减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法技术

该发明专利技术涉及一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：提供一槽体，槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在槽体内的流量均匀板，流量均匀板设有若干通孔，并将槽体所围成的空间沿槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入上腔；向下腔内注入刻蚀溶液，刻蚀溶液流经流量均匀板到达上腔，并对待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。本发明专利技术的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法具有流量均匀板，通过设置在流量均匀板上的孔对穿过流量均匀板的刻蚀溶液进行分流，使得通过孔进入到上腔的刻蚀溶液被分流成更多股，更多股的刻蚀溶液对上腔内存放的刻蚀溶液进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使槽体中的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。

【技术实现步骤摘要】
减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法本专利技术涉及半导体生产制备领域，尤其涉及一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法。
技术介绍
为了改善存储器件的密度，业界已经广泛致力于研发减小二维布置的存储器单元的尺寸的方法。随着二维(2D)存储器件的存储器单元尺寸持续缩减，信号冲突和干扰会显著增大，以至于难以执行多电平单元(MLC)操作。为了克服2D存储器件的限制，具有三维(3D)结构的存储器件今年来的研究逐渐升温，通过将存储器单元三维地布置在衬底之上来提高集成密度。在3DNAND的制备工艺中，去除栅极线中的氮化硅是关键步骤之一。目前，去除栅极线中的氮化硅采用的是将形成了栅线隔槽的半导体结构放入磷酸箱中、由高温的磷酸对栅线隔槽中的氮化硅进行刻蚀的方法。然而，随着反应的进行，磷酸箱中不同位置的硅浓度不同，磷酸箱中存在局部硅浓度过高的现象。磷酸箱中的局部硅浓度过高，会使得磷酸对氮化硅进行刻蚀的过程中副产物的数量也增多，回沾到栅线隔槽的氧化硅上的氧化物增多，形成大头现象，影响后续处理。
技术实现思路
本专利技术中提供了一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，能够使槽体中的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。为了解决上述技术问题，本专利技术中提供了一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，包括以下步骤：提供一槽体，所述槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在所述槽体内的流量均匀板，所述流量均匀板设有若干通孔，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入所述上腔；向所述下腔内注入刻蚀溶液，所述刻蚀溶液流经所述流量均匀板到达上腔，并对所述待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。可选的，在向所述下腔内注入刻蚀溶液的同时，将所述下腔内的刻蚀溶液排出，并将排出的刻蚀溶液通入所述下腔，以实现刻蚀溶液的循环流动。可选的，所述槽体还设有排水口；所述槽体外还设有循环管路，所述循环管路至少包括连通的若干进水支管和若干排水支管，所述排水支管的一端与所述排水口连接并导通，所述进水支管的一端与所述进水口连接并导通；使用所述排水口将所述下腔内的刻蚀溶液排出至所述排水支管，并使用与所述排水支管连通的若干进水支管将刻蚀溶液通入至所述下腔，以实现刻蚀溶液的循环流动。可选的，在将刻蚀溶液从循环管路通入至所述下腔时，对刻蚀溶液加压，使刻蚀溶液通入至所述下腔时速度大于一预设值。可选的，所述循环管路上设置有增压泵；使用所述增压泵对将从循环管路通入至所述下腔的刻蚀溶液加压，使刻蚀溶液从所述循环管路通入至所述槽体内时的速度大于一预设值。可选的，所述槽体的底部设置有进水口，所述进水口处设置有喷嘴；自所述喷嘴向所述下腔内注入刻蚀溶液。可选的，所述槽体的底部至少设置有三排进水口；自所述槽体的所有进水口同时向所述下腔内注入刻蚀溶液。可选的，所述待刻蚀半导体结构包括衬底，所述衬底表面形成有堆叠结构，所述堆叠结构包括沿垂直衬底表面方向相互堆叠的若干层氮化硅层和氧化硅层，且所述堆叠结构内形成有栅线隔槽，所述栅线隔槽贯穿所述堆叠结构至所述衬底表面。可选的，刻蚀溶液为磷酸溶液。可选的，所述磷酸溶液的质量浓度为85％～90％。本专利技术的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法具有流量均匀板，通过设置在所述流量均匀板上的孔对穿过所述流量均匀板的刻蚀溶液进行分流，使得通过所述孔进入到上腔的刻蚀溶液被分流成更多股，更多股的刻蚀溶液对上腔内存放的刻蚀溶液进行推动、搅拌，因此具有更好的推动效果，能够使槽体中的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。附图说明图1为本专利技术的一种具体实施方式中减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法的流程示意图。图2为本专利技术的一种具体实施方式中的槽体的结构示意图。图3为本专利技术的一种具体实施方式中的流量均匀板的结构示意图。图4为本专利技术的一种具体实施方式中的槽底的俯视示意图。图5为本专利技术的一种具体实施方式中待刻蚀半导体结构的结构示意图。图6为本专利技术的一种具体实施方式中被湿法刻蚀后的半导体结构的结构示意图。具体实施方式以下结合附图和具体实施方式对本专利技术提出的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法作进一步详细说明。请参阅图1至图4，其中图1为本专利技术的一种具体实施方式中减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法的流程示意图，图2为本专利技术的一种具体实施方式中的槽体的结构示意图，图3为本专利技术的一种具体实施方式中的流量均匀板的结构示意图，图4为本专利技术的一种具体实施方式中的槽底的俯视示意图。在该具体实施方式中，减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法包括以下步骤：S11提供一槽体200，所述槽体200内盛放有刻蚀溶液；S12提供一放置在所述槽体200内的流量均匀板202，所述流量均匀板202设有若干通孔204，并将所述槽体200所围成的空间沿所述槽体200的深度方向分隔为上腔207和下腔208；S13将待刻蚀半导体结构203放入所述上腔207；S14向所述下腔208内注入刻蚀溶液，所述刻蚀溶液流经所述流量均匀板202到达上腔208，并对所述待刻蚀半导体结构203进行湿法刻蚀。所述槽体200用于盛放刻蚀溶液，所述槽体200的底部设有若干进水口201；设有若干通孔的流量均匀板202，所述流量均匀板202用于放置在所述槽体200内，并将所述槽体200所围成的空间沿所述槽体200的深度方向分隔为上腔207和下腔208，待处理物体用于放置在所述上腔207，所述进水口201位于所述下腔208。由于所述槽体200中盛放的刻蚀溶液可能呈现强烈的酸性或碱性，因此，在实际的使用过程中，所述槽体200需要由耐腐蚀的材料制成，或具有耐腐蚀的表面，以防止在盛放强酸强碱时被强酸强碱所腐蚀。所述流量均匀板202可拆卸地安装在所述槽体200上，设置于所述槽体200的下腔208的进水口201流出的刻蚀溶液需要经过所述流量均匀板202才能进入至所述上腔207，而由于所述流量均匀板202上设置有若干通孔，经过所述流量均匀板202才进入至所述上腔207的刻蚀溶液被所述流量均匀板202均匀化，上腔207内的刻蚀溶液中各种离子均匀分布。在一种具体实施方式中，所述流量均匀板202放置于所述槽体200内时，与进水口201的开口朝向垂直，对所述进水口201喷出的绝大部分刻蚀溶液进行均匀话处理，且此时所述流量均匀板202对所述进水口201喷出的刻蚀溶液的均匀化处理的效率最高。实际上，本领域的技术人员也可以设置所述流量均匀板202与所述进水口201的开口朝向呈一非直角夹角，如40°、60°等，只是此时所述流量均匀板202对所述进水口201喷出的刻蚀溶液的均匀化处理的效率会发生变化。所述流量均匀板202的尺寸与所述槽体200的尺寸相匹配，卡设于所述槽体200内，将所述槽体200隔断为上腔207和下腔208。在一种具体实施方式中，所述流量均匀板202包括至少十五排孔204，所述孔204在垂直所述流量均匀板202表面方向上贯穿所述流量均匀板202，用于使穿过所述流量均匀板202的刻蚀溶液分流成更多股，被分流成的多股刻蚀溶液搅拌、推动上腔207中放置的刻蚀溶液，使所述上腔207中放置的刻蚀溶液的各种离子均匀分布。由于所述孔204设置于所述流量均匀板202的各个位置，因此当刻蚀溶液流经所述流量均匀板202、从所述流量均匀板202朝向所述槽体200底部的一侧进入到所述流量均匀板202朝向所述槽体200顶部的一侧时，会从所述流量均匀板202上本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一槽体，所述槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在所述槽体内的流量均匀板，所述流量均匀板设有若干通孔，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入所述上腔；向所述下腔内注入刻蚀溶液，所述刻蚀溶液流经所述流量均匀板到达上腔，并对所述待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。

