一种WOLED背板及其制备方法技术

技术编号:20367395 阅读:39 留言:0更新日期:2019-02-16 18:36
本申请提供一种WOLED背板及其制备方法,所述WOLED背板包括:基板;底层薄膜晶体管层,制备于所述基板上;彩膜,制备于所述底层薄膜晶体管层上,所述彩膜包括间隔分布的子彩膜单元;以及平坦层,制备于所述彩膜上,且在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有凹槽;阳极,对应所述子彩膜单元制备于所述平坦层上;像素定义层,对应所述凹槽的位置制备于所述平坦层上,并定义出像素区域;其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。

【技术实现步骤摘要】
一种WOLED背板及其制备方法
本申请涉及显示
,尤其涉及一种WOLED背板及其制备方法。
技术介绍
随着背板解析度的不断提高,像素数量及子像素间间距不断减小,对于底发射型WOLED(COA)发光时,光线需要通过平坦层和R/G/B彩膜,由于底发光WOLED的平坦层一般是高穿透有机材料,光线传播的多向性,往往会导致不需要发光的像素由于相邻的像素发光而发光,表现为漏光。因此,现有技术存在缺陷,急需改进。
技术实现思路
本申请提供一种WOLED背板及其制备方法,能够解决像素产生漏光的问题。为解决上述问题,本申请提供的技术方案如下:本申请提供一种WOLED背板的制备方法,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一形成有底层薄膜晶体管层的基板,在所述底层薄膜晶体管层上形成图案化的彩膜,所述彩膜包括对应子像素呈间隔分布的子彩膜单元;步骤S20,在所述彩膜上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化,形成对应相邻两所述子彩膜单元之间间隔位置的凹槽;步骤S30,在所述平坦层上形成对应所述子彩膜单元的图案化的阳极;步骤S40,在所述凹槽位置形成图案化的像素定义层,所述像素定义层定义出像素区域,其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。在本申请的WOLED背板的制备方法中,所述子彩膜单元包括红色彩膜单元、绿色彩膜单元以及蓝色彩膜单元。在本申请的WOLED背板的制备方法中,所述平坦层包括完全保留区域和部分保留区域,在所述步骤S20中的图案化制程中对对应所述完全保留区域的所述平坦层进行完全遮挡,对对应所述部分保留区域的所述平坦层进行半曝光。在本申请的WOLED背板的制备方法中,所述平坦层的所述完全保留区域对应所述子彩膜单元,所述部分保留区域对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置。在本申请的WOLED背板的制备方法中,在所述步骤S40之后,所述方法还包括以下步骤:步骤S50,在所述像素区域形成有机发光层;步骤S60,在所述有机发光层上形成阴极层。为解决上述问题,本申请还提供一种WOLED背板,包括:基板;底层薄膜晶体管层,制备于所述基板上;彩膜,制备于所述底层薄膜晶体管层上,所述彩膜包括间隔分布的子彩膜单元;以及平坦层,制备于所述彩膜上,且在对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置设置有凹槽;阳极,对应所述子彩膜单元阵列的制备于所述平坦层上;像素定义层,对应所述凹槽的位置制备于所述平坦层上,并定义出像素区域;其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。在本申请的WOLED背板中,所述凹槽与所述子彩膜单元之间以所述平坦层隔开。在本申请的WOLED背板中,所述阳极位于所述平坦层对应相邻两所述凹槽之间的部位,且露出所述凹槽。在本申请的WOLED背板中,所述像素定义层包括插入部和间隔部,所述插入部插入到所述凹槽内,所述间隔部凸出所述平坦层并将相邻两所述像素区域间隔开。在本申请的WOLED背板中,所述间隔部延伸至所述阳极的边缘部位。本申请的有益效果为:相较于现有的WOLED背板,本申请提供的WOLED背板及其制备方法,通过在平坦层上对应相邻两子彩膜单元之间的间隔位置设置凹槽,并将吸光材料的像素定义层的插入部插入在所述凹槽内,使得设于彩膜上的平坦层的内部通过吸光材料将不同子彩膜单元间隔开,从而避免了不同像素间产生漏光或混色的问题。另外,该插入部是通过对像素定义层的设计得到的,因此不用另外增加插入部的制程。附图说明为了更清楚地说明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是申请的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。图1为本申请实施例提供的WOLED背板的制备方法流程图;图2A~2D为本申请实施例提供的WOLED背板的制备过程示意图;图3为为本申请实施例提供的WOLED背板结构示意图。具体实施方式以下各实施例的说明是参考附加的图示,用以例示本申请可用以实施的特定实施例。本申请所提到的方向用语,例如[上]、[下]、[前]、[后]、[左]、[右]、[内]、[外]、[侧面]等,仅是参考附加图式的方向。因此,使用的方向用语是用以说明及理解本申请,而非用以限制本申请。在图中,结构相似的单元是用以相同标号表示。本申请针对现有技术的WOLED背板,存在相邻像素间产生漏光或混色的技术问题,本实施例能够解决该缺陷。如图1所示,为本申请实施例提供的WOLED背板的制备方法流程图。结合图2A~2D所示,为本申请实施例提供的WOLED背板的制备过程示意图。所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一形成有底层薄膜晶体管层的基板,在所述底层薄膜晶体管层上形成图案化的彩膜,所述彩膜包括对应子像素呈间隔分布的子彩膜单元。具体如图2A所示,在基板201上形成有底层薄膜晶体管层202;在所述底层薄膜晶体管层202上形成图案化的彩膜203。其中,所述彩膜203包括子彩膜单元203A,且相邻两所述子彩膜单元203A之间存在间隔203B。所述子彩膜单元203A包括但不限于红色子彩膜单元、绿色子彩膜单元以及蓝色子彩膜单元。步骤S20,在所述彩膜上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化,形成对应相邻两所述子彩膜单元之间间隔位置的凹槽。结合图2B所示,在所述彩膜203上形成平坦层204,对所述平坦层204进行图案化,所述平坦层204包括完全保留区域204B和部分保留区域204C,所述平坦层204的所述完全保留区域204B对应所述子彩膜单元203A,所述部分保留区域204C对应相邻两所述子彩膜单元203A之间的所述间隔203B位置。在图案化制程中对对应所述完全保留区域204B的所述平坦层204进行完全遮挡,对对应所述部分保留区域204C的所述平坦层204进行半曝光。图案化之后,形成对应所述间隔203B位置的凹槽204A。在一种实施例中,所述凹槽204A可以为包围所述子彩膜单元203A的网格状结构。步骤S30,在所述平坦层上形成对应所述子彩膜单元的图案化的阳极。结合图2C所示,在所述平坦层204上制备阳极金属层,所述阳极金属层图案化后形成多个对应所述子彩膜单元203A的阳极205,所述阳极205露出所述凹槽204A。步骤S40,在所述凹槽位置形成图案化的像素定义层,所述像素定义层定义出像素区域,其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。结合图2D所示,在所述阳极205上形成图案化的像素定义层206,所述像素定义层206采用黑色吸光材料,且位于所述凹槽204A的位置,所述像素定义层206定义出像素区域207。在所述步骤S40之后,所述方法还包括以下步骤:步骤S50,在所述像素区域形成有机发光层;步骤S60,在所述有机发光层上形成阴极层。其中,形成所述有机发光层的有机发光材料可以是蒸镀材料,也可以是打印发光材料。与其对应的所述像素定义层206分别为常规非疏水性材料和疏水性材料。本实施例由于所述像素定义层既可以定义出所述像素区域,又可以作为相邻两所述子彩膜单元间的遮光柱,使得设于彩膜上的平坦层的内部通过吸光材料将不同所述子彩膜单元间隔开,从而避免了不同像素间产生漏光或混色的问题。本申请还提供一种WOLED背板,如图3所示,所述WOLED背板包括:基板301;底层薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种WOLED背板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一形成有底层薄膜晶体管层的基板,在所述底层薄膜晶体管层上形成图案化的彩膜,所述彩膜包括对应子像素呈间隔分布的子彩膜单元;步骤S20,在所述彩膜上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化,形成对应相邻两所述子彩膜单元之间间隔位置的凹槽;步骤S30,在所述平坦层上形成对应所述子彩膜单元的图案化的阳极;步骤S40,在所述凹槽位置形成图案化的像素定义层,所述像素定义层定义出像素区域,其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。

