半导体装置及其工作方法制造方法及图纸

一种半导体装置及其工作方法，其中，半导体装置，包括：腔室；位于腔室内的部件；位于所述部件内的第一液管，所述第一液管内用于通入冷却液；第一振动装置，用于振动所述第一液管。利用所述半导体装置能够防止第一液管被堵塞。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其工作方法
本专利技术涉及半导体领域，尤其涉及一种半导体装置及其工作方法。
技术介绍
半导体工艺通常在腔室内实现，而所述半导体工艺的温度通常较高，使得腔室内部件的安全性受到挑战。为了提高部件的安全性，通常在部件内设置管道，所述管道内用于通过液。根据热传递的原理，利用液对部件进行降温。然而，现有半导体装置中的管道易堵塞。
技术实现思路
本专利技术解决的技术问题是提供一种半导体装置及其工作方法，以减少管道的堵塞。为解决上述技术问题，本专利技术提供一种半导体装置，包括：腔室；位于腔室内的部件；位于所述部件内的第一液管，所述第一液管内用于通入冷却液；第一振动装置，用于振动所述第一液管。可选的，所述部件为加热器和承载盘中的一种或者两种。可选的，所述第一液管包括第一端和第二端；第一振动装置包括：与第一端连接的第一开关，用于使第一液管内冷却液流动或者停止；与第一开关连接的第一控制器，用于控制第一开关的开启时间和关闭时间；所述第二端与部件固定连接。可选的，还包括：位于部件内的一个或者多个第二液管，所述第二液管内用于通入冷却液；第二振动装置，用于振动第二液管。可选的，所述第二液管包括第三端和第四端；所述第二振动装置包括：与第三端连接的第二开关，用于使第二液管内冷却液流动或者停止；与第二开关连接的第二控制器，用于控制第二开关的开启时间和关闭时间；所述第四端与部件固定连接。可选的，所述第一液管和第二液管相互缠绕。可选的，还包括：碰撞结构，所述碰撞结构位于部件与第一液管之间。可选的，所述第一液管的材料为软质材料；所述软质材料包括：聚氯乙烯。可选的，所述腔室用于化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺、干法刻蚀工艺或者退火工艺。相应的，本专利技术还提供一种半导体装置的工作方法，包括：提供冷却液；提供上述半导体装置；使第一液管内通入冷却液；使第一液管内通入冷却液后，第一振动装置振动第一液管。可选的，所述第一液管包括第一端；第一振动装置包括：与第一端连接的第一开关，用于使第一液管内冷却液流动或者停止；与第一开关连接的第一控制器，用于控制第一开关的开启时间和关闭时间；所述第一控制器使第一开关的开启时间为8秒～12秒，所述第一控制器使第一开关的关闭时间为8秒～12秒。可选的，还包括：位于部件内的一个或者多个第二液管，所述第二液管内用于通入冷却液；第二振动装置，用于振动第二液管；所述第二液管包括第三端；所述第二振动装置包括：与第三端连接的第二开关，用于使第二液管内冷却液流动或者停止；与第二开关连接的第二控制器，用于控制第二开关的开启时间和关闭时间；所述第二控制器使第二开关的开启时间为8秒～12秒，所述第二控制器使所述第二开关的关闭时间为8秒～12秒。与现有技术相比，本专利技术实施例的技术方案具有以下有益效果：本专利技术技术方案提供的半导体装置中，所述腔室用于进行半导体工艺，尽管所述半导体工艺的温度较高，使得腔室内部件的温度较高，但是，由于部件内具有第一液管，所述第一液管内的冷却液用于对部件进行降温，使得部件的不至于过高。虽然半导体工艺的高温使得第一液管内的冷却液温度较高，使得第一液管内冷却液中易析出液垢，但是，由于所述第一液管与第一振动相连，则所述第一振动装置在振动时，使得第一液管内的液垢难以沉积于第一液管的内侧壁，而是随着第一液管内的冷却液流出第一液管，因此，有利于防止液垢堵塞第一液管。进一步，所述部件内还包括第二液管，所述第一液管和第二液管相互缠绕，使得第一液管在振动时，能够带动第二液管振动，使得第二液管内的液垢不仅在第二液管振动过程中难以沉积，还在第一液管振动的过程中难以沉积，因此，有利于进一步防止第二液管中的液垢沉积于第二液管的内侧壁，进而有利于进一步防止液垢堵塞第二液管；同样的，所述第二液管在振动时，能够带动第一液管振动，使得第一液管中的液垢不仅在第一液管振动的过程中难以沉积于第一液管的内侧壁，而且在第二液管振动的过程中难以沉积于第一液管的内侧壁，因此，有利于进一步防止第一液管内的液垢沉积于第一液管的内侧壁，进而有利于进一步液垢堵塞第一液管。进一步，所述第一液管和管道之间具有碰撞结构，则所述第一液管在振动的过程中易与碰撞结构发生碰撞，使得附着于第一液管内侧壁的液垢发生剥离，剥离的液垢随冷却液流出第一液管，因此，有利于进一步防止液垢堵塞第一水管。附图说明图1是一种半导体装置的结构示意图；图2是本专利技术半导体装置的结构示意图；图3是本专利技术半导体装置的工作方法流程图。具体实施方式正如
技术介绍
