静电保护电路、阵列基板及显示装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术公开了一种静电保护电路、阵列基板及显示装置，属于显示领域。该静电保护电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和静电防护线；第一薄膜晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，第一薄膜晶体管的第一极与静电防护线连接；第二薄膜晶体管的栅极和第二极均与静电防护线连接，第二薄膜晶体管的第一极与信号线连接；每个薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的沟道的长宽比大于或等于5，由此可有效减小晶体管的导通电流，避免晶体管在信号线产生瞬时高压时被烧坏。且每个薄膜晶体管的沟道的长度方向平行于信号线的延伸方向，由此可有效减小静电保护电路的占用空间。

【技术实现步骤摘要】
静电保护电路、阵列基板及显示装置
本申请涉及显示
，特别涉及一种静电保护电路、阵列基板及显示装置。
技术介绍
在阵列基板制造过程，由于等离子体沉积、膜层刻蚀和摩擦等工艺容易产生静电，因此阵列基板上形成的信号线可能发生静电击穿和静电损伤，导致阵列基板不良。为了保证各种信号线的正常工作，阵列基板上会设置与信号线连接的静电保护器件。该静电保护器件通常也称为静电释放(Electro-Staticdischarge，ESD)器件。相关技术中的静电保护器件一般包括薄膜晶体管和静电防护线，该薄膜晶体管的源极可以与信号线连接，栅极和漏极可以均与静电防护线连接。该薄膜晶体管可以将信号线上产生的静电及时释放至该静电防护线。但是，由于静电保护器件中采用的薄膜晶体管一般为氧化物薄膜晶体管，该氧化物薄膜晶体管的导通电流较大，当信号线上产生瞬时高电压时，该氧化物薄膜晶体管容易被烧坏，导致静电保护器件失效。
技术实现思路
本技术提供了一种静电保护电路、阵列基板及显示装置，可以解决相关技术中静电保护器件中的氧化物薄膜晶体管容易被烧坏，导致静电保护器件失效的问题。所述技术方案如下：一方面，提供了一种静电保护电路，所述静电保护电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和静电防护线；所述第一薄膜晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第二薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，所述第二薄膜晶体管的第一极与信号线连接；其中，每个薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的沟道的长宽比大于或等于5，且每个薄膜晶体管的沟道的长度方向平行于所述信号线的延伸方向。可选的，所述静电保护电路还包括：第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管中的至少一个；所述第三薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第一薄膜晶体管的第一极连接，所述第三薄膜晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第四薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第一薄膜晶体管的第一极连接，所述第四薄膜晶体管的第一极与所述信号线连接。可选的，每个薄膜晶体管的栅极均为条状结构，且所述条状结构的长度方向平行于所述信号线的延伸方向。可选的，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的排列方向平行于所述信号线的延伸方向。可选的，所述信号线为沿第一方向延伸的数据线；所述静电防护线包括：沿第二方向延伸且相互平行的第一放电线和第二放电线，以及用于连接所述第一放电线和所述第二放电线的连接线，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在所述第一放电线和所述第二放电线之间，且所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第一放电线连接，所述第二薄膜晶体管的栅极和第二极与所述第二放电线连接。可选的，所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极为一体结构，且所述第一薄膜晶体管的栅极通过过孔与所述一体结构连接。可选的，所述信号线为沿第二方向延伸的栅线，所述静电防护线沿第一方向延伸，且所述第二方向垂直于所述第一方向。可选的，所述静电保护电路还包括：第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管；所述第三薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第一薄膜晶体管的第一极连接，所述第三薄膜晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第四薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第一薄膜晶体管的第一极连接，所述第四薄膜晶体管的第一极与所述信号线连接；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管沿第一轴线排列，所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管沿第二轴线排列，所述第一轴线与所述第二轴线均平行于所述第二方向，且不共线。可选的，所述第一薄膜晶体管的第一极、所述第二薄膜晶体管的第一极、所述第三薄膜晶体管的第二极以及所述第四薄膜晶体管的第二极为一体结构，且所述第三薄膜晶体管的栅极和所述第四薄膜晶体管的栅极通过过孔与所述一体结构连接。可选的，所述第三薄膜晶体管和所述第四薄膜晶体管的栅极为一体结构。可选的，每个薄膜晶体管的沟道呈蛇形、锯齿形或者弧形。另一方面，提供了一种阵列基板，所述阵列基板包括：信号线，以及与所述信号线连接的如上述方面所述的静电保护电路。可选的，所述信号线为沿第一方向延伸的数据线，且所述阵列基板包括多条数据线；所述静电防护线包括：沿第二方向延伸且平行排列的三条放电线，以及用于连接所述三条放电线的连接线，所述第二方向垂直于所述第一方向；每条数据线所连接的静电保护电路，均与相邻一条数据线所连接的静电保护电路位于同一列；位于同一列的两个静电保护电路中，其中一个静电保护电路位于所述三条放电线中第一条放电线和第二条放电线之间，另一个静电保护电路位于所述三条放电线中第二条放电线和第三条放电线之间，且位于同一列的两个静电保护电路中第二薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第二条放电线连接。可选的，所述信号线为沿第二方向延伸的栅线，且所述阵列基板包括多条栅线；所述静电防护线沿第一方向延伸，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述多条栅线中每相邻两条栅线之间设置有其中一条栅线所连接的静电保护电路。又一方面，提供了一种显示装置，所述显示装置包括：如上述方面所述的阵列基板。本技术提供的技术方案带来的有益效果至少包括：本技术提供了一种静电保护电路、阵列基板及显示装置，该静电保护电路中包括的薄膜晶体管为氧化物薄膜晶体管，且每个薄膜晶体管的沟道的长宽比大于或等于5，可以有效减小晶体管的导通电流，避免晶体管在信号线产生瞬时高压时被烧坏。并且，由于每个晶体管的沟道的长度较长，使得该沟道的长度方向平行于信号线的延伸方向，可以有效减小静电保护电路的占用空间。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本技术实施例提供的一种静电保护电路的结构示意图；图2是本技术实施例提供的一种静电保护电路的等效电路图；图3是本技术实施例提供的一种薄膜晶体管的导通电流随栅极电压变化的示意图；图4是本技术实施例提供的另一种静电保护电路的等效电路图；图5是图1在AA方向的截面图；图6是本技术实施例提供的另一种静电保护电路的结构示意图；图7是图6在BB方向的截面图；图8是图6在CC方向的截面图；图9是本技术实施例提供的一种沟道的可选形状的示意图；图10是本技术实施例提供的一种阵列基板的结构示意图；图11是本技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图12是图11在AA方向的截面图；图13是本技术实施例提供的另一种阵列基板的结构示意图；图14是本技术实施例提供的一种栅极图案的结构示意图；图15是本技术实施例提供的一种栅绝缘层、有源层和刻蚀阻挡层的结构示意图；图16是本技术实施例提供的一种源漏金属图案的结构示意图。具体实施方式为使本技术的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本技术实施方式作进一步地详细描述。本技术实施例中采用的晶体管可以均为薄膜晶体管，根据在电路中的作用本技术实施例所采用的晶体管主要为开关晶体管。由于这里采用的开关晶体管的源极、漏极是对称的，所以其源极、漏本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和静电防护线；所述第一薄膜晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第二薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，所述第二薄膜晶体管的第一极与信号线连接；其中，每个薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的沟道的长宽比大于或等于5，且每个薄膜晶体管的沟道的长度方向平行于所述信号线的延伸方向。

【技术特征摘要】
1.一种静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路包括：第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管和静电防护线；所述第一薄膜晶体管的栅极和第二极均与信号线连接，所述第一薄膜晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第二薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述静电防护线连接，所述第二薄膜晶体管的第一极与信号线连接；其中，每个薄膜晶体管均为氧化物薄膜晶体管，每个薄膜晶体管的沟道的长宽比大于或等于5，且每个薄膜晶体管的沟道的长度方向平行于所述信号线的延伸方向。2.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体管中的至少一个；所述第三薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第一薄膜晶体管的第一极连接，所述第三薄膜晶体管的第一极与所述静电防护线连接；所述第四薄膜晶体管的栅极和第二极均与所述第一薄膜晶体管的第一极连接，所述第四薄膜晶体管的第一极与所述信号线连接。3.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，每个薄膜晶体管的栅极均为条状结构，且所述条状结构的长度方向平行于所述信号线的延伸方向。4.根据权利要求1所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的排列方向平行于所述信号线的延伸方向。5.根据权利要求1至4任一所述的静电保护电路，其特征在于，所述信号线为沿第一方向延伸的数据线；所述静电防护线包括：沿第二方向延伸且相互平行的第一放电线和第二放电线，以及用于连接所述第一放电线和所述第二放电线的连接线，所述第二方向垂直于所述第一方向；所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管设置在所述第一放电线和所述第二放电线之间，且所述第一薄膜晶体管的第一极与所述第一放电线连接，所述第二薄膜晶体管的栅极和第二极与所述第二放电线连接。6.根据权利要求5所述的静电保护电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管的第二极和所述第二薄膜晶体管的第一极为一体结构，且所述第一薄膜晶体管的栅极通过过孔与所述一体结构连接。7.根据权利要求1至4任一所述的静电保护电路，其特征在于，所述信号线为沿第二方向延伸的栅线，所述静电防护线沿第一方向延伸，且所述第二方向垂直于所述第一方向。8.根据权利要求7所述的静电保护电路，其特征在于，所述静电保护电路还包括：第三薄膜晶体管和第四薄膜晶体...

【专利技术属性】
技术研发人员：龙春平，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：新型
国别省市：北京,11