一种用于拼接曝光作业的掩膜板制造技术

本实用新型专利技术提供了一种用于拼接曝光作业的掩膜板，包括曝光区和非曝光区，所述曝光区内设有至少一组标尺组；所述标尺组包括第一标尺和第二标尺；所述第一标尺与第二标尺分别位于曝光区域的两侧且对应设置，拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识。本实用新型专利技术由于设置了位于曝光区域且对应设置的第一标尺和第二标尺，使得拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识，拼接曝光作业后，可以直接通过显微镜读出第一标尺与第二标尺的偏移量，从而有效快速地获取拼接偏位值。而且，能够有效应用于不同膜层的对位拼接偏位值读取。

【技术实现步骤摘要】
一种用于拼接曝光作业的掩膜板
本技术涉及了显示
，特别是涉及了一种用于拼接曝光作业的掩膜板。
技术介绍
在目前的TFT-LCD行业中，大尺寸面板得到越来越广泛的引用，在大尺寸面板的生产过程中，当面板尺寸超过掩膜板尺寸时，常常会采用拼接曝光作业，即会用一张小于面板尺寸的掩膜板，经过多次拼接曝光完成对于整个大尺寸面板的曝光作业。而其中，拼接偏位值作为一个直接影响到产品良率的重要参数，需要进行测量；而如何能快速对拼接偏位值进行测量获取，成为一个需要解决的技术问题。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是提供一种用于拼接曝光作业的掩膜板，它可以有效实现用于拼接曝光作业后能够快速获取拼接偏位值。为了解决以上技术问题，本技术提供了一种用于拼接曝光作业的掩膜板，包括曝光区和非曝光区，所述曝光区内设有至少一组标尺组；所述标尺组包括第一标尺和与所述第一标尺对应的第二标尺；所述第一标尺与第二标尺分别位于曝光区域的两侧且对应设置，拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识。作为本技术的一种优选方案，所述第一标尺和第二标尺的刻度一一对应设置。作为本技术的一种优选方案，所述第一标尺的和第二标尺的最小刻度为0.5um；量程为4um。作为本技术的一种优选方案，所述第一标尺包括数字标记和短线标记；所述第二标尺包括短线标记；所述短线标记的一端形成尖端。作为本技术的一种优选方案，所述第一标尺包括第一横向标尺和第二纵向标尺；所述第二标尺包括第一横向标尺和第二纵向标尺。作为本技术的一种优选方案，所述第一纵向标尺与所述第二纵向标尺平行；所述第一横向标尺与所述第二横向标尺平行。本技术具有如下技术效果：本技术提供的一种用于拼接曝光作业的掩膜板由于设置了位于曝光区域且对应设置的第一标尺和第二标尺，使得拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识，拼接曝光作业后，第一标尺图案与第二标尺图案对应，可以直接通过显微镜读出第一刻度图案与第二刻度图案的偏移量，从而有效快速地获取拼接偏位值；而且，由于采用拼接曝光作业后第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案来读取拼接偏位值，这样还能够有效应用于不同膜层的对位拼接偏位值的读取。附图说明为了更清楚地说明本技术实施例的技术方案，下面将对实施例的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅涉及本技术的一些实施例，而非对本技术的限制。图1为本技术提供的一种用于拼接曝光作业的掩膜板的结构示意图；图2为本技术提供的一种用于对位标识的结构示意图；图3为本技术提供的一种标尺组的布置示意图。具体实施方式为使本技术的目的，技术方案和优点更加清楚，下面结合附图对本技术实施方式作进一步详细说明。显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于所描述的本技术的实施例，本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。除非另外定义，本技术使用的技术术语或者科学术语应当为本技术所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本技术中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性，而只是用来区分不同的组成部分。