用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置制造方法及图纸

技术编号:20366624 阅读:26 留言:0更新日期:2019-02-16 18:14
本实用新型专利技术提供了一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置。表面处理装置包括第一溶液盛放槽、第二溶液盛放槽、混合槽、连通第一溶液盛放槽和混合槽的第一输送通道、连通第二溶液盛放槽和混合槽的第二输送通道、第一阀及第二阀;第一溶液盛放槽的底端位于混合槽上方以使其内部的第一溶液可在重力作用下自动流向混合槽,第一阀可控地开启或闭合以导通或切断第一输送通道;第二溶液盛放槽的底端位于混合槽上方以使其内部的第二溶液可在重力作用下自动流向混合槽,第二阀可控地开启或闭合以导通或切断第二输送通道;混合槽用于将来自于第一溶液盛放槽的第一溶液和来自于第二溶液盛放槽的第二溶液混合成用于对硅片去除氧化物及钝化的钝化液。

【技术实现步骤摘要】
用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置
本技术涉及光伏
,尤其涉及一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置。
技术介绍
少数载流子寿命(简称少子寿命)是半导体晶体硅材料的一项重要参数,它对半导体器件性能、晶体硅太阳能电池的光电转换效率都有重要的影响。当载流子连续产生时,在太阳能电池中,寿命决定了电子和空穴的稳定数量,这些数量决定了器件产生的电压,因此,要求使用的硅材料的晶体硅体少子寿命应该尽可能高。由于不可避免地存在表面复合,硅片绝对体少子寿命通常很难得到。现有的晶体硅体少子寿命的测试方法主要有化学钝化法,也就是对硅片进行少子寿命测试之前,先使用钝化液对硅片进行表面处理,该表面处理具体为利用氟化氢溶液去除硅片表面氧化物、利用醌氢醌溶液对硅片表面钝化,从而尽可能的消除表面复合,使测试结果最大限度地接近硅片的绝对体少子寿命。然而,在对硅片进行表面处理的现有操作中,实验员通常借助酸液滴液管、量筒等简单仪器配制钝化液,不仅操作繁琐,且基于氟化氢溶液的强腐蚀性,需要实验员佩戴防护设备,极不方便。更进一步地,在使用钝化液对硅片进行表面处理时,由于仪器简单,实验员要么需要仔细观察谨慎操作方能控制钝化液中的成分配比参数达到理想值;要么只能凭借自己的操作经验,粗略配制钝化液,而无法准确控制钝化液的成分配比参数,造成不同两次表面处理操作中钝化液的参数很难实现一致性,从而影响测试结果。因此,亟需一种能够更好地测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,以至少解决上述技术问题的其中之一。为实现上述技术目的,本技术一实施例提供了一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,所述表面处理装置包括第一溶液盛放槽、第二溶液盛放槽、混合槽、连通所述第一溶液盛放槽和所述混合槽的第一输送通道、连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的第二输送通道、设置于所述第一输送通道处的第一阀以及设置于所述第二输送通道处的第二阀;所述第一溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第一溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第一阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第一输送通道;所述第二溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第二溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第二阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第二输送通道;所述混合槽用于将来自于所述第一溶液盛放槽的第一溶液和来自于所述第二溶液盛放槽的第二溶液混合成用于对硅片去除氧化物及钝化的钝化液。作为本技术一实施例的进一步改进,所述第一阀和所述第二阀均设置为流量阀,所述表面处理装置还包括控制器,所述控制器与所述第一阀、所述第二阀分别相连接以用于控制所述第一阀、所述第二阀开启或闭合。作为本技术一实施例的进一步改进,所述第二输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S2:S1;在竖直方向上,所述第二溶液盛放槽与所述第一溶液盛放槽的等深位置处的横截面积比值为R2:R1;其中,S2:S1与R2:R1相同且均满足所述第二溶液和所述第一溶液配制钝化液时的目标配比。作为本技术一实施例的进一步改进,所述表面处理装置还包括连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的两个第五输送通道以及设置于所述第五输送通道处的第五阀,所述第五阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第五输送通道;其中,其一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1大于S2:S1,另一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1小于S2:S1。作为本技术一实施例的进一步改进,所述第一溶液为氟化氢溶液,所述第二溶液为醌氢醌溶液;所述S2:S1为25:1,两个所述S3:S1分别为50:1、50:3。作为本技术一实施例的进一步改进,所述第二溶液盛放槽的底端和所述第一溶液盛放槽的底端位于同一水平面上,所述第一输送通道连接所述第一溶液盛放槽的底端和所述混合槽,所述第二输送通道连接所述第二溶液盛放槽的底端和所述混合槽,所述第二输送通道的出口端与所述第一输送通道的出口端位于同一水平面上;所述第二溶液盛放槽、所述第一溶液盛放槽、所述第二输送通道、所述第一输送通道均设置为横截面积恒定。作为本技术一实施例的进一步改进,所述表面处理装置还包括位于所述混合槽下方的表面处理槽、连通所述混合槽的底端和所述表面处理槽的第三输送通道以及设置于所述第三输送通道处的第三阀,所述第三阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第三输送通道。作为本技术一实施例的进一步改进,所述表面处理装置还包括称量天平,所述称量天平用于称量所述第二溶液的固态溶质,所述称量天平包括砝码、支架及转动连接于所述支架的平衡杆,所述平衡杆具有放置所述砝码的砝码盛放部和放置所述固态溶质的药品盛放部;当所述固态溶质的质量达到并超过称量目标值时,所述平衡杆由平衡状态沿第一方向转动至倾斜状态,且所述药品盛放部位于所述第二溶液盛放槽的药品投放口正上方,以使所述固态溶质自动落入所述第二溶液盛放槽内。作为本技术一实施例的进一步改进,所述称量天平还包括锁紧机构,当所述平衡杆转动至所述倾斜状态时,所述锁紧机构限制所述砝码与所述砝码盛放部脱开;所述锁紧机构设置为所述砝码和所述砝码盛放部之间彼此配合的螺纹结构或卡扣结构。作为本技术一实施例的进一步改进,所述称量天平还包括限位件,当所述固态溶质的质量低于称量目标值时,所述限位件限制所述平衡杆沿所述第一方向的反方向转动。与现有技术相比,本技术的有益效果主要体现在:配制钝化液时,实验员只需要操作所述第一阀和所述第二阀,操作简便,且降低实验员接触到氟化氢溶液的几率,不需要实验员佩戴防护设备,提高实验过程的安全性。附图说明图1是本技术一实施例的表面处理装置的结构示意图;图2是本技术另一实施例的表面处理装置的结构示意图。具体实施方式以下将结合附图所示的实施方式对本技术进行详细描述。但这些实施方式并不限制本技术,本领域的普通技术人员根据这些实施方式所做出的结构或功能上的变换均包含在本技术的保护范围内。实施例1参图1,本技术一实施例提供了一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置100,表面处理装置100包括第一溶液盛放槽1、第二溶液盛放槽2、混合槽3、第一输送通道41、第二输送通道42、设于第一输送通道41处的第一阀61以及设置于第二输送通道42处的第二阀62。第一溶液盛放槽1的底端10设置于混合槽3的上方,其底端10不低于混合槽3的顶端32。第一溶液盛放槽1用于盛装第一溶液,在测试晶体硅体少子寿命时的硅片表面处理步骤中,利用所述第一溶液可去除硅片表面的氧化物,优选地,所述第一溶液为氟化氢溶液;第一输送通道41连通第一溶液盛放槽1和混合槽3;第一阀61可控地开启或闭合以相应的导通或切断第一输送通道41。具体来讲,当第一阀61开启时,第一阀61导通第一输送通道41,第一溶液盛放槽1通过第一输送通道41与混合槽3流体连通,第一溶液盛放槽1内的氟化氢溶液在重力作用下通过第一输送通道41自动流向混合槽3;当第一阀61闭合本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,其特征在于,所述表面处理装置包括第一溶液盛放槽、第二溶液盛放槽、混合槽、连通所述第一溶液盛放槽和所述混合槽的第一输送通道、连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的第二输送通道、设置于所述第一输送通道处的第一阀以及设置于所述第二输送通道处的第二阀;所述第一溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第一溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第一阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第一输送通道;所述第二溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第二溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第二阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第二输送通道;所述混合槽用于将来自于所述第一溶液盛放槽的第一溶液和来自于所述第二溶液盛放槽的第二溶液混合成用于对硅片去除氧化物及钝化的钝化液。

