阵列基板防腐蚀保护结构、阵列基板、显示屏及保护方法技术

本发明专利技术公开一种阵列基板防腐蚀保护结构、阵列基板、显示屏及保护方法。该阵列基板防腐蚀保护结构，包括底层为金属导电膜层和顶层为氧化铟锌IZO层的膜层结构；其中，所述金属导电膜层位于基板基底之上；所述氧化铟锌IZO层位于所述金属导电膜层之上。本发明专利技术提供的方案，能防止阵列基板中的孔腐蚀和走线腐蚀，提高产品良率。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板防腐蚀保护结构、阵列基板、显示屏及保护方法
本专利技术涉及平板显示
，具体涉及一种阵列基板防腐蚀保护结构、阵列基板、显示屏及保护方法。
技术介绍
目前市场上有各种各样的显示器产品，例如LCD(LiquidCrystalDisplay，液晶显示器)和OLED(OrganicLightEmittingDiode，有机发光二极管)显示器等。近年来，LCD得到了蓬勃发展，TFT(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管)液晶显示器产品的类型也与日俱增，例如TN(TwistedNematic，扭曲向列型)类型、IPS(In-PlaneSwitching，平面转换)类型。TFT液晶显示器生产过程中，TFT显示屏的孔腐蚀和走线腐蚀是一直困扰本行业的难题，其机理没有被完全熟知。导电走线一般是指在TFT阵列基板中，用于传送电信号的导电线路。参见图1，图1是现有技术中导电走线腐蚀示意图。现有技术中，金属导电膜层例如MoAlMo(钼铝钼)等顶层的Mo/Ti(钼/钛)会受到脱膜液等腐蚀，而受到脱膜液腐蚀的Mo在过孔干刻后，Mo会被刻蚀且坑洼不平。上述情况的出现，是由于显示屏中的阵列基板的导电走线需要通过过孔与IZO(氧化铟锌)连接才能与驱动IC和FPC(FlexiblePrintedCircuit，柔性电路板)等外界连接，从而不可避免地出现水汽、腐蚀液体和气体从过孔进入，形成孔腐蚀和走线腐蚀，从而严重影响制程良率和产品可靠性。因此，如何解决TFT显示屏阵列基板中的孔腐蚀和走线腐蚀是一个急需解决的问题。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术的目的在于提出一种阵列基板防腐蚀保护结构、阵列基板、显示屏及保护方法，能防止阵列基板中的孔腐蚀和走线腐蚀，提高产品良率。根据本专利技术的一个方面，提供一种阵列基板防腐蚀保护结构：所述保护结构包括底层为金属导电膜层和顶层为氧化铟锌IZO层的膜层结构；其中，所述金属导电膜层位于基板基底之上；所述氧化铟锌IZO层位于所述金属导电膜层之上。优选的，所述氧化铟锌IZO层的膜厚为50-2000唉。优选的，所述金属导电膜层包括：纯Mo或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Ti或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Mo或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构，或者，纯Ti或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构。根据本专利技术的另一个方面，提供一种阵列基板，包括上述的阵列基板防腐蚀保护结构。根据本专利技术的另一个方面，提供一种显示屏，所述显示屏中的阵列基板包括上述的阵列基板防腐蚀保护结构。根据本专利技术的另一个方面，提供一种阵列基板防腐蚀保护方法，包括：在基板基底形成金属导电膜层；在所述金属导电膜层之上形成氧化铟锌IZO层，使得形成底层为金属而顶层为氧化物的膜层结构。优选的，所述在所述金属导电膜层之上形成氧化铟锌IZO层，包括：采用溅射法在所述金属导电膜层之上形成氧化铟锌IZO层。优选的，所述氧化铟锌IZO层的膜厚为50-2000唉。优选的，所述在所述金属导电膜层之上形成导电氧化层之后，还包括：执行光刻胶涂布、显影成形、刻蚀和去除光刻胶的步骤，其中所述刻蚀包括进行IZO层刻蚀和进行金属导电膜层刻蚀。优选的，所述金属导电膜层包括：纯Mo或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Ti或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Mo或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构，或者，纯Ti或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构。可以发现，本专利技术实施例的技术方案，提供了一种阵列基板防腐蚀保护结构，该保护结构包括底层为金属导电膜层和顶层为氧化铟锌IZO层的膜层结构；其中，所述金属导电膜层位于基板基底之上，所述氧化铟锌IZO层位于所述金属导电膜层之上。本专利技术方案中，有了IZO层的保护，金属导电膜层例如MoAlMo等在光刻胶去除的时候就不会被脱膜液等腐蚀，在过孔干刻时就不会被干刻气体刻蚀，且在后续工艺流程和产品使用过程中，腐蚀气体和液体同样无法进入腐蚀；也就是说，有了顶层IZO的存在，金属导电膜层例如MoAlMo等在过孔干刻时受IZO保护可使Mo的损失量为零，覆盖完好，极难发生腐蚀；IZO除了能很好保护底层金属在过孔干刻时不被刻蚀外，IZO在脱膜时也不受脱膜液腐蚀，与现有产品顶层Mo/Ti容易受到脱膜液等腐蚀影响相比，本专利技术方案可以有效杜绝导电走线腐蚀和孔腐蚀的发生，有效杜绝显影液、脱膜液、TMAH(四甲基氢氧化铵)等的腐蚀，从而解决了显示屏阵列基板中的孔腐蚀和走线腐蚀的问题。