一种倒装LED芯片制造技术

本实用新型专利技术公开了一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底，并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层，并形成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。

【技术实现步骤摘要】
一种倒装LED芯片
本技术涉及LED
，特别是涉及一种倒装LED芯片。
技术介绍
随着近年来科技不断的进步，LED(发光二极管)技术得到了极大的发展。相比如传统的照明设备，LED具有寿命长、高效可靠、照明亮度均匀、不含有毒物质等优点，被广泛的应用在医疗、照明等人们日常生活的领域。在现阶段，为了让安装有倒装LED芯片的LED器件可以发射出预设颜色的光线，通常需要对倒装LED芯片进行封装。如现有技术中结构最简单的CSP(芯片级)封装，也需要在倒装LED芯片的发光表面覆盖一层掺杂有荧光颗粒的荧光胶，通过倒装LED芯片所发出光线的激发、以及光线的互补而产生预设颜色的光线。但是无论使用哪种封装技术，至少会在倒装LED芯片表面覆盖一层厚度较厚的荧光胶，从而导致LED器件的耐热性较差，但是由于LED器件通常用于照明，其工作环境温度通常较高，使得现有技术中的LED器件的可靠性以及使用寿命通常较低。
技术实现思路
本技术的目的是提供一种倒装LED芯片，可以在不进行封装的情况下即可产生预设颜色的光线。为解决上述技术问题，本技术提供一种倒装LED芯片，包括：荧光陶瓷衬底；其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层；位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。可选的，所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒；所述发光层所发出的光线为蓝色光线。可选的，所述n型外延层为n型GaN层；所述p型外延层为p型GaN层。可选的，所述倒装LED芯片还包括：位于所述p型GaN层与所述发光层之间的p型AlGaN层。可选的，所述荧光陶瓷衬底的所述第一表面预先刻蚀有纳米图形。可选的，所述荧光陶瓷衬底的基底为氧化铝或碳化硅。可选的，所述倒装LED芯片还包括：覆盖所述n型外延层侧壁、所述发光层侧壁和所述p型外延层侧壁的钝化层。可选的，所述发光层为量子阱有源区。可选的，所述倒装LED芯片还包括：位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的镜面反射层。本技术所提供的一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底，并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层，其中发光层仅仅位于n型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的发光区域，在型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的电极区域设置有n电极，同时在p型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面设置有p电极，以构成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，而不再需要对倒装LED芯片进行封装才能产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。由于荧光胶可以承受的温度仅仅在200℃左右，避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。附图说明为了更清楚的说明本技术实施例或现有技术的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单的介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本技术实施例所提供的一种倒装LED芯片的结构示意图；图2为本技术实施例所提供的一种具体的倒装LED芯片的结构示意图。图中：1.荧光陶瓷衬底、2.n型外延层、3.发光层、4.p型外延层、41.p型AlGaN层、5.p电极、6.n电极、7.镜面反射层、8.钝化层。具体实施方式本技术的核心是提供一种倒装倒装LED芯片。在现阶段，为了让倒装LED芯片产生预设颜色的光线，在现有技术中均需要在倒装LED芯片的发光表面设置荧光胶，而荧光胶的可以承受的温度仅仅在200℃左右，设置荧光胶将直接导致LED器件的耐热性较差，使得现有技术中的LED器件的可靠性以及使用寿命通常较低。而本技术所提供的一种倒装LED芯片，所使用的衬底为分布有荧光颗粒的荧光陶瓷衬底，并在荧光陶瓷衬底的第一表面依次设置有n型外延层、发光层以及p型外延层，其中发光层仅仅位于n型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的发光区域，在型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面的电极区域设置有n电极，同时在p型外延层背向荧光陶瓷衬底一侧表面设置有p电极，以构成倒装LED芯片的结构。发光层所产生的部分光线可以射入上述荧光陶瓷衬底，从而激发荧光陶瓷衬底中的荧光颗粒产生相应颜色的光线，有荧光颗粒所产生的光线可以与发光层所产生并透过荧光陶瓷衬底的光线互补从而产生预设颜色的光线，而不再需要对倒装LED芯片进行封装才能产生预设颜色的光线，从而可以避免在倒装LED芯片的发光表面覆盖荧光胶。由于荧光胶可以承受的温度仅仅在200℃左右，避免设置荧光胶可以有效增加倒装LED芯片的耐热性，从而有效增加LED器件的可靠性以及使用寿命。为了使本
的人员更好地理解本技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本技术作进一步的详细说明。显然，所描述的实施例仅仅是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。请参考图1，图1为本技术实施例所提供的一种倒装LED芯片的结构示意图。参见图1，在本技术实施例中，所述倒装LED芯片包括：荧光陶瓷衬底1；其中，所述荧光陶瓷衬底1中分布有荧光颗粒；位于所述荧光陶瓷衬底1第一表面的n型外延层2；位于所述n型外延层2背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面发光区域的发光层3；位于所述发光层3背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面的p型外延层4；位于所述p型外延层4背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面的p电极5；位于所述n型外延层2背向所述荧光陶瓷衬底1一侧表面电极区域的n电极6。上述荧光陶瓷衬底1即在陶瓷材料中添加有荧光颗粒所制备而成的衬底。在本技术实施例中具体会使用荧光陶瓷衬底1作为制作倒装LED芯片的衬底。通常情况下，荧光陶瓷衬底1中的荧光颗粒会均匀分布在荧光陶瓷衬底1中。具体的，荧光陶瓷衬底1的基底通常为多晶材料，上述荧光颗粒通常是均匀分布在多晶材料的晶粒间隙之间，即上述荧光颗粒通常不会对多晶材料的晶格常数等物理性质造成影响。在本技术实施例中，上述荧光陶瓷衬底1的基底可以为氧化铝或碳化硅。即上述荧光陶瓷衬底1具体可以为在氧化铝晶体(蓝宝石)中掺杂荧光颗粒而形成的荧光陶瓷衬底1，也可以是在碳化硅晶体(SiC)中掺杂荧光颗粒而形成的荧光陶瓷衬底1。当然，在本技术实施例中有关荧光陶瓷衬底1的基底的具体材质并不做具体限定，视具体情况而定。有关荧光陶瓷衬底1的具体制备流程将在下述技术实施例中做详细介绍，在此不再进行赘述。在本技术实施例中，n型外延层2位于荧光陶瓷衬底1的第一表面。所谓第一表面，即荧光陶瓷衬底1中用于设置n型外延层2的表面，在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：荧光陶瓷衬底；其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层；位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。

【技术特征摘要】
1.一种倒装LED芯片，其特征在于，包括：荧光陶瓷衬底；其中，所述荧光陶瓷衬底中分布有荧光颗粒；位于所述荧光陶瓷衬底第一表面的n型外延层；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面发光区域的发光层；位于所述发光层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p型外延层；位于所述p型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面的p电极；位于所述n型外延层背向所述荧光陶瓷衬底一侧表面电极区域的n电极。2.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述荧光颗粒为黄色荧光颗粒；所述发光层所发出的光线为蓝色光线。3.根据权利要求1所述的倒装LED芯片，其特征在于，所述n型外延层为n型GaN层；所述p型外延层为p型GaN层。4.根据权利要求3所述的倒装LED芯片，其特征在于，...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜元宝，蔡晓宁，张耀华，林胜，张日光，
申请(专利权)人：宁波升谱光电股份有限公司，
类型：新型
国别省市：浙江,33