数模转换器制造技术

本发明专利技术提供一种数模转换器，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，第一PMOS晶体管的源极连接到电源电压，第一PMOS晶体管的漏极连接到第二PMOS晶体管的源极；阻抗增益电路，包括第三PMOS晶体管，第四PMOS晶体管和上拉电位模块，用于增加电流输出电路和阻抗增益电路的第一端的输出阻抗，其中栅极电极为第三PMOS晶体管连接到阻抗增益电路的第一端，第三PMOS晶体管的源极连接到阻抗增益电路的第三端。

【技术实现步骤摘要】
数模转换器
技术介绍
除了数模转换器(数模转换器，DAC)是数字世界和模拟世界之间的桥梁。随着数字时代的快速发展，DAC被广泛应用于各个领域，如航空航天领域和数字播放器领域。随着客户对产品质量的不断追求，客户对DAC也有了更高的要求。因此，为了确保数字产品的质量，需要高速、高精度和高线性度的DAC。
技术介绍
高速DAC具有几十毫安的电流输出，并且可以产生更大的输出电压，例如0.7V和1.3V。因此，DAC广泛应用于视频解码领域。目前，高速DAC使用电流转向(电流转向)结构。理想电流源的输出阻抗是无穷大，并且由此产生的电流不会随着输出电压的增加而变小；然而，随着输出电压的增加、非理想电流源产生的电流变小，这导致DAC的输出线性变差，从而影响视频信号的质量。
技术实现思路
鉴于上述问题作出了本专利技术。为解决上述问题，本专利技术提供一种数模转换器，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，第一PMOS晶体管的源极连接到电源电压，第一PMOS晶体管的漏极连接到第二PMOS晶体管的源极；阻抗增益电路，包括第三PMOS晶体管，第四PMOS晶体管和上拉电位模块，用于增加电流输出电路和阻抗增益电路的第一端的输出阻抗，其中栅极电极为第三PMOS晶体管连接阻抗增益电路的第一端，第三PMOS晶体管的源极连接阻抗增益电路的第三端，第三PMOS晶体管的漏极连接源第四PMOS晶体管的电极；第四PMOS晶体管的漏极连接到阻抗增益电路的第二端。在一个实施例中，阻抗增益电路包括：第一端；第二个目标；第三端连接到电源电压；和第四端连接到地面。在一个实施例中，第一PMOS晶体管，第二PMOS晶体管，第三PMOS晶体管和第四PMOS晶体管在饱和区域中操作。在一个实施例中，上拉电位模块包括电阻器或MOS晶体管。在一个实施例中，MOS晶体管包括NMOS晶体管，NMOS晶体管的漏极连接到阻抗增益电路的第二端，并且NMOS晶体管的源极连接到第四端。阻抗增益电路。在一个实施例中，MOS晶体管包括PMOS晶体管，PMOS晶体管的源极连接到阻抗增益电路的第二端，PMOS晶体管的漏极连接到第二端。阻抗增益电路。在一个实施例中，上拉电位模块的一端连接到阻抗增益电路的第二端，而上拉电位模块的另一端连接到阻抗增益的第四端电路。在一个实施例中，上拉电位模块包括电阻器或MOS晶体管。在一个实施例中，MOS晶体管包括NMOS晶体管，NMOS晶体管的漏极连接到阻抗增益电路的第二端，并且NMOS晶体管的源极连接到第四端。阻抗增益电路。在一个实施例中，MOS晶体管包括PMOS晶体管，PMOS晶体管的源极连接到阻抗增益电路的第二端，PMOS晶体管的漏极连接到第二端阻抗增益电路。附图说明参考以下结合附图的更详细的描述和权利要求，将更好地理解本专利技术的优点和特征，在附图中，相同的元件用相同的符号标识，并且其中：图1是根据本专利技术实施例的包括电流源的数模转换器的结构示意图；图2是根据本专利技术另一实施例的包括电流源的数模转换器的示意性结构图。具体实施方式图1是根据本公开实施例的包括电流源的数模转换器的示意性结构图。如图1所示。如图1所示，数模转换器可以包括根据前述实施例中任一个的电流源，以及连接到电流源的输出端的第一开关401和第二开关402。这里，第一开关401和第二开关402中的一个接通，而另一个断开。例如，当第一开关401接通时，第二开关402断开；当第一开关401断开时，第二开关402接通。在一种实施方式中，第一开关401和第二开关402可以包括PMOS晶体管。第一开关401和第二开关402分别由第三偏置电压V3和第四偏置电压V4控制。通过调整第三偏置电压V3和第四偏置电压V4的大小，第一开关401和第二开关402中的一个可以导通，而另一个截止。然而，应该理解的是，第一开关401和第二开关402的功能也可以通过使用其他设备来实现。如图1所示，电流源可以包括电流输出电路101和阻抗增益电路102。电流输出电路101可以包括第一PMOS晶体管111和第二PMOS晶体管121。阻抗增益电路102用于增加输出阻抗。电流输出电路101可以包括第一端1021，第二端1022，连接到电源电压VDD的第三端1023，以及连接到地的第四端1024。第一PMOS晶体管111的源极连接到电源电压VDD，第一PMOS晶体管111的漏极连接到第二PMOS晶体管121的源极和第一端1021，以及第二PMOS晶体管111的栅极。第一PMOS晶体管111由第一偏置电压V1控制。第二PMOS晶体管121的栅极连接到第二端1022，第二PMOS晶体管121的漏极用作电流源的输出端。在一些形式中，第一PMOS晶体管111和第二PMOS晶体管121都在饱和区域中操作。第一偏置电压V1可以使第一PMOS晶体管111在饱和区域中操作。第二端1022的电压可以使第二PMOS晶体管121能够在饱和区域中操作。该实施例的电流源增加了阻抗增益电路，以便能够增加电流输出电路的输出阻抗。也就是说，电流源的输出阻抗增加。因此，当将电流源施加到DAC时，可以改善DAC的输出线性度，从而能够改善视频信号的质量。图2是根据本公开另一实施例的包括电流源的数模转换器的示意性结构图。应该注意，该实施例仅仅引入了与图1所示实施例的不同之处。对于其他相似之处，可以参考图1所示实施例的描述。在图2中，阻抗增益电路102在图2所示的电流源中。图2包括第三PMOS晶体管112，第四PMOS晶体管122和上拉电位模块132，并且还可以包括多个PMOS晶体管142，它们串联连接并且设置在第三PMOS晶体管112和第四PMOS之间。即，通过使用串联连接的多个PMOS晶体管142，第三PMOS晶体管112的漏极连接到第四PMOS晶体管122的源极。应注意，“串联连接的PMOS晶体管”表示PMOS晶体管的传输端子被串联地评论。也就是说，PMOS晶体管的漏极连接到下一个PMOS晶体管的源极，下一个PMOS晶体管的源极连接到下一个PMOS晶体管的漏极，等等。应该理解，阻抗增益电路102不限于图2中所示的特定结构。如图2所示，只要阻抗增益电路102的内部电路可以改善电流输出电路的输出阻抗。另外，图1中所示的上拉电位模块132可以包括多个电位模块132。图2中的电路可以包括电阻器或MOS晶体管。在一种实施方式中，MOS晶体管可以包括NMOS晶体管。在这种情况下，NMOS晶体管的漏极连接到第二端1022，并且NMOS晶体管的源极连接到第四端1024。在另一种实施方式中，MOS晶体管可以包括PMOS晶体管。在这种情况下，PMOS晶体管的源极连接到第二端1022，PMOS晶体管的漏极连接到第四端1024。本公开中提供的电流源可以被配置为但不限于数模转换器。在一些形式中，数模转换器可以包括根据前述实施例中的任何一个的多个电流源。为解决上述问题，本专利技术提供一种数模转换器，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，第一PMOS晶体管的源极连接到电源电压，第一PMOS晶体管的漏极连接到第二PMOS晶体管的源极；阻抗增益电路，包括第三PMOS晶体管，第四PMOS晶体管和上拉电位模块，用于增加电流输出电路和阻抗增益电路的第一端的输出阻抗，其中栅极电极为第三PMOS晶体管连接阻抗增本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种数模转换器，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，第一PMOS晶体管的源极连接到电源电压，第一PMOS晶体管的漏极连接到第二PMOS晶体管的源极；阻抗增益电路，包括第三PMOS晶体管，第四PMOS晶体管和上拉电位模块，用于增加电流输出电路和阻抗增益电路的第一端的输出阻抗；其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到阻抗增益电路的第一端，第三PMOS晶体管的源极连接到阻抗增益电路的第三端，以及第三PMOS晶体管的漏极连接到第四PMOS晶体管的源极；第四PMOS晶体管的漏极连接到阻抗增益电路的第二端。

