发光芯片及其制造方法技术

本发明专利技术公开了一发光芯片及其制造方法，其中所述发光芯片包括一外延叠层、一钝化层、一N型电极以及一P型电极，所述外延叠层具有相互间隔的自所述外延叠层的一P型半导体层经一有源区延伸至一N型半导体层的一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，且所述钝化层的N型焊盘通道和所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的第一通道和所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的P型焊盘通道和第二通道对应于所述P型半导体层；所述N型电极和所述P型电极分别层叠于所述钝化层，并且所述N型电极电连接于所述N型半导体层，所述P型电极电连接于所述P型半导体层。

【技术实现步骤摘要】
发光芯片及其制造方法
本专利技术涉及半导体发光二极管，特别涉及一发光芯片及其制造方法。
技术介绍
发光二极管(LightEmittingDiode，LED)具有亮度高、寿命长、体积小和耗电量低等优点，这使得发光二极管被视为新一代的照明工具，进而促进发光二极管的发光芯片及其相关技术得到了突飞猛进式的发展。然而，现在的发光二极管的发光芯片仍然存在着发光效率低的问题，因此，如何提高发光二极管的发光芯片的发光效率仍然半导体发光二极管领域最重要的研究课题。图1A和图1B分别从剖视视角和俯视视角描述了现有的一发光芯片的结构，其中所述发光芯片包括一外延叠层10P、一透明导电层20P、一钝化层30P、一N型电极40P和一P型电极50P以及具有一第一端部101P和对应于所述第一端部101P的一第二端部102P。所述外延叠层10P包括一衬底11P和自所述衬底11P依次生长的一N型半导体层12P、一有源区13P以及一P型半导体层14P。所述外延叠层10P具有一N型焊盘裸露部15P和连通所述N型焊盘裸露部15P的至少一N型扩展条裸露部16P，所述N型焊盘裸露部15P和所述N型扩展条裸露部16P分别自所述P型半导体层14P经所述有源区13P延伸至所述N型半导体层12P，并且所述N型焊盘裸露部15P位于所述发光芯片的所述第二端部102P，所述N型扩展条裸露部16P自所述N型焊盘裸露部15P向所述发光芯片的所述第一端部101P延伸。所述透明导电层20P具有一导电层穿孔21P，其中所述透明导电层20P层叠于所述P型半导体层14P，并且所述透明导电层20P的所述导电层穿孔21P在所述发光芯片的所述第一端部101P对应于所述P型半导体层14P。所述钝化层30P具有一N型焊盘穿孔31P、至少一列N型扩展条穿孔32P、一P型焊盘穿孔33P以及至少一列P型扩展条穿孔34P，其中所述钝化层30P层叠于所述N型半导体层12P、所述P型半导体层14P和所述透明导电层20P，并且所述N型焊盘穿孔31P和各个所述N型扩展条穿孔32P分别对应于所述N型半导体层12P，所述P型焊盘穿孔33P对应于所述P型半导体层14P，各个所述P型扩展条穿孔34P分别对应于所述透明导电层20P。所述N型电极40P层叠于所述钝化层30P，并且所述N型电极40P的N型焊盘41P经所述N型焊盘穿孔31P延伸至和被连接于所述N型半导体层12P，和所述N型电极40P的各个N型扩展条连接针42P分别经各个所述N型扩展条穿孔32P延伸至和被连接于所述N型半导体层12P。所述P型电极50P层叠于所述钝化层30P，并且所述P型电极50P的P型焊盘51P经所述P型扩展条穿孔33P延伸至和被连接于所述P型半导体层14P，和所述P型电极50P的各个P型扩展条连接针52P分别经各个所述P型扩展条穿孔34P延伸至和被电连接于所述透明导电层20P。参考附图1A和图1B，在现有的所述发光芯片中，所述外延叠层10P的所述N型扩展条裸露部16P是一个长条形的凹槽，从所述发光芯片的俯视视角来看，所述N型扩展条裸露部16P自所述N型焊盘裸露部15P向所述发光芯片的所述第一端部101P方向延伸，从所述发光芯片的剖视视角来看，所述N型扩展条裸露部16P自所述P型半导体层14P经所述有源区13P延伸至所述N型半导体层12P，因此，所述发光芯片在对应于所述N型扩展条裸露部16P的区域没有所述有源区13P，这导致所述发光芯片在对应于所述N型扩展条裸露部16P的区域并不会使电子和空穴复合而产生光线，进而降低所述发光芯片的发光效率。
技术实现思路
本专利技术的一个目的在于提供一发光芯片及其制造方法，其中所述发光芯片的发光面积能够被增加，从而有利于提高所述发光芯片的发光效率。本专利技术的一个目的在于提供一发光芯片及其制造方法，其中所述发光芯片提供一外延叠层和一N型电极，其中所述外延叠层的对应于所述N型电极的区域能够产生光线，从而有利于增加所述发光芯片的发光面积。本专利技术的一个目的在于提供一发光芯片及其制造方法，其中所述外延叠层的N型焊盘裸露部和N型扩展条穿孔相互间隔，从而所述外延叠层的对应于所述N型电极且位于所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔之间的区域能够产生光线，从而有利于增加所述发光芯片的发光面积。本专利技术的一个目的在于提供一发光芯片及其制造方法，其中所述外延叠层具有多个相互间隔的所述N型扩展条穿孔，从而所述外延叠层的对应于所述N型电极且位于相邻两个所述N型扩展条穿孔之间的区域能够产生光线，从而有利于增加所述发光芯片的发光面积。本专利技术的一个目的在于提供一发光芯片及其制造方法，其中所述发光芯片具有良好的台阶覆盖性，以隔离所述外延叠层的N型半导体层和P型半导体层，从而避免漏电短路，进而保证所述发光芯片的可靠性。