阵列基板制造技术

技术编号:20361433 阅读:49 留言:0更新日期:2019-02-16 15:54
本发明专利技术公开了一种阵列基板,包括基板、多个像素结构、多个彩色滤光图案、第一及第二共用电极层、导电结构及导电图案。基板具有显示区及周边区。各像素结构位于显示区内,且包括主动元件及像素电极。多个彩色滤光图案分别对应多个像素结构设置。第一及第二共用电极层依序配置于彩色滤光图案上,且与像素电极结构上分离。导电结构位于周边区内,且包括依序配置于基板上的第一、第二及第三导电层,其中第一、第二及第三导电层分别与第一共用电极层、像素电极及第二共用电极层属于同一膜层。导电图案位于周边区内,且导电结构与导电图案电性连接。

【技术实现步骤摘要】
阵列基板
本专利技术是有关于一种阵列基板,且特别是有关于一种主动元件阵列基板。
技术介绍
随着液晶显示面板的发展,高解析度已经成为基本需求之一。特别是,为了获得高解析度,必须在相同面积下布局更多像素,因此像素尺寸越来越小。然而,随着像素尺寸越来越小,每一像素中的储存电容与寄生电容的比例也越来越小,此将导致像素容易受到馈穿效应(feedthrougheffect)的影响而造成画面显示亮度均匀性不佳的问题。
技术实现思路
本专利技术的至少一实施方式提供一种阵列基板,其可增加像素结构的储存电容值。本专利技术的至少一实施方式的阵列基板包括基板、多个像素结构、多个彩色滤光图案、第一共用电极层、第二共用电极层、导电结构及导电图案。基板具有显示区及周边区,其中周边区位于显示区的至少一侧。多个像素结构位于基板的显示区内,其中各像素结构包括主动元件及像素电极。多个彩色滤光图案位于基板的显示区内且分别对应多个像素结构设置。第一共用电极层配置于多个彩色滤光图案上,且与多个像素电极结构上分离。第二共用电极层配置于第一共用电极层上,且与多个像素电极结构上分离。导电结构位于基板的周边区内,其中导电结构包括依序配置于基板上的第一导电层、第二导电层及第三导电层,其中第一导电层与第一共用电极层属于同一膜层,第二导电层与多个像素电极属于同一膜层,且第三导电层与第二共用电极层属于同一膜层。导电图案位于基板的周边区内,其中导电结构与导电图案电性连接。基于上述,在本专利技术的至少一实施方式的阵列基板中,通过多个像素结构位于显示区内,每一像素结构包括主动元件及像素电极,多个彩色滤光图案分别对应多个像素结构设置,第一共用电极层配置于彩色滤光图案上且与像素电极结构上分离,第二共用电极层配置于第一共用电极层上且与像素电极结构上分离,导电结构位于周边区内且包括与第一共用电极层属于同一膜层的第一导电层、与像素电极属于同一膜层的第二导电层、以及与第二共用电极层属于同一膜层的第三导电层,使得当驱动阵列基板时,可有效地增加像素结构的储存电容值。如此一来,当阵列基板应用于高解析度的显示面板时,可降低像素结构受到馈穿效应的影响。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂,下文特举实施方式,并配合所附图式作详细说明如下。附图说明图1是依照本专利技术的一实施方式的阵列基板的上视示意图。图2为图1中的区域K的放大示意图。图3为图1中的区域L的放大示意图。图4为沿图2中剖线I-I’及沿图3中剖线II-II’的剖面示意图。图5是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的局部剖面示意图。图6是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的局部剖面示意图。图7是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的局部上视示意图。图8为图7中的区域M的放大示意图。图9为图7中的区域N的放大示意图。图10为图7的阵列基板的部分区域的剖面示意图。图11为图7的阵列基板的时序波形图。图12是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的局部上视示意图。图13为图12中的区域Q的放大示意图。图14为图12的阵列基板的时序波形图。图15是依照本专利技术的另一实施方式的阵列基板的局部爆炸示意图。图16为图15中的区域Z的放大示意图。其中,附图标记:10、20、30、40、50、60:阵列基板100:基板102、106:导电图案104:导电结构108:接垫结构A:显示区B:周边区C:通道层CF:彩色滤光图案CL1:第一导电层CL2:第二导电层CL3:第三导电层CL4:第四导电层CL5:第五导电层CL6:第六导电层CM1:第一共用电极层CM2:第二共用电极层Cst1、Cst2:储存电容D:漏极d:距离DL:数据线DT:虚拟信号线E1:条状电极E2:感测电极E3:块状电极F1、F2:扇出线G:栅极GI:栅绝缘层H1、H2、H3、H4、H5、H6、H7、H8、H9、H10、H11、H12、H13:接触窗IL1、IL2、IL3、IL4:绝缘层J1:第一狭缝J2:第二狭缝K、L、M、N、Q、Z:区域L1、L2、L3:导体层n:法线方向O、V:开孔P1、P2:接垫图案PE:像素电极R:外部引脚接合区域S:源极SL:扫描线SP:线段图案T:主动元件Tx10、Tx20:信号线Tx11~Tx16、Tx21~Tx26:感测线U:像素结构W、X、Y:连接结构Wa、Wb、Xa、Xb、Ya、Yb:连接图案具体实施方式在本文中,由“一数值至另一数值”表示的范围,是一种避免在说明书中一一列举该范围中的所有数值的概要性表示方式。因此,某一特定数值范围的记载,涵盖该数值范围内的任意数值以及由该数值范围内的任意数值界定出的较小数值范围,如同在说明书中明文写出该任意数值和该较小数值范围一样。本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”包括所述值和在本领域普通技术人员确定的特定值的可接受的偏差范围内的平均值,考虑到所讨论的测量和与测量相关的误差的特定数量(即,测量系统的限制)。例如,“约”可以表示在所述值的一个或多个标准偏差内,或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%内。再者,本文使用的“约”、“近似”、“本质上”、或“实质上”可依量测性质、切割性质或其它性质,来选择较可接受的偏差范围或标准偏差,而可不用一个标准偏差适用全部性质。应当理解,当诸如层、膜、区域或基板的元件被称为在另一元件“上”、“连接到”或“接触”另一元件时,其可以直接在另一元件上或与另一元件连接/接触,或者中间元件可以也存在。相反,当元件被称为“直接在另一元件上”、“直接连接到”或“直接接触”另一元件时,不存在中间元件。如本文所使用的,“连接”可以指物理及/或电性连接。再者,“电性连接”可为二元件间存在其它元件。应当理解,尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分,但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此,下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。此外,诸如“下”和“上”的相对术语可在本文中用于描述一个元件与另一元件的关系,如图所示。应当理解,相对术语旨在包括除了图中所示的方位之外的装置的不同方位。例如,如果一个附图中的装置翻转,则被描述为在其他元件的“下”侧的元件将被定向在其他元件的“上”侧。因此,示例性术语“下”可以包括“下”和“上”的取向,取决于附图的特定取向。除非另有定义,本文使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与任何所属
中具有通常知识者通常理解的相同的含义。将进一步理解的是,诸如在通常使用的字典中定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术和本专利技术的上下文中的含义一致的含义,并且将不被解释为理想化的或过度正式的意义,除非本文中明确地这样定义。图1是依照本专利技术的一实施方式的阵列基板的上视示意图。图2为图1中的区域K的放大示意图。图3为图1中的区域L的放大示意图。图4为沿图2中剖线I-I’及沿图3中剖线II-II’的剖面示意图。请同时参照图1至图4,阵列基板10可包括基板100、多个像素结构U、多个彩色滤光图案CF、第一共用电极层CM1、第二共用电极层本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种阵列基板,其特征在于,包括:一基板,具有一显示区以及一周边区,该周边区位于该显示区的至少一侧;多个像素结构,位于该基板的该显示区内,其中各该像素结构包括一主动元件以及一像素电极;多个彩色滤光图案,位于该基板的该显示区内且分别对应该些像素结构设置;一第一共用电极层,配置于该些彩色滤光图案上,且与该些像素电极结构上分离;一第二共用电极层,配置于该第一共用电极层上,且与该些像素电极结构上分离;一导电结构,位于该基板的该周边区内,其中该导电结构包括依序配置于该基板上的一第一导电层、一第二导电层及一第三导电层,该第一导电层与该第一共用电极层属于同一膜层,该第二导电层与该些像素电极属于同一膜层,且该第三导电层与该第二共用电极层属于同一膜层;以及一导电图案,位于该基板的该周边区内,其中该导电结构与该导电图案电性连接。

