OLED显示基板及其制作方法、显示装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供了一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，属于显示技术领域。其中，OLED显示基板的制作方法，包括：在所述OLED显示基板的切割区域周围形成包围所述切割区域的倒台型结构，在形成所述OLED显示基板的阴极时，所述阴极在所述倒台型结构上表面的边缘自然断裂；所述制作方法还包括：在形成所述倒台型结构之前，在所述倒台型结构与所述OLED显示基板的衬底基板之间形成反光图形，所述倒台型结构在所述衬底基板上的正投影位于所述反光图形在所述衬底基板上的正投影内。本发明专利技术的技术方案能够保证OLED显示基板的封装效果，进而保证显示装置的性能。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示基板及其制作方法、显示装置
本专利技术涉及显示
，特别是指一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置。
技术介绍
随着柔性显示技术的发展，不同形状的柔性显示成为新的需求，常常需要对有机发光显示屏进行切割，去除有机发光显示屏中的一部分。在对有机发光显示屏进行切割后，切割区域的边缘易发生水氧沿层间渗入造成显示不良，特别是有机发光显示屏的阴极为整面蒸镀形成，对有机发光显示屏进行切割后，由于阴极的侧表面暴露出来，水氧易沿着阴极渗入有机发光显示屏。为了解决上述问题，现有技术在制作有机发光显示屏时，在切割区域的周边增加底切台阶，这样后续制备阴极时，阴极在沉积时会在底切台阶上表面的边缘断裂，之后制备封装结构时，封装结构能够包覆阴极的侧表面，阻挡水氧沿着阴极渗入有机发光显示屏。但是现有的底切台阶一般在制作像素界定层之前形成，在形成底切台阶之后，后续制备像素界定层时，像素界定层材料会填充在底切台阶底部，并且由于底切台阶的上表面会遮挡曝光光线，因此，难以通过曝光去除底切台阶底部的像素界定层材料，使得在后续沉积阴极时，阴极无法在底切台阶上表面的边缘断裂，进而影响到实际的封装效果和有机发光显示屏的性能。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够保证OLED显示基板的封装效果，进而保证显示装置的性能。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供技术方案如下：一方面，提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：在所述OLED显示基板的切割区域周围形成包围所述切割区域的倒台型结构，所述倒台型结构远离所述OLED显示基板的衬底基板的端面的面积大于靠近所述衬底基板的端面的面积，在形成所述OLED显示基板的阴极时，所述阴极在所述倒台型结构上表面的边缘自然断裂；所述制作方法还包括：在形成所述倒台型结构之前，在所述倒台型结构与所述OLED显示基板的衬底基板之间形成反光图形，所述倒台型结构在所述衬底基板上的正投影位于所述反光图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，形成所述反光图形包括：通过一次构图工艺形成所述反光图形和所述OLED显示基板的第一金属层图形。进一步地，形成所述倒台型结构包括：形成层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形位于所述第二图形和所述衬底基板之间，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第二图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，形成所述第一图形包括：形成所述第一图形的过渡图形；在形成第二图形后，以所述第二图形为掩膜对所述第一图形的过渡图形的侧表面进行刻蚀，使得所述第一图形的过渡图形向内缩进，形成所述第一图形。进一步地，形成所述第一图形的过渡图形包括：通过一次构图工艺形成所述第一图形的过渡图形和所述OLED显示基板的第二金属层图形。本专利技术实施例还提供了一种OLED显示基板，包括：包围切割区域的倒台型结构，所述倒台型结构远离所述OLED显示基板的衬底基板的端面的面积大于靠近所述衬底基板的端面的面积；所述OLED基板的阴极在所述倒台型结构上表面的边缘自然断裂；所述OLED显示基板还包括：位于所述倒台型结构和所述OLED显示基板的衬底基板之间的反光图形，所述倒台型结构在所述衬底基板上的正投影位于所述反光图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，为减少工艺步骤，所述反光图形可以与所述OLED显示基板的第一金属层图形同层同材料设置。进一步地，所述倒台型结构包括：第一图形和第二图形，所述第一图形位于所述第二图形和所述衬底基板之间，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第二图形在所述衬底基板上的正投影内。进一步地，为减少工艺步骤，所述第一图形可以与所述OLED显示基板的第二金属层图形同层同材料设置。本专利技术实施例还提供了一种显示装置，包括如上所述的OLED显示基板。