本专利技术的一个目的在于提供一发光芯片及其制造方法，其中所述外延叠层的用于形成所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔的内壁为倾斜内壁，通过这样的方式的，能够增加在后续生长的所述发光芯片的钝化层的台阶覆盖性，以避免漏电短路。依本专利技术的一个方面，本专利技术提供一发光芯片，其包括：一外延叠层，其中所述外延叠层包括一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述衬底，所述有源区层叠于所述N型半导体层，所述P型半导体层层叠于所述有源区，其中所述外延叠层具有一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔相互间隔，并分别自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层；一钝化层，其中所述钝化层具有一N型焊盘通道、至少一第一通道、一P型焊盘通道以及至少一第二通道，其中所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，其中所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述外延叠层的所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的所述第一通道和所述外延叠层的所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道对应于所述外延叠层的所述P型半导体层；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极层叠于所述钝化层，并且所述N型电极经所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述第一通道延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极层叠于所述钝化层，并且所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道被电连接于所述P型半导体层。根据本专利技术的一个实施例，所述发光芯片进一步包括一透明导电层，其中所述透明导电层层叠于所述外延叠层的所述P型半导体层，其中所述钝化层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道分别对应于所述透明导电层的不同位置，其中所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘和所述第二通道延伸至和被电连接于所述透明导电层。根据本专利技术的一个实施例，所述发光芯片进一步包括一透明导电层，其中所述透明导电层具有一导电层穿孔，所述透明导电层层叠于所述外延叠层的所述P型半导体层，并且所述透明导电层的所述导电层穿孔对应于所述P型半导体层，其中所述钝化层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述透明导电层的所述导电层穿孔相连通，其中所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道延伸至和被电连接于所述P型半导体层以及经所述钝化层的所述第二通道延伸至和被电本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一发光芯片，其特征在于，包括：一外延叠层，其中所述外延叠层包括一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述衬底，所述有源区层叠于所述N型半导体层，所述P型半导体层层叠于所述有源区，其中所述外延叠层具有一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔相互间隔，并分别自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层；一钝化层，其中所述钝化层具有一N型焊盘通道、至少一第一通道、一P型焊盘通道以及至少一第二通道，其中所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，其中所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述外延叠层的所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的所述第一通道和所述外延叠层的所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道对应于所述外延叠层的所述P型半导体层；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极层叠于所述钝化层，并且所述N型电极经所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述第一通道延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极层叠于所述钝化层，并且所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道被电连接于所述P型半导体层。...

