半导体装置及其工作方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其工作方法，其中，半导体装置包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。利用所述半导体装置能够检控腔室内侧壁副产物的量。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其工作方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体装置及其工作方法。
技术介绍
在半导体工艺制造过程中，所述半导体工艺通常在相应的腔室内进行，在进行半导体工艺的过程中，易在腔室的内侧壁产生副产物。当副产物的量累积到一定量时，将发生跌落，对待处理基底造成缺陷，使得待处理基底的性能较差。然而，现有半导体装置难以对副产物的量进行检控。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体装置及其工艺方法，以监控腔室内侧壁副产物的量。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体装置，包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。可选的，所述探测装置包括相对设置的发射端和接收端；所述发射端为光源；所述接收端为光敏传感器。可选的，所述发射端和接收端均固设于腔室的内侧壁。可选的，所述腔室设有第一透明窗；所述发射端设于所述第一透明窗的外侧壁，且所述接收端设于腔室的内侧壁；或者，所述接收端设于第一透明窗的外侧壁，且所述发射端设于腔室的内侧壁。可选的，所述腔室还设有第二透明窗，且所述第二透明窗与第一透明窗相对设置；所述发射端设于第一透明窗的外侧壁，且所述接收端设于第二透明窗的外侧壁。可选的，所述控制单元包括：接收单元，用于获取第一光强信息；匹配单元，用于判断第一光强是否处于预设范围内；发射单元，当第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。可选的，所述反应物为等离子体。可选的，还包括：固设于腔室底部的基座，所述基座包括承载面，所述承载面用于承载第一待处理基底；耦合于腔室的偏置单元，用于使反应物向承载面运动。相应的，本专利技术还提供一种半导体装置的工作方法，包括：提供上述半导体装置；提供第一待处理基底；将第一待处理基底置于腔室内；探测腔室内的第一光强；当所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应气体，所述反应气体对第一待处理基底进行工艺处理。可选的，获取所述预设范围的方法包括：提供若干批次第二待处理基底；采用所述半导体装置处理所述若干批次第二待处理基底；在处理所述若干批次第二待处理基底之前，获取所述腔室内的第二光强；在处理每一批次第二待处理基底之后，获取所述腔室内的第三光强；在处理每一批次第二待处理基底之后，获取所述若干批次第二待处理基底中，已被处理的第二待处理基底的累积个数；通过若干所述第三光强和各第三光强对应的累积个数，获取数量光强关系信息；通过所述数量光强关系信息获取光强突变点；获取所述预设范围，所述预设范围为所述光强突变点对应的第三光强与第二光强之间的范围。可选的，对第一待处理基底进行工艺处理的过程中，利用探测装置探测腔室内的第一光强；或者，对第一待处理基底进行工艺处理之后，利用探测装置探测腔室内的第一光强。可选的，当所述第一光强不在预设范围内时，对腔室的内侧壁进行清洁处理。可选的，所述清洁处理包括：物理擦拭法和化学去除法中的一种或者两种。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案提供的半导体装置中，在所述腔室内对第一待处理基底进行工艺处理之前，利用所述探测装置探测腔室内的第一光强。当第一光强在预设范围内，说明腔室内侧壁的副产物的量在安全范围内，此时，控制单元使发生单元向腔室内通入反应物对第一待处理基底进行工艺处理，能够防止所述副产物跌落于第一待处理基底的表面，对第一待处理基底表面造成缺陷，因此，有利于提高第一待处理基底表面的质量。由此可见，所述探测装置和控制单元能够实现对腔室内侧壁副产物的检控。进一步，所述探测装置包括相对设置的发射端和接收端，所述腔室具有相对设置的第一透明窗和第二透明窗，且所述发射端设于第一透明窗的外侧壁，所述接收端设于第二透明窗的外侧壁，使得探测装置不仅能够探测腔室内的第一光强，还能够防止探测装置受到腔室内工艺处理的影响。并且，所述发射端和接收端设于腔室的外侧壁，在维护发射端和接收端时，无需打开腔室，使得维护发射端和接收端较方便。附图说明图1是一种刻蚀装置的结构示意图；图2是本专利技术一实施例半导体装置的结构示意图；图3是本专利技术另一实施例半导体装置的结构示意图；图4是本专利技术又一实施例半导体装置的结构示意图；图5是本专利技术再一实施例半导体装置的结构示意图；图6是本专利技术半导体装置工作方法的流程图；图7是利用本专利技术半导体装置获取预设范围的数量光强关系信息。具体实施方式正如
