晶体振子及其制造方法技术

本发明专利技术提供一种晶体振子及其制造方法，可使晶体阻抗改善的具有新型的台面构造。晶体振子包含AT切割晶体片(10)。所述晶体片中，平面形状为长方形状，并且使一部分为厚壁部。所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部(10a)、第一凹部(10b)、厚壁部(10e)、第二凹部(10c)及第二端部(10d)。第一凹部是从厚壁部以规定角度(θa)下降至第一端部侧然后上升而与第一端部连接的凹部。第二凹部是从厚壁部以规定角度(θb)下降至第二端部侧然后上升而与第二端部连接的凹部。

【技术实现步骤摘要】
晶体振子及其制造方法
本专利技术涉及一种使用AT切割晶体片的晶体振子及其制造方法。
技术介绍
随着AT切割晶体振子的小型化发展，在利用机械式加工的制造方法中，晶体振子用的晶体片的制造变得困难。因此，已开发出利用光刻(photolithography)技术及湿式蚀刻(wetetching)技术来制造的AT切割晶体片。例如在专利文献1中，公开了一种使用通过所述技术而制造的AT切割晶体片的晶体振子。具体来说，在专利文献1的段落0053及图6中，公开了一种与晶体的X轴交叉的侧面(X面)之中，+X侧的侧面由六个面构成，-X侧的侧面由两个面构成，并且使所述晶体振子的一部分为厚壁部(台面(mesa)状)的晶体振子。据说根据所述晶体振子，可以实现晶体阻抗(crystalimpedance，CI)值低，频率温度特性经改善的晶体振子(专利文献1的段落0008)。[现有技术文献][专利文献]专利文献1：日本专利特开2014-27505号公报
技术实现思路
[专利技术所要解决的问题]专利文献1的晶体振子是包括厚壁部、与所述厚壁部连接的倾斜部、及与所述倾斜部连接的薄壁部的台面构造的晶体振子。倾斜部有+X侧的倾斜部(专利文献1的图6(b)的结晶面133)及-X侧的倾斜部(所述图6(b)的倾斜面23)两个。而且，+X侧的倾斜部的倾斜面与厚壁部的主面的法线所成的角度记载为约27°(专利文献1的段落57第4行～第5行)。因此，+X侧的倾斜部朝向薄壁部以约63°的角度倾斜。并且，-X侧的倾斜部的结晶面与厚壁部的主面的法线所成的角度记载为约55°(专利文献1的段落55第2行～第3行)。因此，-X侧的倾斜部朝向薄壁部以约35°的角度倾斜。并且，在专利文献1的情况，如专利文献1的图8所述，使用形成厚壁部的专用的耐蚀刻性掩模(mask)。针对所述现有技术，期望出现厚壁部与薄壁部的连接部分的其它优选构造。并且，期望出现能够省略形成厚壁部的专用的耐蚀刻性掩模的制作方法。本申请是鉴于如上所述的方面而完成的，因此，本申请的目的在于提供一种可使CI改善的具有新型台面构造的晶体振子及适合于其制造的方法。[解决问题的技术手段]为了达成所述目的，根据本申请的晶体振子的专利技术，是如下的晶体振子，其包括平面形状为长方形状并且一部分成为厚壁部的AT切割晶体片，所述晶体振子的特征在于：所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部。并且，根据本申请的晶体振子的制造方法的专利技术，其特征在于：晶体振子包括平面形状为长方形状并且一部分成为厚壁部的AT切割晶体片，当对所述晶体片观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部，当制造所述晶体振子时，包括如下的工序：准备用于制造多个所述晶体片的晶体晶片；在所述晶体晶片的表面与背面上，形成耐湿式蚀刻性掩模，所述耐湿式蚀刻性掩模是用于形成所述晶体片的外形，并且在与所述第一凹部及第二凹部分别相对应的一部分区域内形成具有开口的耐湿式蚀刻性掩模，所述开口不贯通所述晶体晶片，但是可以使湿式蚀刻液渗入至能够对所述晶体晶片进行所需量蚀刻的程度；以及将形成有所述耐湿式蚀刻性掩模的晶体晶片浸渍于湿式蚀刻液中规定时间。再者，本申请中所谓的晶体振子，还包括一般的晶体振子、与振荡电路一同封装在封装体内而构成晶体振荡器的晶体振子、及带有热敏电阻(thermistor)或PN二极管等各种温度传感器的晶体振子等。[专利技术的效果]根据本专利技术的晶体振子，可获得在从厚壁部沿晶体片的长边方向的两侧，分别具有凹部的晶体振子。由于是凹部，所以可获得晶体片的厚度从厚壁部向晶体片的端部一下变薄然后变厚的新型的台面构造。可认为这种台面构造与单纯的台面构造相比，可以更好地将振动封入至厚壁部。因此，可认为能够使晶体振子的特性改善。并且，根据本专利技术的晶体振子的制造方法，通过在晶体片的外形加工用的掩模上设置规定的开口，可以在晶体片的外形加工时同时进行第一凹部及第二凹部的加工。因此，可以不使用厚壁部形成用的专用的掩模，而形成具有所需要的厚壁部的晶体振子。附图说明图1中的(A)～图1中的(C)是实施方式的晶体振子所具有的AT切割晶体片10的说明图。图2(A)、图2(B)是晶体片10的特别是与Z'轴交叉的侧面的说明图。图3是表示将晶体片10封装于陶瓷封装体内的状态的俯视图。图4是比较例的晶体片20的说明图。图5是用于说明实施例及比较例的各试样的CI特性的补充图。图6(A)、图6(B)、图6(C)是晶体片10的制作方法例的说明图。图7(A)、图7(B)、图7(C)是接在晶体片10的制作方法例的图6(A)～图6(C)之后的说明图。图8(A)、图8(B)、图8(C)是接在晶体片10的制作方法例的图7(A)～图7(C)之后的说明图。符号的说明10：实施方式的晶体片(晶体片)10a：第一端部10b：第一凹部10c：第二凹部10d：第二端部10e：厚壁部10f：第一面10g：第二面10h：第三面10i：主面10w：晶体晶片11：激励用电极13：引出电极15：陶瓷封装体15a：粘接垫17：导电性粘接剂20：比较例的晶体片(晶体片)40：耐湿式蚀刻性掩模(掩模)40a：开口CImax：CI的最大值CImin：CI的最小值M：晶体晶片的一部分N：部分P、Q、R、S：线X、Y'、Z'：晶体的晶轴θa、θb：规定角度θ1、θ2、θ3：角度ΔCI：CI的变动量具体实施方式以下，参照附图对本专利技术的晶体振子及晶体振子的制造方法的实施方式进行说明。再者，用于说明的各图只是概略性地表示至能够理解这些专利技术的程度。并且，在用于说明的各图中，对同样的构成成分标注相同的编号来表示，还存在省略其说明的情况。并且，在以下的说明中所述的形状、尺寸、材质等只是本专利技术的范围内的优选例。因此，本专利技术并不只限定于以下的实施方式。1.晶体振子的说明1-1.构造首先，参照图1中的(A)～图1中的(C)、图2(A)及图2(B)，对实施方式的晶体振子所具有的AT切割晶体片10进行说明。再者，图1中的(A)是晶体片10的俯视图，图1中的(B)是沿图1中的(A)中的P-P线的晶体片10的截面图，图1中的(C)是沿图1中的(A)中的Q-Q线的晶体片10的截面图。再者，在图1中的(B)中，为了使作为本专利技术的特征的第一端部10a、第一凹部10b、第二凹部10c及第二端部10d易于理解，将这些部分加以放大表示，并且由于图纸的关系，对厚壁部10e省略沿晶体片10的长边方向的区域的一部分来表示。并且，图2(A)是图1中的(C)的放大图，图2(B)是放大表示图2(A)中的N部分的图。并且，图1中的(A)中所示的坐标轴X、Y'、Z'分别表示AT切割晶体片1本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶体振子，包括平面形状为长方形状并且使一部分为厚壁部的AT切割晶体片，所述晶体振子的特征在于：所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部。