【技术特征摘要】
1.一种数模转换器，其特征在于，包括：第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管；其中，第一PMOS晶体管的源极连接到电源电压，第一PMOS晶体管的漏极连接到第二PMOS晶体管的源极；阻抗增益电路，包括第三PMOS晶体管，第四PMOS晶体管和上拉电位模块，用于增加电流输出电路和阻抗增益电路的第一端的输出阻抗；其中，第三PMOS晶体管的栅极连接到阻抗增益电路的第一端，第三PMOS晶体管的源极连接到阻抗增益电路的第三端，以及第三PMOS晶体管的漏极连接到第四PMOS晶体管的源极；第四PMOS晶体管的漏极连接到阻抗增益电路的第二端。2.根据权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述阻抗增益电路包括：第一端，第二个目标，第三端连接到电源电压和第四端连接到地面。3.根据权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述第一PMOS晶体管，所述第二PMOS晶体管，所述第三PMOS晶体管和所述第四PMOS晶体管在饱和区域中操作。4.如权利要求1所述的数模转换器，其特征在于，其中所述上拉电位模块包括电阻器或MOS晶体管。5.如权利要求4所述的数模转换器，其特征在于，其中，所述MOS晶体管包括NMOS晶体管...

【专利技术属性】
技术研发人员：杜江，宋婷，
申请(专利权)人：成都凯力科技有限公司，成都方芯科技有限公司，
类型：发明
国别省市：四川,51