技术介绍
所述，利用现有装置对待处理基底处理后，所述待处理基底表面的缺陷较多。图1是一种刻蚀装置的结构示意图。请参考图1，腔室100；耦合于腔室100的等离子体发生单元(图中未示出)，用于产生等离子体；位于所述腔室100内的基座101，基座101固定于腔室100底部，且所述基座101用于承载待处理基底。利用所述刻蚀装置对待处理基底进行刻蚀工艺，在所述待处理基底内形成开口(图中未示出)。为了精确控制开口的尺寸，需在开口的侧壁形成副产物。所述副产物除了附着于开口的侧壁，还附着于腔室100内侧壁。随着刻蚀工艺的不断进行，使得副产物的质量不断增大，当所述副产物的质量过大时，将跌落于待处理基底的表面，使待处理基底表面易产生缺陷。然而，副产物何时跌落难以预料，因此，迫切需要设置检控系统。为解决所述技术问题，本专利技术提供一种半导体装置，包括：探测装置，用于探测腔室内的第一光强，控制单元，用于在第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。利用所述半导体装置能够检控腔室内侧壁副产物的量。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2是本专利技术半导体装置的结构示意图。请参考图2，腔室200，所述腔室200用于放置第一待处理基底；耦合于腔室200的发生单元(图中未示出)，用于向腔室200内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置202，用于探测腔室200内的第一光强；控制单元(图中未示出)，用于在第一光强在预设范围内时，使发生单元向腔室200内输入反应物。在本实施例中，所述腔室200的形状为圆柱体。在其他实施例中，所述腔室为长方体或者正方体。所述腔室200内用于进行工艺处理，在工艺处理的过程中，易产生副产物，所述副产物易附着于腔室200的内侧壁。在本实施例中，所述腔室200的材料为不透明材料，则所述探测装置202设置于腔室200的内侧壁，当腔室200内进行工艺处理时，所形成的副产物还易附着于探测装置202表面，使得探测装置202检测到的第一光强发生变化，具体的，当副产物的厚度越厚，所述第一光强越小。在本实施例中，所述腔室200的材料包括：金属、合金或者陶瓷。在本实施例中，所述腔室200内用于对第一待处理基底进行干法刻蚀工艺。在其他实施例中，所述工艺处理包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺或者原子层沉积工艺。在本实施例中，还包括：设于所述腔室200底部的基座201，所述基座201包括承载面(图中未标出)，所述承载面用于承载第一待处理基底。在本实施例中，所述基座201固定于腔室200的底部，且所述基座201为静本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：腔室，所述腔室内用于放置第一待处理基底；耦合于腔室的发生单元，用于向腔室内输入反应物，所述反应物用于对第一待处理基底进行工艺处理；探测装置，用于探测腔室内的第一光强；控制单元，用于在所述第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述探测装置包括相对设置的发射端和接收端；所述发射端为光源；所述接收端为光敏传感器。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述发射端和接收端均固设于腔室的内侧壁。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于，所述腔室设有第一透明窗；所述发射端设于所述第一透明窗的外侧壁，且所述接收端设于腔室的内侧壁；或者，所述接收端设于第一透明窗的外侧壁，且所述发射端设于腔室的内侧壁。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述腔室还设有第二透明窗，且所述第二透明窗与第一透明窗相对设置；所述发射端设于第一透明窗的外侧壁，且所述接收端设于第二透明窗的外侧壁。6.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述控制单元包括：接收单元，用于获取第一光强信息；匹配单元，用于判断第一光强是否处于预设范围内；发射单元，当第一光强处于预设范围内时，使发生单元向腔室内输入反应物。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述反应物为等离子体。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：固设于腔室底部的基座，所述基座包括承载面，所述承载面用于承载第一待处理基底；耦合于腔室的偏置单元，用于使反...

【专利技术属性】
技术研发人员：李垚，陈伏宏，刘家桦，叶日铨，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32