干蚀刻设备的上电极及其制造方法技术

一种干蚀刻设备的上电极，包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。还提供一种干蚀刻设备的上电极的制造方法。

【技术实现步骤摘要】
干蚀刻设备的上电极及其制造方法
本揭示涉及干蚀刻
，特别是涉及一种干蚀刻设备的上电极及其制造方法。
技术介绍
随着显示装置的发展，玻璃尺寸不断增大，干蚀刻设备的蚀刻均一性(uniformity)对产品性能及质量具有至关重要的作用。高阶产品对残膜均一性的要求越来越高。举例来说，栅极绝缘层蚀刻后的残膜均一性需要做到5％以下才能实现电性及色偏需求。栅极绝缘层的残膜厚度与色偏分布图呈现一致的关系。更明确地说，栅极绝缘层四角的厚度较薄，色偏的程度较低。栅极绝缘层中间的残膜厚度较厚，色偏的程度较高。也就是说，栅极绝缘层厚度不均会导致颜色不均的问题。干蚀刻制程中，所需的反应气体在反应室腔体内的分布均一性直接决定蚀刻速率的均一性。反应气体通过上电极上的进气孔进入反应室腔体，在上下电极间的电源作用下形成等离体(plasma)，进而对膜层进行蚀刻。局部plasma密度越高，蚀刻速率越快。局部plasma密度越低，蚀刻速率越慢。plasma密度与反应气体在反应室腔体的分布直接相关。现有干蚀刻设备采用的上电极进气孔分布均匀，而排气孔安置在反应室腔体的四角(即下电极的四角)。气体从进气孔进入反应室腔体后形成plasma，制程完成后从排气孔排出。由于排气孔分布不均匀(仅下电极的四角)，必然使得反应气体从进气孔到出气孔之间形成固定气流路线，造成反应气体在反应室腔体内的分布不均。因此，蚀刻后的膜层不均，导致色偏问题严重。因此有必要通过改变上电极进气孔密度来补偿气体分布不均。
技术实现思路
本揭示的目的在于提供一种干蚀刻设备的上电极及其制造方法，其能解决现有技术中的问题。为解决上述问题，本揭示提供的一种干蚀刻设备的上电极包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。于一实施例中，所述干蚀刻设备进一步包括一反应室腔体以及一下电极，所述上电极及所述下电极设置于所述反应室腔体中，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者。于一实施例中，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置。于一实施例中，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备不包括所述干蚀刻设备的四角、边缘、中心部位、以及四个象限的中心位置的其他位置。于一实施例中，对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者的区域的进气孔的分布密度低于对应至所述干蚀刻设备的其他位置的进气孔的分布密度。于一实施例中，对应至所述干蚀刻设备的其他位置的区域的进气孔的分布密度低于对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置的进气孔的分布密度。为解决上述问题，本揭示提供的一种干蚀刻设备的上电极的制造方法包括：提供一导电板体，所述导电板体分成多个区域；以及于所述导电板体的每一个区域开设多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。于一实施例中，所述干蚀刻设备的上电极的制造方法进一步包括：将所述多个区域的至少一个区域中的相邻进气孔之间形成多个进气孔。于一实施例中，所述干蚀刻设备的上电极的制造方法进一步包括：将所述多个区域的至少一个区域中的进气孔的一部分堵住。于一实施例中，所述干蚀刻设备的上电极的制造方法进一步包括：将所述多个区域的至少一个区域中的进气孔间隔地堵住。相较于现有技术，本揭示之干蚀刻设备的上电极及其制造方法可根据所述上电极各区域对应至所述干蚀刻设备内部的不同蚀刻速率设计各区域的进气孔的分布密度，因此可提高制程中反应气体均一性并获得较均匀的plasma分布。此外，本揭示还可在现有上电极的基础上进行改造，进而节省上电极的制造成本。为让本揭示的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图式，作详细说明如下：附图说明图1显示显示根据本揭示一实施例之干蚀刻设备的上电极的上视图。图2至图4显示不同进气孔的分布密度示意图。图5显示根据本揭示一实施例之干蚀刻设备的上电极的制造方法流程图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图式，用以例示本揭示可用以实施的特定实施例。