【技术实现步骤摘要】
一种LED封装结构及其制造方法
本专利技术涉及一种发光感测领域,特别涉及一种LED封装装置及其制造方法。
技术介绍
芯片级封装(ChipScalePackage,简称:CSP)是先进的一种集成电路封装形式,其中,在制作CSP发光装置时,一LED芯片通常会被一封装结构所包覆,构成该封装结构的胶材可包含荧光材料和反光材料,由于CSP在封装过程中可减小封装尺寸并降低成本,提升客户设计的多样性,因此,CSP的应用越来越多。目前,CSP发光装置制作时,LED芯片会放置在一模具中,然后将封装胶注入模具中,进而包覆LED芯片的上表面和侧面,其中,由于LED芯片的底面会设置电极组,为了保证LED芯片的电极组与应用端的电路板良好连接,所以封装时,封装胶往往不覆盖LED芯片的底面,这样经过压膜、切割和剥离制得单个CSP发光装置,而CSP发光装置中LED芯片的侧面和上表面包覆有封装胶,LED芯片的底面以及电极组上未包覆封装胶。然而,采用上述方法制作CSP发光装置时,制得的CSP发光装置中LED芯片的底面为裸露的,这样CSP发光装置使用时,LED芯片的底面会有漏蓝光的问题,而漏出的蓝光对CSP发光装置的发光颜色造成干扰,同时降低了发光装置的发光效率。
技术实现思路
鉴于上述问题,本专利技术的目的在于提供一种LED封装结构及其制造方法,解决了现有CSP发光装置中由于LED芯片的底面漏蓝光而对发光装置的发光颜色造成干扰以及降低发光效率的问题。为达上述目的,本专利技术提供一种LED封装结构,包括:一芯片级封装(CSP)发光元件,所述CSP发光元件包括一发光芯片,所述发光芯片包括位于所述发光 ...
【技术保护点】
1.一种LED封装结构,其特征在于,包括:一芯片级封装CSP发光元件,所述CSP发光元件包括一发光芯片,所述发光芯片包括位于所述发光芯片的底面的电极组;一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述CSP发光元件的底面或侧面,或所述遮蔽层设置在所述CSP发光元件的底面及侧面。
【技术特征摘要】
2017.08.04 US 62/541,113;2017.09.11 US 62/556,866;1.一种LED封装结构,其特征在于,包括:一芯片级封装CSP发光元件,所述CSP发光元件包括一发光芯片,所述发光芯片包括位于所述发光芯片的底面的电极组;一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述CSP发光元件的底面或侧面,或所述遮蔽层设置在所述CSP发光元件的底面及侧面。2.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件还包括:一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上;一波长转换层,所述波长转换层设置在所述发光芯片的上表面以及所述围绕结构上,且所述波长转换层与所述围绕结构之间的交界面形成一弧形结构。3.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐,另一端延伸到所述发光芯片的上表面的外沿处。4.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐,另一端延伸到所述发光芯片的侧面上。5.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构为向上弯曲的凸面,或者,所述弧形结构为向下弯曲的凹面。6.根据权利要求2所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:透明封装层,所述透明封装层设置在所述波长转换层上,且所述波长转换层与所述透明封装层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面。7.根据权利要求6所述的LED封装结构,其特征在于:所述透明封装层中分散有扩散粉。8.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述遮蔽层设置在所述发光芯片的底面。9.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述遮蔽层设置在所述电极组上。10.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上;且所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面或至少部分侧面上,或所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面及至少部分侧面上。11.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一波长转换层,且所述遮蔽层的侧面与所述波长转换层的侧面实质上共平面。12.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一波长转换层,且所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面上。13.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述CSP发光元件包括一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面上;所述CSP发光元件包括一波长转换层;且所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面以及所述围绕结构的侧面和底面上。14.根据权利要求11~13任一所述的LED封装结构,其特征在于,所述波长转换层为荧光胶层、荧光贴片或荧光薄膜与透明胶的组合。15.根据权利要求10或13任一所述的LED封装结构,其特征在于,所述围绕结构的材料为以硅胶或环氧树脂为基底并掺杂有二氧化钛、二氧化硅、氧化锆、氮化硼其中之一或其组合。16.根据权利要求1所述的LED封装结构,其特征在于,所述遮蔽层的材质为金属材质、不透光绝缘材质、低透光的绝缘材质、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料。17.一种LED封装结构,其特征在于,包括:一发光芯片,所述发光芯片具有一侧面、一上表面以及一底面,所述底面具有电极组;一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的侧面;一波长转换层,所述波长转换层设置在所述发光芯片的上表面和所述围绕结构上;且所述围绕结构与所述波长转换层之间的交界面形成一弧形结构。18.根据权利要求17所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐,另一端延伸到所述发光芯片的上表面的外沿处。19.根据权利要求17所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构的一端与所述波长转换层的顶面实质上平齐,另一端延伸到所述发光芯片的侧面上。20.根据权利要求17所述的LED封装结构,其特征在于,所述弧形结构为向上的凸面,或者,所述弧形结构为向下的凹面。21.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述LED封装结构的底面或侧面,或所述遮蔽层设置在所述LED封装结构的底面及侧面。22.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述发光芯片的底面。23.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述电极组上。24.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面或至少部分侧面上,或所述遮蔽层设置在所述围绕结构的底面及至少部分侧面上。25.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层的侧面与所述波长转换层的侧面实质上共平面。26.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面上。27.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一遮蔽层,所述遮蔽层设置在所述波长转换层的侧面以及所述围绕结构的侧面和底面上。28.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于:所述波长转换层为荧光胶层、荧光贴片或荧光薄膜与透明胶的组合。29.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于:所述围绕结构的材料为以硅胶或环氧树脂为基底并掺杂有二氧化钛、二氧化硅、氧化锆、氮化硼其中之一或其组合。30.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于:所述遮蔽层的材质为金属材质、不透光绝缘材质、低透光的绝缘材质、绝缘胶、绝缘漆或低透光陶瓷材料。31.根据权利要求17~20任一所述的LED封装结构,其特征在于:还包括一透明封装层,所述透明封装层设置在所述波长转换层的顶面上,且所述透明封装层与所述波长转换层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面。32.根据权利要求31所述的LED封装结构,其特征在于:所述透明封装层中分散有扩散粉。33.一种LED封装结构,其特征在于,包括:一发光芯片,所述发光芯片具有一侧面、一上表面以及一底面,所述底面具有电极组;一波长转换层,所述波长转换层设置在所述发光芯片的侧面和上表面;一透明封装层,所述透明封装层设置在所述波长转换层的顶面上,且所述透明封装层与所述波长转换层之间的接触面为向上凸起或向下凹的弧形面。34.根据权利要求33所述的LED封装结构,其特征在于,所述透明封装层中分散有扩散粉。35.根据权利要求33所述的LED封装结构,其特征在于,还包括:一围绕结构,所述围绕结构围设在所述发光芯片的至少部分侧面上,且所述波长转换层设置在所述围绕结构以及所述发光芯片的上表面上。36.根据权利要求35所述的LED封装结构,其特征在于,所述围绕结构与所述波长转换层之间的交接面形成一弧形结构。37.根据权利要求3...
【专利技术属性】
技术研发人员:潘科豪,周圣伟,蓝逸生,周嘉峰,谢忠全,潘人豪,杨皓宇,康桀侑,曾子伦,
申请(专利权)人:亿光电子工业股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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