层的上表面齐平。7.一种声表面滤波芯片的封装结构的封装方法,其实施步骤如下:步骤一、提供一载体圆...
【专利技术属性】
技术研发人员:陈栋,张黎,柳国恒,张憬,赵强,陈锦辉,赖志明,
申请(专利权)人:江阴长电先进封装有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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