【技术特征摘要】
1.一种用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,其特征在于,所述表面处理装置包括第一溶液盛放槽、第二溶液盛放槽、混合槽、连通所述第一溶液盛放槽和所述混合槽的第一输送通道、连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的第二输送通道、设置于所述第一输送通道处的第一阀以及设置于所述第二输送通道处的第二阀;所述第一溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第一溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第一阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第一输送通道;所述第二溶液盛放槽的底端位于所述混合槽上方以使其内部的第二溶液可在重力作用下自动流向所述混合槽,所述第二阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第二输送通道;所述混合槽用于将来自于所述第一溶液盛放槽的第一溶液和来自于所述第二溶液盛放槽的第二溶液混合成用于对硅片去除氧化物及钝化的钝化液。2.根据权利要求1所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,其特征在于,所述第一阀和所述第二阀均设置为流量阀,所述表面处理装置还包括控制器,所述控制器与所述第一阀、所述第二阀分别相连接以用于控制所述第一阀、所述第二阀开启或闭合。3.根据权利要求1所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,其特征在于,所述第二输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S2:S1;在竖直方向上,所述第二溶液盛放槽与所述第一溶液盛放槽的等深位置处的横截面积比值为R2:R1;其中,S2:S1与R2:R1相同且均满足所述第二溶液和所述第一溶液配制钝化液时的目标配比。4.根据权利要求3所述的用于测试晶体硅体少子寿命的硅片表面处理装置,其特征在于,所述表面处理装置还包括连通所述第二溶液盛放槽和所述混合槽的两个第五输送通道以及设置于所述第五输送通道处的第五阀,所述第五阀可控地开启或闭合以导通或切断所述第五输送通道;其中,其一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1大于S2:S1,另一所述第五输送通道的出口端处的横截面积与所述第一输送通道的出口端处的横截面积的比值为S3:S1小于S2:S1。5.根据权利要求4所述的...

【专利技术属性】
技术研发人员:李栋王钰雅
申请(专利权)人:苏州阿特斯阳光电力科技有限公司阿特斯阳光电力集团有限公司
类型:新型
国别省市:江苏,32

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