本专利技术的实施例具有以下有益效果：上述方案中，在倒台型结构和衬底基板之间形成有反光图形，这样在制备像素界定层，像素界定层材料填充在倒台型结构的底部时，在对像素界定层材料进行曝光时利用反光图形反射曝光光线，增强对倒台型结构底部像素界定层材料的曝光，实现倒台型结构底部像素界定层材料的完全曝光和去除，避免像素界定层材料残留在倒台型结构的底部，能够保留原有的倒台型结构，这样后续制备阴极时，阴极在沉积时会在倒台型结构上表面的边缘断裂，之后制备封装层时，封装层能够包覆阴极的侧表面，阻挡水氧沿着阴极渗入OLED显示基板，保证OLED显示基板的封装效果，进而保证显示装置的性能，可用于异形化有机发光显示屏的制备。附图说明图1-图11为本专利技术实施例制作OLED显示基板的流程示意图。附图标记1衬底基板2有源层3第一栅绝缘层41栅极42反光图形5第二栅绝缘层61第一图形62第二图形63第一图形的过渡图形7层间绝缘层81源极82漏极9平坦层10阳极11像素界定层12有机发光层13阴极14封装层A切割区域具体实施方式为使本专利技术的实施例要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。本专利技术的实施例提供一种OLED显示基板及其制作方法、显示装置，能够保证OLED显示基板的封装效果，进而保证显示装置的性能。本专利技术实施例提供一种OLED显示基板的制作方法，包括：在所述OLED显示基板的切割区域周围形成包围所述切割区域的倒台型结构，所述倒台型结构远离所述OLED显示基板的衬底基板的端面的面积大于靠近所述衬底基板的端面的面积，在形成所述OLED显示基板的阴极时，所述阴极在所述倒台型结构上表面的边缘自然断裂；所述制作方法还包括：在形成所述倒台型结构之前，在所述倒台型结构与所述OLED显示基板的衬底基板之间形成反光图形，所述倒台型结构在所述衬底基板上的正投影位于所述反光图形在所述衬底基板上的正投影内。本实施例中，在倒台型结构和衬底基板之间形成有反光图形，这样在制备像素界定层，像素界定层材料填充在倒台型结构的底部时，在对像素界定层材料进行曝光时利用反光图形反射曝光光线，增强对倒台型结构底部像素界定层材料的曝光，实现倒台型结构底部像素界定层材料的完全曝光和去除，避免像素界定层材料残留在倒台型结构的底部，能够保留原有的倒台型结构，这样后续制备阴极时，阴极在沉积时会在倒台型结构上表面的边缘断裂，之后制备封装层时，封装层能够包覆阴极的侧表面，阻挡水氧沿着阴极渗入OLED显示基板，保证OLED显示基板的封装效果，进而保证显示装置的性能，可用于异形化有机发光显示屏的制备。其中，反光图形可以通过专门的构图工艺来制作，也可以与OLED显示基板的其他膜层图形通过一次构图工艺同时形成，这样不需要通过额外的构图工艺来形成反光图形，可以减少OLED显示基板的构图工艺次数，降低OLED显示基板的成本，提高OLED显示基板的产能。一具体实施例中，形成所述反光图形包括：通过一次构图工艺形成所述反光图形和所述OLED显示基板的第一金属层图形。其中，第一金属层图形包括薄膜晶体管的栅极和栅线等。其中，倒台型结构可以为倒圆台型结构，也可以由多层膜层图形组成，从靠近所述衬底基板到远离所述衬底基板的方向上，膜层图形的面积逐渐增大。一具体实施例中，形成所述倒台型结构包括：形成层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形位于所述第二图形和所述衬底基板之间，所本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示基板的制作方法，包括：在所述OLED显示基板的切割区域周围形成包围所述切割区域的倒台型结构，所述倒台型结构远离所述OLED显示基板的衬底基板的端面的面积大于靠近所述衬底基板的端面的面积，在形成所述OLED显示基板的阴极时，所述阴极在所述倒台型结构上表面的边缘自然断裂；其特征在于，所述制作方法还包括：在形成所述倒台型结构之前，在所述倒台型结构与所述OLED显示基板的衬底基板之间形成反光图形，所述倒台型结构在所述衬底基板上的正投影位于所述反光图形在所述衬底基板上的正投影内。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示基板的制作方法，包括：在所述OLED显示基板的切割区域周围形成包围所述切割区域的倒台型结构，所述倒台型结构远离所述OLED显示基板的衬底基板的端面的面积大于靠近所述衬底基板的端面的面积，在形成所述OLED显示基板的阴极时，所述阴极在所述倒台型结构上表面的边缘自然断裂；其特征在于，所述制作方法还包括：在形成所述倒台型结构之前，在所述倒台型结构与所述OLED显示基板的衬底基板之间形成反光图形，所述倒台型结构在所述衬底基板上的正投影位于所述反光图形在所述衬底基板上的正投影内。2.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述反光图形包括：通过一次构图工艺形成所述反光图形和所述OLED显示基板的第一金属层图形。3.根据权利要求1所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述倒台型结构包括：形成层叠设置的第一图形和第二图形，所述第一图形位于所述第二图形和所述衬底基板之间，所述第一图形在所述衬底基板上的正投影位于所述第二图形在所述衬底基板上的正投影内。4.根据权利要求3所述的OLED显示基板的制作方法，其特征在于，形成所述第一图形包括：形成所述第一图形的过渡图形；在形成第二图形后，以所述第二图形为掩膜对所述第一图形的过渡图形的侧表面进行刻蚀，使得所述第一图形的过渡图形向内缩进，形成...

【专利技术属性】
技术研发人员：王和金，王品凡，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11