基板及其制作方法以及透明显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了基板及其制作方法以及透明显示装置。其中，基板包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。发明专利技术人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少外界射向透明区的光线照射到薄膜晶体管，从而有效保证了薄膜晶体管的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
基板及其制作方法以及透明显示装置
本专利技术涉及显示
，具体的，涉及基板及其制作方法以及透明显示装置。
技术介绍
目前，显示装置正以日益多样化和新颖的形式出现在显示市场和大众的日常生活中，例如正在向超高分辨率发展的液晶显示(LCD)装置，广泛用于手机、Pad等便携设备的中小尺寸有机发光显示(OLED)装置，日趋成熟的用于电视(TV)的大尺寸OLED显示装置，以及新颖的显示技术如透明显示装置等；其中透明显示装置获得了良好的用户体验，具有广阔的市场前景。然而，在制作透明显示装置时，为追求透明的显示效果，会在保证发光区面积的前提下，尽可能的使透明区面积最大化，或采用透过率较高的材料，因此，难免遇到选材与器件性能相矛盾的情况，如何取舍一直在困扰制造商。因而，目前的透明显示装置仍有待改进。
技术实现思路
本专利技术旨在至少在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。为此，本专利技术的一个目的在于提出一种结构简单、易于实现，器件性能佳，良率高，或者在使用过程中薄膜晶体管中的有源层的高温光照负偏压稳定性(NBTIS)几乎不会变差。在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种基板。根据本专利技术的实施例，该基板包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。专利技术人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少光线照射到薄膜晶体管，尤其适于阻挡光线从透明区侧向照射到薄膜晶体管，使得薄膜晶体管中的有源层得到有效保护，显著减少由于光线(尤其是紫外光)的照射造成的有源层的NBTIS变差的问题，从而有效保证了薄膜晶体管的稳定性，使得含有该基板的透明显示装置在长期使用过程中均能保持较高的良率，利于满足消费者的消费体验。根据本专利技术的实施例，所述挡光部件包括反射层，所述反射层至少覆盖所述薄膜晶体管中绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。根据本专利技术的实施例，所述绝缘层包括层间绝缘层和栅极绝缘层或层间绝缘层。根据本专利技术的实施例，所述反射层在基板上的正投影与层间绝缘层在基板上的正投影有部分交叠。根据本专利技术的实施例，形成所述反射层的材料包括金属。根据本专利技术的实施例，所述挡光部件还包括紫外阻挡墙，所述紫外阻挡墙设置在所述反射层的外周壁上。根据本专利技术的实施例，所述发光区中还设置有挡墙，所述挡墙位于所述反射层靠近所述透明区的一侧，所述紫外阻挡墙填充满所述反射层和所述挡墙之间的间隙。根据本专利技术的实施例，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层。根据本专利技术的实施例，所述反射层与所述挡墙之间的间距为2-3微米。根据本专利技术的实施例，所述反射层覆盖所述挡墙朝向所述薄膜晶体管的至少部分侧面。根据本专利技术的实施例，所述发光区中还包括：平坦层，所述平坦层覆盖所述薄膜晶体管和所述反射层，所述平坦层的至少一部分构成所述紫外阻挡墙。根据本专利技术的实施例，形成所述紫外阻挡墙的材料包括透过率低于20％的材料。根据本专利技术的实施例，形成所述紫外阻挡墙的材料包括聚酰亚胺类有机材料。在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种透明显示装置。根据本专利技术的实施例，该透明显示装置包括前面所述的基板。专利技术人发现，该透明显示装置在长期使用过程中均能保持很高的显示质量，产品良率高，可以满足消费者的消费体验。在本专利技术的另一方面，本专利技术提供了一种制作前面所述的基板的方法。根据本专利技术的实施例，该方法包括：形成多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区；其中，形成所述像素单元包括：在所述发光区中形成薄膜晶体管和挡光部件，所述挡光部件用于阻挡外界射向所述透明区的光线对所述薄膜晶体管的影响。专利技术人发现，该制作方法操作简单、方便，易于实现，成本低，其可以获得具备前面所有所述的特征和优点的基板。根据本专利技术的实施例，所述挡光部件包括反射层，所述反射层与所述薄膜晶体管中的源极和漏极通过一次构图工艺形成。根据本专利技术的实施例，形成所述发光区还包括形成挡墙的步骤，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层，其中，所述第一亚层与所述薄膜晶体管中的缓冲层通过一次构图工艺形成；所述第二亚层与所述薄膜晶体管中的栅绝缘层通过一次构图工艺形成；所述第三亚层与所述薄膜晶体管中的层间绝缘层通过一次构图工艺形成。