所述，现有半导体装置中的管道易被液垢堵塞。图1是一种半导体装置的结构示意图。请参考图1，腔室100；位于腔室100内的部件101；位于部件101内的管道102，所述管道102内用于输入水。上述半导体装置中，所述腔室100用于进行半导体工艺，所述半导体工艺的温度较高，使得位于腔室100内的部件101的安全性受到挑战。为了提高部件101的安全性，在所述部件101内设置管道102，所述管道102内的水用于对部件101进行降温，有利于提高部件101的安全性。然而，由于半导体工艺的温度较高，通过热传导，使得管道102内水的温度较高。当水的温度较高时，水中的可溶性钙盐Ca(HCO3)2易分解为CaCO3，可溶性镁盐Mg(HCO3)2易分解为MgCO3，而CaCO3和MgCO3在水中的溶解度较低而析出形成液垢。过多的所述液垢将堵塞管道102。为解决所述技术问题，本专利技术提供了一种半导体装置，包括：位于腔室内的部件；位于所述部件内的第一液管，所述第一液管内用于通入冷却液；第一振动装置，用于振动所述第一液管。利用所述半导体装置能够防止液垢堵塞第一液管。为使本专利技术的上述目的、特征和有益效果能够更为明显易懂，下面结合附图对本专利技术的具体实施例做详细的说明。图2是本专利技术半导体装置的结构示意图。请参考图2，半导体装置包括：腔室200；位于腔室200内的部件201；位于所述部件201内的第一液管203，所述第一液管203内用于通入冷却液；第一振动装置(图中未示出)，用于振动第一液管203。所述腔室200内用于进行半导体工艺，所述部件201为实现半导体工艺的部件，所述半导体工艺包括化学气相沉积工艺、物理气相沉积工艺、原子层沉积工艺、干法刻蚀工艺或者退火工艺。所述半导体工艺通常需要高温，使得位于腔室200内部件201的温度较高。所述第一液管203用于对部件201进行降温，防止部件201的温度过高，有利于防止部件201发生变形。在本实施例中，所述部件201包括：加热器和承载盘中的一种或者两种。在本实施例中，所述冷却液为水，且水的硬度较高，即：水中可溶性钙盐和镁盐的含量较高，所述可溶性钙盐包括Ca(HCO3)2，可溶性镁盐包括Mg(HCO3)2。在其他实施例中，所述冷却液为水，但是，水的硬度相对较低，即：水中可溶性钙盐和镁盐的含量较低。在本实施例中，还包括：位于部件201内的管道202，所述第一液管203位于管道202内。由于半导体工艺的温度较高，第一液管203内的冷却液对部件201进行降温时，根据热传导的原理，使得冷却液的温度升高，则冷却液中的Ca(HCO3)2分解为CaCO3，Mg(HCO3)2分解为MgCO3，而CaCO3和MgCO3在冷却液中的溶解度较低而析出形成液垢。由本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：腔室；位于腔室内的部件；位于所述部件内的第一液管，所述第一液管内用于通入冷却液；第一振动装置，用于振动所述第一液管。

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：腔室；位于腔室内的部件；位于所述部件内的第一液管，所述第一液管内用于通入冷却液；第一振动装置，用于振动所述第一液管。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述部件为加热器和承载盘中的一种或者两种。3.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一液管包括第一端和第二端；第一振动装置包括：与第一端连接的第一开关，用于使第一液管内冷却液流动或者停止；与第一开关连接的第一控制器，用于控制第一开关的开启时间和关闭时间；所述第二端与部件固定连接。4.如权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，还包括：位于部件内的一个或者多个第二液管，所述第二液管用于向部件内输入冷却液；第二振动装置，用于振动第二液管。5.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第二液管包括第三端和第四端；所述第二振动装置包括：与第三端连接的第二开关，用于使第二液管内冷却液流动或者停止；与第二开关连接的第二控制器，用于控制第二开关的开启时间和关闭时间；所述第四端与部件固定连接。6.如权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述第一液管和第二液管相互缠绕。7.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，还包括：碰撞结构，所述碰撞结构位于部件和第一液管之间。8.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述第一液管的材料为软质材料；所述软质材料包括：聚氯乙烯。9.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈伯廷，吴宗祐，林宗贤，
申请(专利权)人：德淮半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32