一种阵列基板及其制备方法、显示面板技术

本发明专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，涉及显示技术领域，可避免量子点发光层在像素界定层上爬坡，以避免量子点发光层的厚度不均一。一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上各子像素区域，形成第一电极；在各所述子像素区域，且所述第一电极上方形成量子点发光层；在形成有所述第一电极和所述量子点发光层的衬底上，形成像素界定层，所述像素界定层位于任意相邻所述量子点发光层之间；在各所述子像素区域，且所述量子点发光层上方形成第二电极。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板及其制备方法、显示面板
本专利技术涉及显示
，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板。
技术介绍
随着有机材料和量子点材料的迅速发展，有机电致发光器件(OrganicLight-EmittingDiode，简称OLED)和量子点电致发光器件(QuantumDotLightEmittingDiodes，简称QLED)也进展神速。并且，随着消费者消费水平的提升，高分辨率产品成为显示产品的重点发展方向。QLED由于其在宽色域、高寿命等方面的潜在优势，得到了越来越广泛的关注，其研究日益深入，量子效率不断提升，基本达到产业化的水平，进一步采用新的工艺和技术来实现其产业化已成为未来的趋势。由于量子点材料本身的特性，通常采用喷墨打印的方式形成量子点发光层，以有效提高量子点材料的利用率，并进行大面积制备。为了避免相邻子像素之间信号串扰，在形成量子点发光层之前，需先形成坝(bank)，即，像素界定层；之后，再采用喷墨打印工艺形成量子点发光层，以及位于量子点发光层背离衬底一侧的其他功能层。然而，用于形成量子点发光层的墨水存在在像素界定层上攀爬的问题，甚至攀爬至像素界定层的顶部平台区域，极大地影响了量子点发光层的形貌及厚度均匀性，对QLED器件的性能造成了极大的影响，进而影响QLED显示面板的量产。尤其是对于高分辨率的QLED显示面板，此问题更加显著。要制备高分辨率的QLED显示面板，相邻子像素之间的间隔较小，像素定义区的像素界定层的尺寸也较小，更容易造成量子点发光层在像素界定层上爬坡的现象，因此，对制备像素界定层的设备的精度以及稳定性有极高的要求，从而对QLED显示面板量产的提高也会有极大的限制。
技术实现思路
本专利技术的实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，可避免量子点发光层在像素界定层上爬坡，以避免量子点发光层的厚度不均一。为达到上述目的，本专利技术的实施例采用如下技术方案：第一方面，提供一种阵列基板的制备方法，包括：在衬底上各子像素区域，形成第一电极；在各所述子像素区域，且所述第一电极上方形成量子点发光层；在形成有所述第一电极和所述量子点发光层的衬底上，形成像素界定层，所述像素界定层位于任意相邻所述量子点发光层之间；在各所述子像素区域，且所述量子点发光层上方形成第二电极。可选的，形成所述量子点发光层，包括：利用光刻工艺形成所述量子点发光层。进一步可选的，利用光刻工艺形成所述量子点发光层，包括：形成量子点薄膜，所述量子点薄膜包括量子点发光材料和感光材料；对所述量子点薄膜进行曝光、显影，得到所述量子点发光层。进一步可选的，所述感光材料包括烯、炔、巯基、羟基中的至少一种；或者，所述感光材料的长分子链上包括有机金属化合物、羰基、环氧基中的至少一种。可选的，所述像素界定层，包括：第一子像素界定层和第二子像素界定层，所述第一子像素界定层形成于所述第二像素界定层靠近所述衬底的一侧；所述第一子像素界定层不透明，所述第二子像素界定层为绝缘层；沿所述衬底的厚度方向，所述量子点发光层靠近所述阵列基板的出光侧的表面在所述像素界定层上的正投影，不超出所述第一子像素界定层靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。进一步可选的，所述第一子像素界定层的材料包括金属，所述第二子像素界定层完全覆盖所述第一子像素界定层。进一步可选的，所述像素界定层还包括第三子像素界定层，所述第三子像素界定层为绝缘层；所述第一子像素界定层完全覆盖所述第三子像素界定层。可选的，在形成所述第一电极之后、形成所述量子点发光层之前，所述方法还包括：通过光刻工艺形成至少一层第一功能层；在形成所述量子点发光层之后、形成所述第二电极之前，所述方法还包括：通过光刻工艺或蒸镀工艺形成至少一层第二功能层。可选的，在形成所述第一电极之前，所述方法还包括：在各所述子像素区域，形成薄膜晶体管。第二方面，提供一种阵列基板，包括：在各子像素区域，依次设置于衬底上的第一电极和量子点发光层，以及设置于任意相邻所述量子点发光层之间的像素界定层，所述量子点发光层包括量子点发光材料和感光材料。可选的，所述像素界定层，包括：第一子像素界定层和第二子像素界定层，所述第一子像素界定层形成于所述第二像素界定层靠近所述衬底的一侧；所述第一子像素界定层不透明，所述第二子像素界定层为绝缘层；沿所述衬底的厚度方向，所述量子点发光层靠近所述阵列基板的出光侧的表面在所述像素界定层上的正投影，不超出所述第一子像素界定层靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。进一步可选的，所述第一子像素界定层的材料包括金属，所述第二子像素界定层完全覆盖所述第一子像素界定层。进一步可选的，所述像素界定层还包括第三子像素界定层，所述第三子像素界定层为绝缘层；所述第一子像素界定层完全覆盖所述第三子像素界定层。