一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法技术

本发明专利技术公开一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法，采用上极板采样，比较器正负输入端电容阵列采用电容拆分结构。第三个参考电压Vaq（VREF/4）只作用于LSB电容和dummy电容，与传统结构相比，电容面积减少了87.5％。从第二个位转换周期到倒数第三个位转换周期，采用电荷均值开关算法；剩余两个位转换周期引入Vaq。与传统结构相比，开关能耗减少了98％。另外，除了最后两个位转换周期，比较器输入端的共模电压保持不变。本发明专利技术适用于低电容面积低功耗的电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，能大幅度降低成本，具有很好的经济效益。

A successive approximation analog-to-digital converter with capacitor split structure and its switching method

The invention discloses a successive approximation analog-to-digital converter with a capacitor splitting structure and a switching method thereof. The upper pole plate is used for sampling, and the capacitor array at the positive and negative input terminals of the comparator adopts a capacitor splitting structure. The third reference voltage Vaq (VREF/4) only acts on LSB capacitor and dummy capacitor. Compared with the traditional structure, the capacitor area is reduced by 87.5%. From the second bit conversion cycle to the reciprocal third bit conversion cycle, the charge mean switching algorithm is used; the remaining two bit conversion cycles are introduced into Vaq. Compared with the traditional structure, the energy consumption of the switch is reduced by 98%. In addition, the common-mode voltage at the input of the comparator remains unchanged except for the last two bit-switching cycles. The invention is suitable for successive approximation analog-to-digital converter with low capacitance area and low power consumption capacitance splitting structure, which can greatly reduce cost and has good economic benefits.

【技术实现步骤摘要】
一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法
本专利技术涉及模数混合信号集成电路领域，尤其涉及一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法。
技术介绍
转换生物医学信号(如心电图，脑电图等)需要超低功耗、中等精度和低采样率电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器。该电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的功耗主要在于比较器、电容阵列构成的数模转换器、数字控制电路和漏电流。比较器采用动态结构，数字控制电路受益于先进的CMOS工艺。并且电容阵列在电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器中所占面积和能耗都很大，所以需要降低电容阵列开关能耗，减少电容阵列面积，降低芯片制作成本，提高经济效益。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器及其开关方法，在同等精度下，与10位传统结构相比，电容面积减少了87.5％，开关过程中产生的功耗减少了98％。本专利技术采用的技术方案是：一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；MSB部分和LSB部分包括N-5个高位电容、一个LSB电容和一个dummy电容，N-5个高位电容的容值依次降权，其中最高权重的高位电容的容值为2N-5C，N为模数转换器的精度且N为大于5的整数；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容的下极板对应连接；VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF/4。进一步地，模数转换器的LSB电容和dummy电容均为单位电容，模数转换器总共包括2N-3个单位电容，N为模数转换器的精度。进一步地，本专利技术还公开了基于所述的一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的开关方法，其包括以下步骤；步骤1，采样阶段：正输入电压VINP通过采样开关SP的导通连接到正向电容阵列的上极板，正向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF；负输入电压VINN通过采样开关SN的导通连接到反向电容阵列的上极板，反向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd；步骤2，构建每次计较的数字码DM的计算公式，M表示当前的比较序号，则针对具体的第M次的数字码DM计算公式如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；当M≥2且时，其中m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；步骤3，第一次比较：采样开关SP、SN断开，开始第一次比较获取数字码D1；当VINP大于VINN时，数字码D1＝1；当VINP小于等于VINN时，数字码D1＝0；当D1＝1，则正向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，VCM表示对应电容的下极板相连接，VCM＝VREF/2；即比较器正输入端电压减少了VREF/4，比较器负输入端电压增加了VREF/4；反之D1＝0，正向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，即比较器正输入端电压增加了VREF/4，比较器负输入端电压减少了VREF/4；步骤4，依次进行第二次至第N-3次比较，N为模数转换器的精度：每次计较时先通过DM计算公式计算该次比较的数字码DM；再确定该次比较对应的权重电容，其中第二次比较对应的权重电容为正向电容阵列和反向电容阵列的对应部分(D1＝1时，为LSB部分；D1＝0时，为MSB部分)的最大权重的高位电容，随着比较次数的增加该次比较对应的电容的权重依次降低，则每次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DM＝1，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；当D1＝1且DM＝0，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝1，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝0且DM＝0，则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；则正向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的MSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；步骤5，进行第N-2次比较，则该次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2N-3的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DN-2＝1，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gnd切换到Vaq，LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到gnd，其余电容下极板保持不变，反向电容阵列中LSB部分的dummy电容下极板从VCM切换到VREF，其余电容下极板保持不变；当D1＝1且DN-2＝0，则正向电容阵列中MSB部分的LSB电容和dummy电容下极板从gn本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；MSB部分和LSB部分包括N‑5个高位电容、一个LSB电容和一个dummy电容，N‑5个高位电容的容值依次降权，其中最高权重的高位电容的容值为2N‑5C，N为模数转换器的精度且N为大于5的整数；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容的下极板对应连接；VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF/4。...