【技术特征摘要】
1.一发光芯片，其特征在于，包括：一外延叠层，其中所述外延叠层包括一衬底、一N型半导体层、一有源区以及一P型半导体层，所述N型半导体层层叠于所述衬底，所述有源区层叠于所述N型半导体层，所述P型半导体层层叠于所述有源区，其中所述外延叠层具有一N型焊盘裸露部和至少一N型扩展条穿孔，所述N型焊盘裸露部和所述N型扩展条穿孔相互间隔，并分别自所述P型半导体层经所述有源区延伸至所述N型半导体层；一钝化层，其中所述钝化层具有一N型焊盘通道、至少一第一通道、一P型焊盘通道以及至少一第二通道，其中所述钝化层层叠于所述N型半导体层和所述P型半导体层，其中所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述外延叠层的所述N型焊盘裸露部相连通，所述钝化层的所述第一通道和所述外延叠层的所述N型扩展条穿孔相连通，所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道对应于所述外延叠层的所述P型半导体层；以及一电极组，其中所述电极组包括一N型电极和一P型电极，其中所述N型电极层叠于所述钝化层，并且所述N型电极经所述钝化层的所述N型焊盘通道和所述第一通道延伸至和被电连接于所述N型半导体层，其中所述P型电极层叠于所述钝化层，并且所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道被电连接于所述P型半导体层。2.根据权利要求1所述的发光芯片，进一步包括一透明导电层，其中所述透明导电层层叠于所述外延叠层的所述P型半导体层，其中所述钝化层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述第二通道分别对应于所述透明导电层的不同位置，其中所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘和所述第二通道延伸至和被电连接于所述透明导电层。3.根据权利要求1所述的发光芯片，进一步包括一透明导电层，其中所述透明导电层具有一导电层穿孔，所述透明导电层层叠于所述外延叠层的所述P型半导体层，并且所述透明导电层的所述导电层穿孔对应于所述P型半导体层，其中所述钝化层层叠于所述透明导电层，并且所述钝化层的所述P型焊盘通道和所述透明导电层的所述导电层穿孔相连通，其中所述P型电极经所述钝化层的所述P型焊盘通道延伸至和被电连接于所述P型半导体层以及经所述钝化层的所述第二通道延伸至和被电连接于所述透明导电层。4.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有一个所述N型扩展条穿孔，所述N型扩展条穿孔在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。5.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有两个所述N型扩展条穿孔，两个所述N型扩展条穿孔相互对称地在所述发光芯片的侧部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。6.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有一列所述N型扩展条穿孔，一列所述N型扩展条穿孔以相邻两个所述N型扩展条穿孔相互间隔的方式在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。7.根据权利要求3所述的发光芯片，其中所述外延叠层具有两列所述N型扩展条穿孔，每列所述N型扩展条穿孔分别以相邻两个所述N型扩展条穿孔相互间隔的方式在所述发光芯片的侧部自所述N型焊盘裸露部向所述发光芯片的第一端部方向延伸。8.根据权利要求6所述的发光芯片，其中所述钝化层具有一个所述第一通道，所述第一通道在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘通道向所述发光芯片的第一端部方向延伸，并且一列所述N型扩展条穿孔中的每个所述N型扩展条穿孔分别连通所述第一通道。9.根据权利要求6所述的发光芯片，其中所述钝化层具有一列所述第一通道，一列所述第一通道以相邻两个所述第一通道相互间隔的方式在所述发光芯片的中部自所述N型焊盘通道向所述发光芯片的第一端部方向延伸，并且每个所述N型扩展条穿孔和每个所述第一通道一一相连通。10.根据权利要求7所述的发光芯片，其中所述钝化层具有两个所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：魏振东，李俊贤，刘英策，周弘毅，邬新根，
申请(专利权)人：厦门乾照光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35