可选的，所述像素界定层在所述衬底上的正投影与所述量子点发光层在所述衬底上的正投影具有重叠区域，在所述重叠区域，所述量子点发光层与所述像素界定层直接接触；其中，沿一个所述子像素区域指向与其相邻的所述子像素区域的方向，所述重叠区域的宽度为500～1000nm。第三方面，提供一种显示面板，包括第二方面所述的阵列基板。本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板，通过先形成量子点发光层，之后，再形成像素界定层，相较于现有技术，可以避免量子点发光层在像素界定层上爬坡，以避免量子点发光层的厚度不均一，进而避免因量子点发光层厚度不均一问题影响QLED显示面板的量产；进一步的，即使所述阵列基板应用于高分辨率的QLED显示面板，也不会因量子点发光层在像素界定层上爬坡的问题，而导致对制备像素界定层的设备的精度以及稳定性的要求提高，从而影响QLED显示面板的量产；在此基础上，由于现有技术是先形成像素界定层，之后，在相邻像素界定层之间采用喷墨打印的方式形成量子点发光层，而本专利技术实施例则是先形成量子点发光层，之后，在形成有量子点发光层的衬底上形成像素界定层，因此，可先在衬底上形成平铺一整层的量子点薄膜，并且形成量子点薄膜的工艺不局限于现有技术的喷墨打印一种，还可以通过旋涂、喷涂等工艺形成量子点薄膜。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的流程示意图；图2为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；图3为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；图4为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；图5为本专利技术实施例提供的一种制备阵列基板的过程示意图；图6为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图7为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图8为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图9为本专利技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图。附图标记：10-衬底；11-第一电极；12-量子点发光层；13-像素界定层；131-第一子像素界定层；132-第二子像素界定层；133-第三子像素界定层；14-第二电极；15-第一功能层；16-第二功能层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上各子像素区域，形成第一电极；在各所述子像素区域，且所述第一电极上方形成量子点发光层；在形成有所述第一电极和所述量子点发光层的衬底上，形成像素界定层，所述像素界定层位于任意相邻所述量子点发光层之间；在各所述子像素区域，且所述量子点发光层上方形成第二电极。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括：在衬底上各子像素区域，形成第一电极；在各所述子像素区域，且所述第一电极上方形成量子点发光层；在形成有所述第一电极和所述量子点发光层的衬底上，形成像素界定层，所述像素界定层位于任意相邻所述量子点发光层之间；在各所述子像素区域，且所述量子点发光层上方形成第二电极。2.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，形成所述量子点发光层，包括：利用光刻工艺形成所述量子点发光层。3.根据权利要求2所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，利用光刻工艺形成所述量子点发光层，包括：形成量子点薄膜，所述量子点薄膜包括量子点发光材料和感光材料；对所述量子点薄膜进行曝光、显影，得到所述量子点发光层。4.根据权利要求3所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述感光材料包括烯、炔、巯基、羟基中的至少一种；或者，所述感光材料的长分子链上包括有机金属化合物、羰基、环氧基中的至少一种。5.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素界定层，包括：第一子像素界定层和第二子像素界定层，所述第一子像素界定层形成于所述第二像素界定层靠近所述衬底的一侧；所述第一子像素界定层不透明，所述第二子像素界定层为绝缘层；沿所述衬底的厚度方向，所述量子点发光层靠近所述阵列基板的出光侧的表面在所述像素界定层上的正投影，不超出所述第一子像素界定层靠近所述阵列基板的出光侧的边沿。6.根据权利要求5所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述第一子像素界定层的材料包括金属，所述第二子像素界定层完全覆盖所述第一子像素界定层。7.根据权利要求6所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，所述像素界定层还包括第三子像素界定层，所述第三子像素界定层为绝缘层；所述第一子像素界定层完全覆盖所述第三子像素界定层。8.根据权利要求1所述的阵列基板的制备方法，其特征在于，在形成所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：李东，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，北京京东方技术开发有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11