请参阅图1至图4，图1显示根据本揭示一实施例之干蚀刻设备的上电极2的制造方法流程图。图1显示显示根据本揭示一实施例之干蚀刻设备的上电极2的上视图。图2至图4显示不同进气孔22的分布密度示意图。所述干蚀刻设备主要包括一反应室腔体、所述上电极2、以及一下电极。所述上电极2及所述下电极设置于所述反应室腔体中。所述上电极2作为干蚀刻制程所需的反应气体的入口。所述下电极作为所述反应气体的出口。所述干蚀刻设备的上电极包括一导电板体20，所述导电板体分成多个区域A1、A2以及A3。所述导电板体20可以为其他适合之材质制成且形状不限。所述多个区域A1、A2及A3的面积可以相同或不相同。所述导电板体的每一个区域A1、A2及A3开设有多个进气孔22，其中所述多个区域A1、A2及A3的至少两个区域的进气孔22的分布密度不同。于本实施例中，所述区域A1、所述区域A2及所述区域A3的进气孔22的分布密度皆不同。所述区域A1、所述区域A2及所述区域A3的进气孔22的分布密度是根据各区域的蚀刻速率而定。更明确地说，所述区域A1、所述区域A2及所述区域A3的进气孔22的分布密度是根据各区域对应至反应室腔体的内部位置的蚀刻速率而定。举例来说，根据测量及实验可知，所述区域A3的蚀刻速率最快，所述区域A2的蚀刻速率次之，所述区域A1的蚀刻速率最慢。所述区域A3的蚀刻速率最快，因此如图2所示，所述区域A3的进气孔22的分布密度可以最小，亦即所述区域A3所需进气孔22的数量最少。所述区域A1的蚀刻速率最慢，因此如图3所示，所述区域A1的进气孔22的分布密度可以最高，亦即所述区域A1所需进气孔22的数量最多。所述区域A2的蚀刻速率比所述区域A3的蚀刻速率慢且比所述区域A1的蚀刻速率快，因此如图4所示，所述区域A2的进气孔22的分布密度高于所述区域A3的分布密度且低于所述区域A1的分布密度，亦即所述区域A2所需进气孔22的数量大于所述区域A3所需进气孔22的数量且小于所述区域A1所需进气孔22的数量。上述进气孔22的直径可以为1毫米。所述区域A3对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位(蚀刻速率最快)，因此可如图2所示采用低密度的进气孔22。相邻两进气孔22的间距例如为50毫米(millimeter，mm)。所述区域A1对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置(蚀刻速率最慢)，因此可如图3所示采用高密度的进气孔22。相邻两进气孔22的间距例如为12.5毫米。所述区域A2对应至所述干蚀刻设备的其他位置(蚀刻速率居中)，因此可如图4所示采用中密度的进气孔22。相邻两进气孔22的间距例如为25毫米。本揭示之干蚀刻设备的上电极可根据所述上电极各区域对应至所述干蚀刻设备内部的不同蚀刻速率设计各区域的进气孔的分布密度，因此可提高制程中反应气体均一性并获得较均匀的plasma分布。请参阅图1及图5，图5显示根据本揭示一实施例之干蚀刻设备的上电极2的制造方法流程图。所述干蚀刻设备主要包括一反应室腔体、所述上电极2、以及一下电极。所述上电极2及所述下电极设置于所述反应室腔体中。所述上电极2作为干蚀刻本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种干蚀刻设备的上电极，其特征在于，包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。

【技术特征摘要】
1.一种干蚀刻设备的上电极，其特征在于，包括导电板体，所述导电板体分成多个区域，所述导电板体的每一个区域开设有多个进气孔，其中所述多个区域的至少两个区域的进气孔的分布密度不同。2.根据权利要求1所述的干蚀刻设备的上电极，所述干蚀刻设备进一步包括一反应室腔体以及一下电极，所述上电极及所述下电极设置于所述反应室腔体中，其特征在于，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者。3.根据权利要求2所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备的四个象限的中心位置。4.根据权利要求3所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，所述多个区域的至少一个区域对应至所述干蚀刻设备不包括所述干蚀刻设备的四角、边缘、中心部位、以及四个象限的中心位置的其他位置。5.根据权利要求4所述的干蚀刻设备的上电极，其特征在于，对应至所述干蚀刻设备的四角、边缘、以及中心部位的其中一者的区域的进...

【专利技术属性】
技术研发人员：温彦跃，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44