提高浮栅存储器安全性的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供了一种提高浮栅存储器安全性的方法及装置，包括：将选中数据通过编程操作存储在第一数据堆中，并将选中数据通过编程操作存储在第二数据堆中；根据选中逻辑地址顺序，进行擦除操作和恢复操作；断电时，分别记录第一数据堆和第二数据堆对应的状态，第一数据堆中的数据块和第二数据堆中的数据块的对应的选中逻辑地址以及对应的选中物理地址；上电时，根据选中逻辑地址和选中物理地址，对未进行擦除操作的数据堆进行擦除操作和恢复操作，并对处于故障状态的数据堆进行修复。本实施例提供了一种提高浮栅存储器安全性的方法及装置，通过将相同的数据储存于两个数据堆中，增强了数据的安全性。

【技术实现步骤摘要】
提高浮栅存储器安全性的方法及装置
本专利技术实施例涉及非易失性存储器
，尤其涉及一种提高浮栅存储器安全性的方法及装置。
技术介绍
浮栅存储器往往采用分层结构来构成整体的存储单元，比如将一块大的容量设计成由多个数据堆，而一个数据堆又有多个数据块组成。实际应用时，当用户访问存储器某一个数据堆中的某个数据块时，如果发生意外，比如突然掉电，则会影响这个数据堆中非选中数据块的数据。现有技术中对进行了擦除操作之后的数据堆中未选中的数据块一般都要进行恢复操作，这是由于对数据堆中选中的数据块进行擦除操作的时候会影响数据堆中未选中的数据块的存储状态。但是现有技术中，对于突然断电之后，便无法对进行了擦除操作之后的数据堆中未选中的数据块进行恢复操作。那么在上电后，进行了擦除操作之后的数据堆中未选中的数据块在后续的读取过程中会发生读取错误。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供了一种提高浮栅存储器安全性的方法及装置，提高了浮栅存储器中存储数据的安全性，简化了流程，提高了浮栅存储器的效率。第一方面，本专利技术实施例提供了一种提高浮栅存储器安全性的方法，包括：将数据通过编程操作存储在第一数据堆中，并将所述数据通过所述编程操作存储在第二数据堆中，所述第一数据堆和所述第二数据堆、以及所述第一数据堆和所述第二数据堆各自包括的数据块和存储单元的逻辑地址相同，所述第一数据堆和所述第二数据堆分别包括至少一个所述数据块，每个所述数据块包括至少一个所述存储单元；对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的选中数据块进行擦除操作，根据非选中数据块的逻辑地址对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆中或者所述第一数据堆的选中数据块进行擦除操作，根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述非选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆或者所述第一数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；断电时，分别记录所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块是否完成所述擦除操作、所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述非选中数据块是否完成所述恢复操作、以及所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块和所述非选中数据块对应的逻辑地址以及对应的物理地址，并判断出所述第一数据堆和所述第二数据堆的状态，所述状态包括正常状态或者故障状态，处于所述正常状态的数据堆为对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆或者是对所述选中数据块完成了所述擦除操作并对所述非选中数据块完成了所述恢复操作的数据堆，处于所述故障状态的数据堆为进行了对所述选中数据块进行所述擦除操作但未对所述非选中数据块进行所述恢复操作的数据堆；上电时，根据所述第一数据堆中所述选中数据块的逻辑地址，对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆的所述选中数据块进行所述擦除操作并且对所述非选中数据块进行所述恢复操作，并对处于所述故障状态的数据堆进行修复。可选的，所述擦除操作包括对所述选中数据块的存储单元的栅极施加第一电压，对所述选中数据块中的存储单元的基底施加第二电压，所述选中数据块的存储单元的源极和漏极悬空。可选的，所述恢复操作包括对所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的栅极施加第三电压，对所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的漏极施加第四电压，所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的源极和基底接地；进行所述恢复操作的数据堆为已经完成了所述擦除操作的数据堆。可选的，所述第一电压的数值范围为大于或等于-10V，小于或等于-9V；所述第二电压的数值范围为大于或等于9V，小于或等于10V。可选的，所述第三电压的数值范围为大于或等于6V，小于或等于8V；所述第四电压的数值范围为大于或等于3V，小于或等于5V。第二方面，本专利技术实施例提供了一种提高浮栅存储器安全性的装置，其特征在于，包括：备份模块，所述备份模块用于将数据通过编程操作存储在第一数据堆中，并将所述数据通过所述编程操作存储在第二数据堆中，所述第一数据堆和所述第二数据堆、以及所述第一数据堆和所述第二数据堆各自包括的数据块和存储单元的逻辑地址相同，所述第一数据堆和所述第二数据堆分别包括至少一个所述数据块，每个所述数据块包括至少一个所述存储单元；操作模块，所述操作模块与所述备份模块相连，用于对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的选中数据块进行擦除操作，根据非选中数据块的逻辑地址对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆中或者所述第一数据堆的选中数据块进行擦除操作，根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述非选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆或者所述第一数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；记录模块，所述记录模块与所述操作模块和所述备份模块相连，用于断电时，分别记录所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块是否完成所述擦除操作、所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述非选中数据块是否完成所述恢复操作、以及所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块和所述非选中数据块对应的逻辑地址以及对应的物理地址，并判断出所述第一数据堆和所述第二数据堆的状态，所述状态包括正常状态或者故障状态，处于所述正常状态的数据堆为未对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆或者是对所述选中数据块完成了所述擦除操作并对所述非选中数据块完成了所述恢复操作的数据堆，处于所述故障状态的数据堆为进行了对所述选中数据块进行所述擦除操作但未对所述非选中数据块进行所述恢复操作的数据堆；所述操作模块还用于上电时，根据所述第一数据堆中所述选中数据块的逻辑地址，对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆的所述选中数据块进行所述擦除操作并且对所述非选中数据块进行所述恢复操作；修复模块，所述修复模块与所述记录模块相连，用于对处于所述故障状态的数据堆进行修复。