一种LED照明驱动电路制造技术

本发明专利技术公开了一种LED照明驱动电路。一种LED照明驱动电路包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管和LED灯。驱动电路的输出电阻是所述第三PMOS管的源漏间电阻和所述第四PMOS管的源漏间电阻的并联，能有效地提高驱动所述LED灯的能力。

A Driving Circuit for LED Lighting

The invention discloses an LED lighting driving circuit. An LED lighting driving circuit includes a first resistor, a first NPN tube, a first PMOS tube, a second PMOS tube, a second NPN tube, a third PMOS tube, a fourth PMOS tube, a third NPN tube and an LED lamp. The output resistance of the driving circuit is the parallel connection of the source-drain resistance of the third PMOS transistor and the source-drain resistance of the fourth PMOS transistor, which can effectively improve the ability of driving the LED lamp.

【技术实现步骤摘要】
一种LED照明驱动电路
本专利技术涉及集成电路
，尤其涉及到LED照明驱动电路。
技术介绍
现有技术的LED照明驱动电路的驱动能力大都是通过增加驱动管的能力来达到目的，缺点是管子比较大，成本高。通过改变相应的电路结构进一步提高驱动能力。
技术实现思路
本专利技术旨在解决现有技术的不足，提供一种LED照明驱动电路。一种LED照明驱动电路，包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管和LED灯：所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管的漏极；所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极，发射极接地；所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第四PMOS管的源极和所述LED灯的P极；所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极，源极接所述第三PMOS管的漏极和所述LED灯的P极；所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，发射极接地；所述LED灯的P极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极，N极接地。所述第一电阻和所述第一NPN管构成偏置电路产生电流I1，再通过所述第一NPN管镜像给所述第二NPN管的电流I2和所述第三NPN管的电流I3，从所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极进行驱动所述LED灯，由于驱动电路的输出电阻是所述第三PMOS管的源漏间电阻和所述第四PMOS管的源漏间电阻的并联，能有效地提高驱动所述LED灯的能力。附图说明图1为本专利技术的LED照明驱动电路的电路图。具体实施方式以下结合附图对本
技术实现思路
进一步说明。一种LED照明驱动电路，如图1所示，包括第一电阻101、第一NPN管102、第一PMOS管103、第二PMOS管104、第二NPN管105、第三PMOS管106、第四PMOS管107、第三NPN管108和LED灯109：所述第一电阻101的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第二NPN管105的基极和所述第三NPN管108的基极；所述第一NPN管102的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻101的一端和所述第二NPN管105的基极和所述第三NPN管108的基极，发射极接地；所述第一PMOS管103的栅极接所述第二PMOS管104的漏极和所述第二NPN管105的集电极和所述第三PMOS管106的栅极，漏极接所述第二PMOS管104的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管104的栅极接所述第四PMOS管107的栅极和漏极和所述第三NPN管108的集电极，漏极接所述第一PMOS管103的栅极和所述第三PMOS管106的栅极和所述第二NPN管105的集电极，源极接所述第一PMOS管103的漏极；所述第二NPN管105的基极接所述第一电阻101的一端和所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第三NPN管108的基极，集电极接所述第一PMOS管103的栅极和所述第三PMOS管106的栅极和所述第二PMOS管104的漏极，发射极接地；所述第三PMOS管106的栅极接所述第一PMOS管103的栅极和所述第二PMOS管104的漏极和所述第二NPN管105的集电极，漏极接所述第四PMOS管107的源极和所述LED灯109的P极；所述第四PMOS管107的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管104的栅极和所述第三NPN管108的集电极，源极接所述第三PMOS管106的漏极和所述LED灯109的P极；所述第三NPN管108的基极接所述第一电阻101的一端和所述第一NPN管102的基极和集电极和所述第二NPN管105的基极，集电极接所述第二PMOS管104的栅极和所述第四PMOS管107的栅极和漏极，发射极接地；所述LED灯109的P极接所述第三PMOS管106的漏极和所述第四PMOS管107的源极，N极接地。所述第一电阻101和所述第一NPN管102构成偏置电路产生电流I1，再通过所述第一NPN管102镜像给所述第二NPN管105的电流I2和所述第三NPN管108的电流I3，从所述第三PMOS管106的漏极和所述第四PMOS管107的源极进行驱动所述LED灯109，由于驱动电路的输出电阻是所述第三PMOS管106的源漏间电阻和所述第四PMOS管107的源漏间电阻的并联，能有效地提高驱动所述LED灯109的能力。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种LED照明驱动电路，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第、二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管和LED灯；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地； 所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC； 所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管的漏极； 所述第二NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第三NPN管的基极，集电极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极，发射极接地； 所述第三PMOS管的栅极接所述第一PMOS管的栅极和所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极，漏极接所述第四PMOS管的源极和所述LED灯的P极； 所述第四PMOS管的栅极和漏极接在一起再接所述第二PMOS管的栅极和所述第三NPN管的集电极，源极接所述第三PMOS管的漏极和所述LED灯的P极； 所述第三NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极，集电极接所述第二PMOS管的栅极和所述第四PMOS管的栅极和漏极，发射极接地；所述LED灯的P极接所述第三PMOS管的漏极和所述第四PMOS管的源极，N极接地。...

【技术特征摘要】
1.一种LED照明驱动电路，其特征在于：包括第一电阻、第一NPN管、第一PMOS管、第、二PMOS管、第二NPN管、第三PMOS管、第四PMOS管、第三NPN管和LED灯；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的基极和集电极和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极；所述第一NPN管的基极和集电极接在一起再接所述第一电阻的一端和所述第二NPN管的基极和所述第三NPN管的基极，发射极接地；所述第一PMOS管的栅极接所述第二PMOS管的漏极和所述第二NPN管的集电极和所述第三PMOS管的栅极，漏极接所述第二PMOS管的源极，源极接电源电压VCC；所述第二PMOS管的栅极接所述第四PMOS管的栅极和漏极和所述第三NPN管的集电极，漏极接所述第一PMOS管的栅极和所述第三PMOS管的栅极和所述第二NPN管的集电极，源极接所述第一PMOS管...

【专利技术属性】
技术研发人员：孟庆生，
申请(专利权)人：杭州宽福科技有限公司，
类型：发明
国别省市：浙江,33