【技术特征摘要】
1.一种减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一槽体，所述槽体内盛放有刻蚀溶液；提供一放置在所述槽体内的流量均匀板，所述流量均匀板设有若干通孔，并将所述槽体所围成的空间沿所述槽体的深度方向分隔为上腔和下腔；将待刻蚀半导体结构放入所述上腔；向所述下腔内注入刻蚀溶液，所述刻蚀溶液流经所述流量均匀板到达上腔，并对所述待刻蚀半导体结构进行湿法刻蚀。2.根据权利要求1所述的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，其特征在于，在向所述下腔内注入刻蚀溶液的同时，将所述下腔内的刻蚀溶液排出，并将排出的刻蚀溶液通入所述下腔，以实现刻蚀溶液的循环流动。3.根据权利要求2所述的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，其特征在于，所述槽体还设有排水口；所述槽体外还设有循环管路，所述循环管路至少包括连通的若干进水支管和若干排水支管，所述排水支管的一端与所述排水口连接并导通，所述进水支管的一端与所述进水口连接并导通；使用所述排水口将所述下腔内的刻蚀溶液排出至所述排水支管，并使用与所述排水支管连通的若干进水支管将刻蚀溶液通入至所述下腔，以实现刻蚀溶液的循环流动。4.根据权利要求3所述的减少刻蚀副产物的湿法刻蚀方法，其特征在于，在将刻蚀溶液从循环管路通入至所述下腔...

【专利技术属性】
技术研发人员：宋冬门，李君，夏余平，刘开源，王二伟，
申请(专利权)人：长江存储科技有限责任公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42