【技术特征摘要】
2018.10.12 TW 1071361061.一种阵列基板,其特征在于,包括:一基板,具有一显示区以及一周边区,该周边区位于该显示区的至少一侧;多个像素结构,位于该基板的该显示区内,其中各该像素结构包括一主动元件以及一像素电极;多个彩色滤光图案,位于该基板的该显示区内且分别对应该些像素结构设置;一第一共用电极层,配置于该些彩色滤光图案上,且与该些像素电极结构上分离;一第二共用电极层,配置于该第一共用电极层上,且与该些像素电极结构上分离;一导电结构,位于该基板的该周边区内,其中该导电结构包括依序配置于该基板上的一第一导电层、一第二导电层及一第三导电层,该第一导电层与该第一共用电极层属于同一膜层,该第二导电层与该些像素电极属于同一膜层,且该第三导电层与该第二共用电极层属于同一膜层;以及一导电图案,位于该基板的该周边区内,其中该导电结构与该导电图案电性连接。2.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该第一共用电极层接触于该些彩色滤光图案。3.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,在该基板的一法线方向的一垂直投影面上,该第一共用电极层与该第二共用电极层具有相同的轮廓。4.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该第一共用电极层具有对应该些像素电极而设置的多个第一狭缝,该第二共用电极层具有对应该些像素电极而设置的多个第二狭缝,其中于该基板的一法线方向的一垂直投影面上,该些第一狭缝与该些第二狭缝相重叠。5.如权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,该第一共用电极层直接连接于该第一导电层,该第二共用电极层直接连接于该第三...

【专利技术属性】
技术研发人员:张吉和范胜钦
申请(专利权)人:友达光电股份有限公司
类型:发明
国别省市:中国台湾,71

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