可选的，所述操作模块包括擦除单元，所述擦除单元用于对所述选中数据块的存储单元的栅极施加第一电压，对所述选中数据块中的存储单元的基底施加第二电压，所述选中数据块的存储单元的源极和漏极悬空。可选的，所述操作模块还包括恢复单元，所述恢复单元用于对所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的栅极施加第三电压，对所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的漏极施加第四电压，所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的源极和基底接地；进行所述恢复操作的数据堆为已经完成了所述擦除操作的数据堆。可选的，所述第一电压的数值范围为大于或等于-10V，小于或等于-9V；所述第二电压的数值范围为大于或等于9V，小于或等于10V。可选的，所述第三电压的数值范围为大于或等于6V，小于或等于8V；所述第四电压的数值范围为大于或等于3V，小于或等于5V。本专利技术实施例提供了一种提高浮栅存储器安全性的方法及装置，通过将选中数据存储在逻辑地址相同物理地址不同的第一数据堆和第二数据堆中，在断电的时候记录下进行擦除操作和恢复操作的第一数据堆和第二数据堆对应的状态，第一数据堆中的数据块本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种提高浮栅存储器安全性的方法，其特征在于，包括：将数据通过编程操作存储在第一数据堆中，并将所述数据通过所述编程操作存储在第二数据堆中，所述第一数据堆和所述第二数据堆、以及所述第一数据堆和所述第二数据堆各自包括的数据块和存储单元的逻辑地址相同，所述第一数据堆和所述第二数据堆分别包括至少一个所述数据块，每个所述数据块包括至少一个所述存储单元；对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的选中数据块进行擦除操作，根据非选中数据块的逻辑地址对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆中或者所述第一数据堆的选中数据块进行擦除操作，根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述非选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆或者所述第一数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；断电时，分别记录所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块是否完成所述擦除操作、所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述非选中数据块是否完成所述恢复操作、以及所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块和所述非选中数据块对应的逻辑地址以及对应的物理地址，并判断出所述第一数据堆和所述第二数据堆的状态，所述状态包括正常状态或者故障状态，处于所述正常状态的数据堆为对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆或者是对所述选中数据块完成了所述擦除操作并对所述非选中数据块完成了所述恢复操作的数据堆，处于所述故障状态的数据堆为进行了对所述选中数据块进行所述擦除操作但未对所述非选中数据块进行所述恢复操作的数据堆；上电时，根据所述第一数据堆中所述选中数据块的逻辑地址，对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆的所述选中数据块进行所述擦除操作并且对所述非选中数据块进行所述恢复操作，并对处于所述故障状态的数据堆进行修复。...

【技术特征摘要】
1.一种提高浮栅存储器安全性的方法，其特征在于，包括：将数据通过编程操作存储在第一数据堆中，并将所述数据通过所述编程操作存储在第二数据堆中，所述第一数据堆和所述第二数据堆、以及所述第一数据堆和所述第二数据堆各自包括的数据块和存储单元的逻辑地址相同，所述第一数据堆和所述第二数据堆分别包括至少一个所述数据块，每个所述数据块包括至少一个所述存储单元；对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的选中数据块进行擦除操作，根据非选中数据块的逻辑地址对所述第一数据堆或者所述第二数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆中或者所述第一数据堆的选中数据块进行擦除操作，根据所述第一数据堆或者所述第二数据堆中所述非选中数据块的逻辑地址对所述第二数据堆或者所述第一数据堆中的所述非选中数据块进行恢复操作；断电时，分别记录所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块是否完成所述擦除操作、所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述非选中数据块是否完成所述恢复操作、以及所述第一数据堆中和所述第二数据堆中各自包含的所述选中数据块和所述非选中数据块对应的逻辑地址以及对应的物理地址，并判断出所述第一数据堆和所述第二数据堆的状态，所述状态包括正常状态或者故障状态，处于所述正常状态的数据堆为对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆或者是对所述选中数据块完成了所述擦除操作并对所述非选中数据块完成了所述恢复操作的数据堆，处于所述故障状态的数据堆为进行了对所述选中数据块进行所述擦除操作但未对所述非选中数据块进行所述恢复操作的数据堆；上电时，根据所述第一数据堆中所述选中数据块的逻辑地址，对所述选中数据块未进行所述擦除操作的数据堆的所述选中数据块进行所述擦除操作并且对所述非选中数据块进行所述恢复操作，并对处于所述故障状态的数据堆进行修复。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述擦除操作包括对所述选中数据块的存储单元的栅极施加第一电压，对所述选中数据块中的存储单元的基底施加第二电压，所述选中数据块的存储单元的源极和漏极悬空。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述恢复操作包括对所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的栅极施加第三电压，对所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的漏极施加第四电压，所述选中数据块所在的数据堆中非选中数据块的存储单元的源极和基底接地；进行所述恢复操作的数据堆为已经完成了所述擦除操作的数据堆。4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述第一电压的数值范围为大于或等于-10V，小于或等于-9V；所述第二电压的数值范围为大于或等于9V，小于或等于10V。5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述第三电压的数值范围为大于或等于6V，小于或等于8V；所述第四电压的数值范围为大于或等于3V，小于或等于5V。6.一种提高浮栅存储器安全性的装置，其特征在于，包括：备份模块，所述备份模块用于将数据通过编程操作存储在第一数据堆中，并将所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：张赛，刘晓庆，
申请(专利权)人：北京兆易创新科技股份有限公司，合肥格易集成电路有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11