根据本专利技术的实施例，形成所述发光区还包括形成平坦层的步骤，所述平坦层的一部分填充在所述反射层与所述挡墙之间的间隙中，且填充在所述间隙中的所述平坦层构成紫外阻挡墙。附图说明图1是现有技术中基板的结构示意图。图2是本专利技术一个实施例中的基板的俯视图。图3是图2中沿AA’方向的剖面结构示意图。图4是本专利技术另一个实施例中的基板的结构示意图。图5是本专利技术另一个实施例中的基板的结构示意图。图6是本专利技术另一个实施例中的基板的俯视图。图7是本专利技术另一个实施例中的基板的结构示意图。图8是本专利技术另一个实施例中的基板的结构示意图。具体实施方式下面详细描述本专利技术的实施例。下面描述的实施例是示例性的，仅用于解释本专利技术，而不能理解为对本专利技术的限制。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。本专利技术是根据专利技术人的以下认识和发现而完成的：在透明显示装置中，如图1所示，由于透明区120的存在，以及透明显示装置使用的环境，会有大量的外界光线从透明区120射入发光区110，进而会造成侧向的光线(例如UV)导致发光区中薄膜晶体管111中的有源层60(ACT层)电子迁移受影响，最终使得薄膜晶体管(TFT)111器件稳定性受损。针对上述技术问题，专利技术人进行了深入的研究，研究后发现，可以在发光区中设置挡光部件，以阻挡外界射向透明区的光线对薄膜晶体管的影响。有鉴于此，在本专利技术的一个方面，本专利技术提供了一种基板。根据本专利技术的实施例，参照图2和图3，该基板包括：多个像素单元100，至少部分所述像素单元100包括发光区110和透明区120，所述发光区110中包括薄膜晶体管111；挡光部件112，所述挡光部件112设置在所述发光区110中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。专利技术人发现，该基板结构简单、易于实现，挡光部件可以有效减少光线照射到薄膜晶体管，尤其适于阻挡外界光线从透明区侧向照射到薄膜晶体管，使得薄膜晶体管中的有源层得到有效保护，显著减少由于光线(尤其是紫外光)的照射造成的有源层的NBTIS变差的问题，从而有效保证了薄膜晶体管的光照稳定性，且基板在长期使用过程中均能保持较高的良率，利于满足消费者的消费体验。可以理解的是，参照图2，栅线2和数据线1交叉设置限定出多个像素单元100。需要说明的是，本文中采用的描述方式“发光区”中包括薄膜晶体管和发光元件，其中，薄膜晶体管与发光元件的设置方式与常规像素单元中的薄膜晶体管与发光元件的设置方式相同，即发光元件对应常规像素单元的开口区设置，而薄膜晶体管对应常规像素单元中的开口区之外的区域设置，在本文的附图中均未示出发光元件；上述至少部分像素单元包括发光区和透明区指的是：1、全部像素单元均包括发光区和透明区；2、一部分像素单元包括发光区和透明区，另一部分像素单元不包括透明区；例如在阵列排布的像素单元中，其中一排像素单元包括发光区和透明区，另一排像本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板，其特征在于，包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。

【技术特征摘要】
1.一种基板，其特征在于，包括：多个像素单元，至少部分所述像素单元包括发光区和透明区，所述发光区中包括薄膜晶体管；挡光部件，所述挡光部件设置在所述发光区中，用于阻挡通过所述透明区射向所述薄膜晶体管的光线。2.根据权利要求1所述的基板，其特征在于，所述挡光部件包括反射层，所述反射层至少覆盖所述薄膜晶体管中绝缘层朝向所述透明区的至少部分侧面上。3.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，所述绝缘层包括层间绝缘层和栅极绝缘层或层间绝缘层。4.根据权利要求3所述的基板，其特征在于，所述反射层在所述基板上的正投影与所述层间绝缘层在所述基板上的正投影有部分交叠。5.根据权利要求2所述的基板，其特征在于，形成所述反射层的材料包括金属。6.根据权利要求2-5任一项所述的基板，其特征在于，所述挡光部件还包括紫外阻挡墙，所述紫外阻挡墙设置在所述反射层的外周壁上。7.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述发光区中还设置有挡墙，所述挡墙位于所述反射层靠近所述透明区的一侧，所述紫外阻挡墙填充满所述反射层和所述挡墙之间的间隙。8.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述挡墙由下至上包括第一亚层、第二亚层和第三亚层。9.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述反射层与所述挡墙之间的间距为2-3微米。10.根据权利要求7所述的基板，其特征在于，所述反射层覆盖所述挡墙朝向所述薄膜晶体管的至少部分侧面。11.根据权利要求6所述的基板，其特征在于，所述发光区中还包括：平坦层，...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙宏达，刘凤娟，谢蒂旎，顾鹏飞，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11