【技术特征摘要】
1.一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：其包括依次连接的电容阵列、比较器和控制逻辑电路，其中电容阵列包括连接到比较器正输入端的电容拆分结构的正向电容阵列和连接到比较器负输入端的电容拆分结构的反向电容阵列，比较器的输出端连接控制逻辑电路的输入端，正向电容阵列和反向电容阵列均采用电容拆分结构，且均包括MSB部分和LSB部分，MSB部分和LSB部分完全一致，均为二进制权重；MSB部分和LSB部分包括N-5个高位电容、一个LSB电容和一个dummy电容，N-5个高位电容的容值依次降权，其中最高权重的高位电容的容值为2N-5C，N为模数转换器的精度且N为大于5的整数；正向电容阵列上极板通过采样开关SP与正输入端电压VINP相连，反向电容阵列上极板通过采样开关SN与负输入端电压VINN相连，正向电容阵列的下极板除LSB电容和dummy电容外分别通过选择开关与VREF、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的同等权重的电容的下极板相连接，正向电容阵列的LSB电容和dummy电容的下极板各自通过选择开关与VREF、Vaq、gnd以及反向电容阵列对应MSB部分和LSB部分的LSB电容和dummy电容的下极板对应连接；VREF基准电压，Vaq为参考电压，Vaq＝VREF/4。2.根据权利要求1所述的一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器，其特征在于：模数转换器的LSB电容和dummy电容均为单位电容，模数转换器总共包括2N-3个单位电容，N为模数转换器的精度。3.基于权利要求1或2所述的一种电容拆分结构的逐次逼近型模数转换器的开关方法，其特征在于：其包括以下步骤；步骤1，采样阶段：正输入电压VINP通过采样开关SP的导通连接到正向电容阵列的上极板，正向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF；负输入电压VINN通过采样开关SN的导通连接到反向电容阵列的上极板，反向电容阵列中MSB部分的电容阵列所有下极板连接到VREF，LSB部分的电容阵列所有下极板连接到gnd；步骤2，构建每次计较的数字码DM的计算公式，M表示当前的比较序号，则针对具体的第M次的数字码DM计算公式如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；当M≥2且时，其中m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则当VINP-VINN小于或等于时，DM＝0；步骤3，第一次比较：采样开关SP、SN断开，开始第一次比较获取数字码D1；当VINP大于VINN时，数字码D1＝1；当VINP小于等于VINN时，数字码D1＝0；当D1＝1，则正向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的LSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，VCM表示对应电容的下极板相连接，VCM＝VREF/2；即比较器正输入端电压减少了VREF/4，比较器负输入端电压增加了VREF/4；反之D1＝0，正向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板和反向电容阵列的MSB部分的所有电容的下极板连接到VCM，即比较器正输入端电压增加了VREF/4，比较器负输入端电压减少了VREF/4；步骤4，依次进行第二次至第N-3次比较，N为模数转换器的精度：每次计较时先通过DM计算公式计算该次比较的数字码DM；再确定该次比较对应的权重电容，其中第二次比较对应的权重电容为正向电容阵列和反向电容阵列的对应部分的最大权重的高位电容；随着比较次数的增加该次比较对应的电容的权重依次降低，则每次比较对应的转换器开关切换关系如下：当VINP-VINN大于时，DM＝1；则正向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，其余电容下极板保持不变；反向电容阵列的LSB部分与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，其余电容下极板保持不变；当m为满足|m|＜2M-1的所有整数；则对应的开关切换如下：当D1＝1且DM＝1，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为gnd，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；反向电容阵列中与该次比较对应权重的电容下极板由VCM切换为VREF，dummy电容和MSB部分所有电容下极板保持不变；当D1＝1且DM＝0，则正向电容阵列的LSB部分中与该次比较对...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，谢文明，陈知新，蔡思静，
申请(专利权)人：福建工程学院，
类型：发明
国别省市：福建,35