在本技术的描述中，需要理解的是，若有术语“上”、“下”、“左”、“右”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此附图中描述位置关系的用语仅用于示例性说明，不能理解为对本专利的限制，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。如图1-2所示，其显示了本技术提供的一种用于拼接曝光作业的掩膜板，包括曝光区1和非曝光区21，所述曝光区1内设有至少一组标尺组100；所述标尺组100包括第一标尺11和与所述第一标尺11对应的第二标尺12；所述第一标尺11与第二标尺12分别位于曝光区1域的两侧且对应设置，拼接曝光后所述第一标尺11形成的第一刻度图案110和第二标尺12形成的第二刻度图案120对应形成对位标识200。这样，由于设置了位于曝光区1且对应设置的第一标尺11和第二标尺12，使得拼接曝光后所述第一标尺11形成的第一刻度图案110和第二标尺12形成的第二刻度图案120能够对应形成对位标识200，具体地，如图2所示，拼接曝光作业后，第一刻度图案110与第二刻度图案120对应，可以直接通过显微镜读出对位标识200中第一刻度图案110与第二刻度图案120的偏移量，从而有效快速地获取拼接偏位值；而且，由于采用拼接曝光作业后第一标尺11形成的第一刻度图案110和第二标尺12形成的第二刻度图案120来读取拼接偏位值，这样还能够有效应用于不同膜层的对位拼接偏位值读取。具体地，在本实施例中，所述第一标尺11和第二标尺12的刻度一一对应设置，这样能够有效方便读取形成的对位标识200数据，快速获取拼接偏位值。具体地，所述第一标尺11的和第二标尺12的最小刻度可以为0.5um；量程为4um。具体地，在本实施例中，所述第一标尺11包括数字标记和短线标记；所述第二标尺12包括短线标记；所述短线标记的一端形成尖端。这样第一标尺11设置了数字标识后可以方便获取拼接偏位值数据，而形成尖端的短线标记能够有效提高读取精度和效率。优选地，所述第一标尺11包括第一横向标尺111和第二纵向标尺112；所述第二标尺12包括第一横向标尺121和第二纵向标尺122。所述第一纵向标尺112与所述第二纵向标尺122平行；所述第一横向标尺111与所述第二横向标尺121平行。这样，一个包括了第一标尺11和第二标尺12的标尺组100就能够同时获取拼接曝光作业后横向的拼接偏位值和纵向的拼接偏位值，进一步保证快速获取拼接偏位值。进一步地，如图3所示，所述掩膜板的曝光区1域可以为矩形，有效设有三个标尺，分别为标尺A、标尺B和标尺C，具体地，标尺A、标尺B和标尺C分别位于曝光区1域的一角，其中，标尺A和标尺B形成一组横向布置的标尺组100，具体地，可以是标尺A位于曝光区1的左下角，标尺B对应位于曝光区1的右下角；标尺B和标尺C形成一组纵向布置的标尺组100，具体地，可以是标尺B对应位于曝光区1的右下角，标尺C位于曝光区1的右上角。这样既可以使得掩膜板满足纵向拼接曝光作业后快速读取拼接偏位值的要求，又可以使得掩膜板满足横向曝光拼接作业后快速读取拼接偏位值的要求，同时共用了标尺B，减少了非显示曝光图案的占用空间；具体地，标尺A和标尺C为第一标尺11，标尺B为第二标尺12。以上所述实施例仅表达了本技术的实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本技术专利范围的限制，但凡采用等同替换或等效变换的形式所获得的技术方案，均应落在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于拼接曝光作业的掩膜板，其特征在于，包括曝光区和非曝光区，所述曝光区内设有至少一组标尺组；所述标尺组包括第一标尺和与所述第一标尺对应的第二标尺；所述第一标尺与第二标尺分别位于曝光区域的两侧且对应设置，拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识。

【技术特征摘要】
1.一种用于拼接曝光作业的掩膜板，其特征在于，包括曝光区和非曝光区，所述曝光区内设有至少一组标尺组；所述标尺组包括第一标尺和与所述第一标尺对应的第二标尺；所述第一标尺与第二标尺分别位于曝光区域的两侧且对应设置，拼接曝光后所述第一标尺形成的第一刻度图案和第二标尺形成的第二刻度图案对应形成对位标识。2.根据权利要求1所述的用于拼接曝光作业的掩膜板，其特征在于，所述第一标尺和第二标尺的刻度一一对应设置。3.根据权利要求1所述的用于拼接曝光作业的掩膜板，其特征在于，所述第一标尺的和第二标...

【专利技术属性】
技术研发人员：林建伟，陈家幸，庄崇营，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：新型
国别省市：广东,44