【技术实现步骤摘要】
一种光探测器原型器件的制备方法
本专利技术属于器件制备领域，具体涉及一种氧化亚铜作为光电转换层的可见光光电探测器。
技术介绍
光电探测器件是能将入射光信号转变成电信号的器件。可探测不同波长的光辐射，用于成像、工业自动化控制、移动物体的跟踪和控制等领域。氧化亚铜是无机金属氧化物P型直接带隙半导体材料，在可见光照射下能够产生光电导现象，氧化亚铜光响应好，可以用于可见光光电探测器材料。近年来随着柔性电子技术的发展，柔性光电探测器件的制备也引起关注。
技术实现思路
本专利技术针对现有技术的不足，提出了一种光探测器原型器件的制备方法。本专利技术将氧化亚铜纳米薄膜材料与有机材料结合，制备具有一定柔性的光电探测器。本专利技术在铜薄膜基底上生长石墨烯，通过热氧化在铜基底与石墨烯两者夹层中间生长氧化亚铜纳米厚度的二维薄膜，之后再石墨烯上表面制备空穴注入层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸(PEDOT:PSS)薄膜，再在PEDOT:PSS薄膜上表面制备空穴传输层聚乙烯基咔唑(PVK)，最后在PVK薄膜表面制备金属电极完成器件的制备。本专利技术一种光探测器原型器件的制备方法的具体步骤是：步骤(1).通过化学气相沉积法(CVD)在铜(Cu)薄膜表面生长单原子层厚度的石墨烯薄膜。取边长为1厘米厚125微米的正方形铜薄膜，放入CVD系统中的石英管中，向石英管中通入氢气，氢气流速(20sccm)；石英管从室温加热至1000℃，升温速率20℃/min；向石英管中通入甲烷，甲烷流速(100sccm)；在1000℃保温40min后，石英管快速降温至600℃，降温速率200℃/min，600...
【技术保护点】
1.一种光探测器原型器件的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤(1)、通过化学气相沉积法在铜薄膜表面生长单原子层厚度的石墨烯薄膜；步骤(2)、步骤(1)的产物放入180℃的烘箱中，烘箱中的湿度通过加湿器控制在湿度为80％；；放置12小时后取出；产物结构为中间夹有氧化亚铜的三明治结构，Cu/Cu2O/Gr；步骤(3)、在石墨烯表面通过旋涂法涂覆一层聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸薄膜，；聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸水溶液采用市售产品；旋涂转速为3000转/分钟；PEDOT:PSS薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS叠层结构；；其中聚(3,4‑乙烯二氧噻吩)‑聚苯乙烯磺酸薄膜即PEDOT:PSS薄膜；步骤(4)、在PEDOT:PSS薄膜表面继续通过旋涂法涂覆一层聚乙烯基咔唑薄膜；其中聚乙烯基咔唑薄膜为将聚乙烯基咔唑溶解于氯仿溶液中，浓度为0.02g/ml；旋涂转速为4000转/分钟；聚乙烯基咔唑薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS/PVK叠层结构；；其中PVK即聚乙烯基咔唑；步骤(5)、在Cu/Cu2...
【技术特征摘要】
1.一种光探测器原型器件的制备方法，其特征在于，该方法具体包括以下步骤：步骤(1)、通过化学气相沉积法在铜薄膜表面生长单原子层厚度的石墨烯薄膜；步骤(2)、步骤(1)的产物放入180℃的烘箱中，烘箱中的湿度通过加湿器控制在湿度为80％；；放置12小时后取出；产物结构为中间夹有氧化亚铜的三明治结构，Cu/Cu2O/Gr；步骤(3)、在石墨烯表面通过旋涂法涂覆一层聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜，；聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸水溶液采用市售产品；旋涂转速为3000转/分钟；PEDOT:PSS薄膜厚度为20nm；形成Cu/Cu2O/Gr/PEDOT:PSS叠层结构；；其中聚(3,4-乙烯二氧噻吩)-聚苯乙烯磺酸薄膜即PEDOT:PSS薄膜；步骤(4)、在PEDOT:PSS薄膜表面继续通过旋涂法涂覆一层聚乙烯基咔唑薄膜；其中聚乙烯基咔唑薄膜为将聚乙烯基咔唑溶...
【专利技术属性】
技术研发人员：吕燕飞，徐竹华，赵士超，
申请(专利权)人：杭州电子科技大学，
类型：发明
国别省市：浙江,33
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