进一步的，本专利技术实施例可以采用溅射法在所述金属导电膜层之上形成氧化铟锌IZO层，氧化铟锌IZO的膜厚可以为50-2000唉之间。进一步的，本专利技术实施例的氧化铟锌IZO形成于各种不同结构的金属导电膜层之上，其中所述金属导电膜层的不同结构可以包括：纯Mo或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Ti或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Mo或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构，或者，纯Ti或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构等。附图说明通过结合附图对本公开示例性实施方式进行更详细的描述，本公开的上述以及其它目的、特征和优势将变得更加明显，其中，在本公开示例性实施方式中，相同的参考标号通常代表相同部件。图1是现有技术中图1是现有技术中导电走线腐蚀示意图；图2是根据本专利技术的一个实施例的阵列基板防腐蚀保护结构的示意图；图3是根据本专利技术的一个实施例的阵列基板防腐蚀保护结构中的金属导电膜层的结构示意图；图4是根据本专利技术的一个实施例的一种阵列基板防腐蚀保护方法的一示意性流程图；图5是根据本专利技术的一个实施例的一种阵列基板防腐蚀保护方法的另一示意性流图；图6是本专利技术实施例与现有技术在基底上形成MoAlMo膜的流程对比示意图；图7是本专利技术实施例在MoAlMo膜上形成IZO膜的流程示意图；图8是本专利技术实施例与现有技术进行光刻胶涂布的流程对比示意图；图9是本专利技术实施例与现有技术进行光刻胶曝光显影并形成图形的流程对比示意图；图10是本专利技术实施例进行IZO刻蚀的流程示意图；图11是本专利技术实施例进行金属层刻蚀的流程示意图；图12是本专利技术实施例与现有技术进行光刻胶去除的流程对比示意图；图13是本专利技术实施例与现有技术过孔刻蚀后的腐蚀情况对比示意图；图14是本专利技术实施例与现有技术保护金属效果对比示意图。具体实施方式为使本专利技术的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具体实施例，并参照附图，对本专利技术进一步详细说明。虽然附图中显示了本公开的优选实施方式，然而应该理解，可以以各种形式实现本公开而不应被这里阐述的实施方式所限制。相反，提供这些实施方式是为了使本公开更加透彻和完整，并且能够将本公开的范围完整地传达给本领域的技术人员。提出一种阵列基板防腐蚀保护结构、阵列基板、显示屏及保护方法，能防止阵列基板中的孔腐蚀和走线腐蚀，提高产品良率。以下结合附图详细描述本专利技术实施例的技术方案。本专利技术实施例中，提供了一种新的阵列基板防腐蚀保护结构。请参阅图2，是根据本专利技术的一个实施例的阵列基板防腐蚀保护结构的示意图。如图2所示，本专利技术提供的阵列基板防腐蚀保护结构，包括底层为金属导电膜层201和顶层为导电氧化层202的膜层结构；其中，所述金属导电膜层201位于基板基底之上；所述导电氧化层202位于所述金属导电膜层201之本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板防腐蚀保护结构，其特征在于：所述保护结构包括底层为金属导电膜层和顶层为氧化铟锌IZO层的膜层结构；其中，所述金属导电膜层位于基板基底之上；所述氧化铟锌IZO层位于所述金属导电膜层之上。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板防腐蚀保护结构，其特征在于：所述保护结构包括底层为金属导电膜层和顶层为氧化铟锌IZO层的膜层结构；其中，所述金属导电膜层位于基板基底之上；所述氧化铟锌IZO层位于所述金属导电膜层之上。2.根据权利要求1所述的结构，其特征在于：所述氧化铟锌IZO层的膜厚为50-2000唉。3.根据权利要求1或2所述的结构，其特征在于，所述金属导电膜层包括：纯Mo或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Ti或其合金与Al或其合金组成的膜层结构，纯Mo或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构，或者，纯Ti或其合金与Cu或其合金组成的膜层结构。4.一种阵列基板，其特征在于，包括如权利要求1至3任一项所述的阵列基板防腐蚀保护结构。5.一种显示屏，其特征在于，所述显示屏中的阵列基板包括如权利要求1至3任一项所述的阵列基板防腐蚀保护结构。6.一种阵列基板防腐蚀保护方法，其特征在于，包括：在基板基底形成金...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈建伦，徐阳，刘力明，
申请(专利权)人：信利惠州智能显示有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44