【技术特征摘要】
2017.08.09 JP 2017-1538971.一种晶体振子，包括平面形状为长方形状并且使一部分为厚壁部的AT切割晶体片，所述晶体振子的特征在于：所述晶体片中，当观察在其短边的中央附近沿长边方向切割的截面时，从一个短边侧起，依次具备第一端部、第一凹部、所述厚壁部、第二凹部及第二端部，所述第一凹部是从所述厚壁部以规定角度θa下降至第一端部侧然后上升而与所述第一端部连接的凹部，所述第二凹部是从所述厚壁部以规定角度θb下降至第二端部侧然后上升而与所述第二端部连接的凹部。2.根据权利要求1所述的晶体振子，其特征在于：所述晶体片是长边与晶体的X轴平行，短边与晶体的Z'轴平行，所述第一端部位于+X侧。3.根据权利要求1所述的晶体振子，其特征在于：所述晶体片是长边与晶体的X轴平行，短边与晶体的Z'轴平行，所述第一端部位于+X侧，所述角度θa为6°±2°，所述角度θb为16°±2°。4.一种晶体振子的制造方法，其特征在于：晶体振子包括平面形状为长方形状并且使一部分为厚壁部的AT切割晶体片，当对所述晶体片...

【专利技术属性】
技术研发人员：佐藤良春，渡邉彻也，岩田浩一，吉田忍，
申请(专利权)人：日本电波工业株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP