一种多晶层光刻工艺热点查找方法技术

一种多晶层光刻工艺热点查找方法，其特征在于，包括了一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，定义一孤立栅图形；还包括以下步骤：步骤S1，对所述版图中进行所述孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有所述版图中的热点；步骤S3，根据所述热点的线宽尺寸判断所述热点的风险等级，若所述线宽尺寸小于一第一阈值，则判定所述热点为第一风险等级，若所述线宽尺寸大于所述第一阈值，则判定所述热点为第二风险等级。本发明专利技术的技术方案有益效果在于：在流片前，查找出原有产品中由于栅结构比较孤立而导致倒胶的热点及采取对应的措施，节约新产品流片的时间，同时增加新产品的良率。

【技术实现步骤摘要】
一种多晶层光刻工艺热点查找方法
本专利技术涉及DFM(DesignForManufacture)可制造性图形设计领域，尤其涉及一种多晶层光刻工艺热点查找方法。
技术介绍
随着集成电路生产工艺技术节点不断推进，集成电路的设计变得十分复杂。现今应用于集成电路生产的主流光刻工艺的光波波长却一直维持在193nm。在曝光机台波长不更新的情形下，曝光图形尺寸的却不断缩小，会产生许多符合设计规则而实际工艺窗口较差的光刻图形，一般称之为光刻缺陷图形。对于光刻缺陷图形的处理方法包括在流片前优化原始的版图设计与对检查出的光刻工艺热点进行特殊工艺处理。多晶层是集成电路制造层次中最为重要的层次之一，现有的生产过程中经常发现孤立的多晶层图形在显影完成后易发生倒胶。倒胶的发生会影响产品的最终良率。如图1所示，在集成电路生产过程中发现的倒胶孤立栅缺陷SEM(ScanningElectronMicroscope，扫描电子显微镜)照片。区域101本应有栅线条出现，但由于工艺窗口较小，导致图形丢失。如图2所示，是倒胶孤立栅缺陷图形对应的原始版图设计图形，可以明显发现区域101相应的区域201外围存在大片的空旷过程，在曝光完成后的显影过程中，会对孤立栅线条产生巨大冲击，进而造成倒胶。如果在流片前能够完成孤立栅线条的查找及采取对应的措施，可节约新产品流片的时间，同时增加新产品的良率。
技术实现思路
针对上述问题，现提供一种旨在实现流片前，查找出原有产品中由于栅结构比较孤立而导致缺陷发生的多晶层光刻工艺热点查找方法。本专利技术采用如下技术方案：一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，定义一孤立栅图形；还包括以下步骤：步骤S1，对所述版图中进行所述孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有所述版图中的热点；步骤S3，根据所述热点的线宽尺寸判断所述热点的风险等级，若所述线宽尺寸小于一第一阈值，则判定所述热点为第一风险等级，若所述线宽尺寸大于所述第一阈值，则判定所述热点为第二风险等级。优选的，所述孤立栅图形的定义方法包括：步骤A1，使所述孤立栅图形的线宽尺寸小于一第二阈值；步骤A2，使所述孤立栅图形的对对应的空旷区域面积大于一第三阈值；步骤A3，使所述孤立栅图形对应的所述空旷区域到所述孤立栅图形距离小于一第四阈值。优选的，还包括，对判定为第一风险等级的所述热点，于所述版图中对应位置添加冗余图形。优选的，还包括，对判定为第一风险等级的所述热点，于所述版图中增大所述热点对应的所述孤立栅图形的尺寸。优选的，还包括，对判定为第二风险等级的所述热点，于光刻工艺中调整所述孤立栅图形的对焦深度。优选的，还包括，对判定为第二风险等级的所述热点，于光刻工艺中调整显影程式的旋转速率。优选的，孤立栅图形定义时，孤立栅图形对应的所述空旷区域可对所述孤立栅图形两面包围，或者可对所述孤立栅图形三面包围，或者可对所述孤立栅图形四面包围。优选的，所述孤立栅图形的定义方法还包括，使所述空旷区域的密度小于一第五阈值。本专利技术的技术方案有益效果在于：在流片前，查找出原有产品中由于栅结构比较孤立而导致缺陷的热点及采取对应的措施，节约新产品流片的时间，同时增加新产品的良率。附图说明参考所附附图，以更加充分地描述本专利技术的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本专利技术范围的限制。图1是在集成电路生产过程中发现的倒胶孤立栅缺陷SEM照片；图2是倒胶孤立栅缺陷图形对应的原始版图设计图形；图3是本专利技术的一种较优的实施例中，一种多晶层光刻工艺热点查找方法的总体流程示意图；图4是集成电路设计版图中，栅结构四周空旷区域类型示意图；图5是集成电路设计的版图热点类型示意图；图6是集成电路设计版图中孤立栅结构的具体定义方法示意图；图7是本专利技术的一种较优的实施例中，一种多晶层光刻工艺热点查找方法的孤立栅图形的定义方法的流程示意图。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。