【技术特征摘要】
1.一种WOLED背板的制备方法,其特征在于,所述方法包括以下步骤:步骤S10,提供一形成有底层薄膜晶体管层的基板,在所述底层薄膜晶体管层上形成图案化的彩膜,所述彩膜包括对应子像素呈间隔分布的子彩膜单元;步骤S20,在所述彩膜上形成平坦层,并对所述平坦层进行图案化,形成对应相邻两所述子彩膜单元之间间隔位置的凹槽;步骤S30,在所述平坦层上形成对应所述子彩膜单元的图案化的阳极;步骤S40,在所述凹槽位置形成图案化的像素定义层,所述像素定义层定义出像素区域,其中,所述像素定义层的材料为吸光材料。2.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述子彩膜单元包括红色彩膜单元、绿色彩膜单元以及蓝色彩膜单元。3.根据权利要求1所述的制备方法,其特征在于,所述平坦层包括完全保留区域和部分保留区域,在所述步骤S20中的图案化制程中对对应所述完全保留区域的所述平坦层进行完全遮挡,对对应所述部分保留区域的所述平坦层进行半曝光。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述平坦层的所述完全保留区域对应所述子彩膜单元,所述部分保留区域对应相邻两所述子彩膜单元之间的间隔位置。5.根据权利要求1所述的制备方法,其特...

【专利技术属性】
技术研发人员:唐甲任章淳
申请(专利权)人:深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
类型:发明
国别省市:广东,44

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