组合传感器制造技术

本发明专利技术公开了一种组合传感器，组合传感器包括：基板，基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，第一MEMS芯片和第一ASIC芯片安装至基板的上表面，第一MEMS芯片和第一ASIC芯片电连接，第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片安装至基板的上表面，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片电连接，第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；第一MEMS芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，第一ASIC芯片和第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。本发明专利技术技术方案减弱寄生电容效应，从而减小了电磁感应，使得组合传感器工作时，第一MEMS芯片的本底噪声大幅度下降，提升了组合传感器的整体性能。

【技术实现步骤摘要】
组合传感器
本专利技术涉及传感器
，特别涉及一种组合传感器。
技术介绍
两个MEMS芯片和两个ASIC芯片封装形成组合传感器，具体为第一MEMS芯片和第一ASIC芯片电连接，第二MEMS芯片和第二ASIC芯片电连接，第一MEMS芯片为电容式结构，第二MEMS芯片的工作电压为交流电压，由于封装空间较为紧凑，在组合传感器工作时，由于寄生电容效应的存在，第一MEMS芯片的本底噪声较大，从而影响了组合传感器的整体性能。
技术实现思路
本专利技术的主要目的是提出一种组合传感器，旨在提升组合传感器的性能。为实现上述目的，本专利技术公开了一种组合传感器，所述组合传感器包括：基板，所述基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接，所述第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。在本专利技术的一实施例中，所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间；所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间。在本专利技术的一实施例中，所述第一MEMS芯片呈长方体，所述第一ASIC芯片呈长方体，所述第二ASIC芯片呈长方体；所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧棱与所述第二ASIC芯片的侧棱之间；所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧棱和所述第二ASIC芯片的侧棱之间。在本专利技术的一实施例中，所述第一MEMS芯片与所述第二MEMS芯片的最短距离的连线为a，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离的连线为b，a与b相交。在本专利技术的一实施例中，所述第一MEMS芯片和所述第二MEMS芯片并排设置。在本专利技术的一实施例中，所述基板呈矩形，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片分布在所述基板的对角方向上。在本专利技术的一实施例中，所述第一MEMS芯片的体积小于所述第二MEMS芯片或第二ASIC芯片的体积；和/或，所述第一MEMS芯片的工作电压为直流电压；和/或，所述基板为电路板。在本专利技术的一实施例中，所述第一MEMS芯片为麦克风芯片。在本专利技术的一实施例中，所述基板设有声孔，所述麦克风芯片覆盖所述声孔。在本专利技术的一实施例中，所述组合传感器还包括罩壳，所述罩壳设于所述基板的上表面，与所述基板限定出封装腔；所述第一MEMS芯片、所述第一ASIC芯片、所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片设于所述封装腔。本专利技术技术方案在基板上设置第一MEMS芯片和与第一MEMS芯片相对应的第一ASIC芯片，第二MEMS芯片和与第二MEMS芯片相对应的第二ASIC芯片，将第一MEMS芯片和第二ASIC芯片的最短距离设置为大于等于0.3mm，将第一ASIC芯片和第二ASIC芯片的最短距离设置为大于等于1.2mm，如此减弱寄生电容效应，从而减小了电磁感应，使得组合传感器工作时，第一MEMS芯片的本底噪声大幅度下降，提升了组合传感器的整体性能。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。图1为本专利技术一实施例中组合传感器结构示意图；图2为本专利技术一实施例中组合传感器结构示意图；图3为本专利技术一实施例中组合传感器结构示意图。附图标号说明：标号名称标号名称100基板320第一ASIC芯片110上表面410第二MEMS芯片310第一MEMS芯片420第二ASIC芯片本专利技术目的的实现、功能特点及优点将结合实施例，参照附图做进一步说明。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明，本专利技术实施例中所有方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后……)仅用于解释在某一特定姿态(如附图所示)下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。在本专利技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“连接”、“固定”等应做广义理解，例如，“固定”可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本专利技术中的具体含义。另外，在本专利技术中如涉及“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本专利技术要求的保护范围之内。在本专利技术中，两个MEMS芯片和两个ASIC芯片封装形成组合传感器，具体为第一MEMS芯片310和第一ASIC芯片320电连接，第二MEMS芯片410和第二ASIC芯片420电连接，第一MEMS芯片310为电容式结构，第二MEMS芯片410的工作电压为交流电压，由于封装结构较为紧凑，在组合传感器工作时，第一MEMS芯片310的本底噪声较大，从而影响了组合传感器的整体性能。为了解决以上技术问题，本专利技术提出一种组合传感器。在本专利技术的一实施例中，如图1所示，所述组合传感器包括：基板100，所述基板100具有上表面110和下表面；第一MEMS芯片310和第一ASIC芯片320，所述第一MEMS芯片310和所述第一ASIC芯片320安装至所述基板100的上表面110，所述第一MEMS芯片310和所述第一ASIC芯片320电连接，所述第一MEMS芯片310为电容式结构；以及第二MEMS芯片410和第二ASIC芯片420，所述第二MEMS芯片410和所述第二ASIC芯片420安装至所述基板100的上表面110，所述第二MEMS芯片410和所述第二ASIC芯片420电连接，所述第二MEMS芯片410的工作电压为交流电压；所述第一MEMS芯片310和所述第二ASIC芯片420的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片320和所述第二ASIC芯片420的最短距离为d2，d2≥1.2mm。在本实施例中，组合传感器的基板100呈矩形，可采用本领域技术人员熟知的电路板作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种组合传感器，其特征在于，所述组合传感器包括：基板，所述基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接，所述第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。

【技术特征摘要】
1.一种组合传感器，其特征在于，所述组合传感器包括：基板，所述基板具有上表面和下表面；第一MEMS芯片和第一ASIC芯片，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第一MEMS芯片和所述第一ASIC芯片电连接，所述第一MEMS芯片为电容式结构；以及第二MEMS芯片和第二ASIC芯片，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片安装至所述基板的上表面，所述第二MEMS芯片和所述第二ASIC芯片电连接，所述第二MEMS芯片的工作电压为交流电压；所述第一MEMS芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d1，d1≥0.3mm，所述第一ASIC芯片和所述第二ASIC芯片的最短距离为d2，d2≥1.2mm。2.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间；所述最短距离d2形成于所述第一ASIC芯片的侧面和所述第二ASIC芯片的侧面之间。3.如权利要求1所述的组合传感器，其特征在于，所述第一MEMS芯片呈长方体，所述第一ASIC芯片呈长方体，所述第二ASIC芯片呈长方体；所述最短距离d1形成于所述第一MEMS芯片的侧棱与所述第二ASIC芯片的侧棱之间；所述最短距离d2形成于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：王德信，杨军伟，潘新超，端木鲁玉，邱文瑞，
申请(专利权)人：歌尔股份有限公司，
类型：发明
国别省市：山东,37