需要说明的是，在不冲突的情况下，本专利技术中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面结合附图和具体实施例对本专利技术作进一步说明，但不作为本专利技术的限定。基于现有技术中存在的上述问题，本专利技术提供一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，定义一孤立栅图形；如图3所示，还包括以下步骤：步骤S1，对版图中进行孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有版图中的热点；步骤S3，根据热点的线宽尺寸判断热点的风险等级，若线宽尺寸小于一第一阈值，则判定热点为第一风险等级，若线宽尺寸大于第一阈值，则判定热点为第二风险等级。具体地，如图5所示的例子中集成电路设计的版图热点可归纳为3个部分，包括501、502、503；501为重要的空旷区域大小定义，属于两面L形的空旷包围。其中c、d是其关键的定义量，按照c与d的大小区分第一类风险等级和第二类风险等级；502为具体的孤立栅图形，其中a、b是其关键的定义量，可作为分类风险等级的重要参数。503为不关心区域，无论图形的形貌如何，对查找本身无影响。本专利技术的较佳的实施例中，如图7所示，孤立栅图形的定义方法包括：步骤A1，使孤立栅图形的线宽尺寸小于一第二阈值；步骤A2，使孤立栅图形的对对应的空旷区域面积大于一第三阈值；步骤A3，使孤立栅图形对应的空旷区域到孤立栅图形距离小于一第四阈值。具体地，如图4(a)所示，对孤立栅图形的进行定义。对孤立栅图形401的大小进行定义，定义内容包括：长、宽或面积。更进一步，如图6所示，孤立栅图形的具体定义方法包括：(1)定义孤立栅图形的大小，a与b；(2)以孤立栅图形的左半区域做示例，从距离孤立栅图形的左边c大小的位置衍生出线段AB。按照空旷区域大小的需要延迟线段BA至A’，延长线段AB至B’，构造出新的线段A’B’。往左方向平移A’B’至线段CD，构造成A’B’CD这样的长方形，图6中表示为601的空旷区域；(3)相同的操作流程，在孤立栅的上方构造出602空旷区域；(4)601、602组成的两面包围空旷区域限制密度为e％以内。符合上述关键尺寸a、b、c、d、e的图形即为需要查找的孤立栅图形。本专利技术的具体实施例中，第二阈值设置为0.5μm，或者其他合适的值，即孤立栅图形的线宽尺寸范围为0～0.5μm；第三阈值设置为200μm2，或者其他合适的值，即孤立栅图形的四周空旷区域的面积范围大于200μm2；第四阈值设置为0.2μm，或者其他合适的值，即空旷区域距离孤立栅图形的距离范围为0～0.2μm。具体实施例中，若版图上存在第一风险等级的热点，则对版图进行重新修改。本专利技术的较佳的实施例中，还包括，对判定为第一风险等级的热点，于版图中对应位置添加冗余图形。本专利技术的较佳的实施例中，还包括，对判定为第一风险等级的热点，于版图中增大热点对应的孤立栅图形的尺寸。具体实施例中，若版图上存在第二风险等级的热点，则对生产工艺进行调整。本专利技术的较佳的实施例中，还包括，对判定为第二风险等级的热点，于光刻工本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，其特征在于，定义一孤立栅图形；还包括以下步骤：步骤S1，对所述版图中进行所述孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有所述版图中的热点；步骤S3，根据所述热点的线宽尺寸判断所述热点的风险等级，若所述线宽尺寸小于一第一阈值，则判定所述热点为第一风险等级，若所述线宽尺寸大于所述第一阈值，则判定所述热点为第二风险等级。

【技术特征摘要】
1.一种多晶层光刻工艺热点查找方法，适用于集成电路制造领域，提供一集成电路设计的版图，其特征在于，定义一孤立栅图形；还包括以下步骤：步骤S1，对所述版图中进行所述孤立栅图形匹配；步骤S2，根据匹配结果找出所有所述版图中的热点；步骤S3，根据所述热点的线宽尺寸判断所述热点的风险等级，若所述线宽尺寸小于一第一阈值，则判定所述热点为第一风险等级，若所述线宽尺寸大于所述第一阈值，则判定所述热点为第二风险等级。2.根据权利要求1所述的多晶层光刻工艺热点查找方法，其特征在于，所述孤立栅图形的定义方法包括：步骤A1，使所述孤立栅图形的线宽尺寸小于一第二阈值；步骤A2，使所述孤立栅图形的对对应的空旷区域面积大于一第三阈值；步骤A3，使所述孤立栅图形对应的所述空旷区域到所述孤立栅图形距离小于一第四阈值。3.根据权利要求1所述的多晶层光刻工艺热点查找方法，其特征在于，还包括，对判定为第一风险等级的所述热点，于所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：朱忠华，魏芳，
申请(专利权)人：上海华力微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31