改善柔性基板毛刺的方法技术

本发明专利技术涉及一种改善柔性基板毛刺的方法，用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺，采用干法刻蚀削减或消除所述毛刺。经过验证发现，在预切割后，柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成毛刺，该毛刺可以通过干法刻蚀制程处理，来降低毛刺的高度，甚至消除毛刺，使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求，在很大程度上提高柔性基板的良品率，以及后续工序的良率，进而提高了生产效益。

【技术实现步骤摘要】
改善柔性基板毛刺的方法
本专利技术涉及柔性基板的制备
，特别是涉及改善柔性基板毛刺的方法。
技术介绍
柔性基板如彩色滤光片基板在制作过程中，为了方便后期的绑定可以在TFT基板(ThinFilmTransistor，薄膜晶体管基板)上顺利的进行，需要事先在CF基板(ColorFilter，彩色滤光片基板)上进行预切割，暴露出TFT基板上的bonding位(打线位)。在预切割后经过ODF制程(OneDropFilling，液晶滴下制程)，随后在切割裂片之后去掉CF基板上多余的部分。但是，因为预切割时，CF基板结构的限制，在经过预切割后会导致在切缝两边形成大量很高的毛刺，影响ODF等制程的顺利进行，使产品良品率下降。
技术实现思路
基于此，有必要针对上述问题，提供一种改善柔性基板毛刺的方法，在不损伤柔性基板情况下，有效改善毛刺，利于后续制程的顺利进行，提高了产品良率。一种改善柔性基板毛刺的方法，用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺，采用干法刻蚀削减或消除毛刺。上述改善柔性基板毛刺的方法，经过验证发现，在预切割后，柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成毛刺，该毛刺可以通过干法刻蚀制程处理，来降低毛刺的高度，甚至消除毛刺，使柔性基板可以满足后续工序的板面平整的要求，在很大程度上提高柔性基板的良品率，以及后续工序的良率，进而提高了生产效益。在其中一个实施例中，改善柔性基板毛刺的方法包括以下步骤：将柔性基板的具有毛刺的一面涂覆光刻胶，形成光刻胶面，光刻胶面设有曝光区和掩光区，切割口位于掩光区；将掩膜板覆盖于掩光区，然后进行曝光；除去掩膜板，在光刻胶面涂覆显影液，显影掩光区，露出柔性基板的表面中对应掩光区的部分，对毛刺所在区域进行干法刻蚀，削减或消除毛刺。在其中一个实施例中，柔性基板包括绝缘层，毛刺位于绝缘层的切割口处。在其中一个实施例中，绝缘层采用有机高分子材料制成。在其中一个实施例中，绝缘层采用环氧树脂或亚克力树脂制成。在其中一个实施例中，干法刻蚀的刻蚀气体主要包括氧气。在其中一个实施例中，涂覆光刻胶的方式为旋涂或刮涂。在其中一个实施例中，显影液为四甲基氢氧化铵。在其中一个实施例中，柔性基板为彩色滤光片基板或阵列基板。一种改善柔性基板毛刺的方法，柔性基板包括绝缘层，绝缘层采用有机高分子材料制成，柔性基板具有切割口，毛刺位于绝缘层的切割口处，改善柔性基板毛刺的方法包括以下步骤：将柔性基板的具有毛刺的一面涂覆光刻胶，形成光刻胶面，光刻胶面设有曝光区和掩光区，切割口位于掩光区，将掩膜板覆盖于掩光区后，进行曝光；除去掩膜板，在光刻胶面涂覆显影液，显影掩光区，露出柔性基板的表面中对应掩光区的部分，对毛刺所在区域进行干法刻蚀，削减或消除毛刺。附图说明图1为第一个实施例中的柔性基板消除毛刺前的示意图；图2为图1柔性基板消除毛刺后的示意图。具体实施方式为了便于理解本专利技术，下面将对本专利技术进行更全面的描述。但是，本专利技术可以以许多不同的形式来实现，并不限于本文所描述的实施例。相反地，提供这些实施例的目的是使对本专利技术的公开内容的理解更加透彻全面。除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本专利技术的
的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本专利技术的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本专利技术。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。下列实施例中未注明具体条件的试验方法，按照常规方法和条件，或按照商品说明书建议的条件进行选择。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可通过市售购买获得的常规产品。本专利技术提供了一种改善柔性基板毛刺的方法，经过验证发现，在预切割后，柔性基板的其中一侧面于切割口处会形成毛刺，该毛刺可以通过干法刻蚀制程处理，来削减毛刺的高度，或消除毛刺，使柔性基板可以满足后续工序的无毛刺、板面平整的要求，由于干法刻蚀的精确度高，可控性强，可削减或消除纳米级高度的毛刺，不会损坏柔性基板，符合精密制程的要求，提高了柔性基板的良品率以及后续工序的良率，进而提高生产效益。一个实施例中，改善柔性基板毛刺的方法包括以下步骤：提供一预切割后的柔性基板，柔性基板具有切割口，毛刺位于切割口处。一个实施例中，柔性基板包括绝缘层，毛刺位于绝缘层的切割口处。绝缘层采用有机高分子材料制成，例如环氧树脂或亚克力树脂等。进一步地，柔性基板可以为CF基板，包括基材、柔性底衬及绝缘层，基材与绝缘层分别贴附于柔性底衬的两侧，预切割为主要切割柔性底衬与绝缘层，形成切割口，切割后绝缘层于切割口处产生毛刺。由于绝缘层为有机高分子材料，根据其材料特性可以采用干法刻蚀削减或消除毛刺。柔性基板还可以是阵列基板，如TFT阵列基板，阵列基板的绝缘层上的毛刺亦可采用干法刻蚀的方法削减或消除。将柔性基板的具有毛刺的一面涂覆光刻胶，形成光刻胶面，光刻胶面设有曝光区和掩光区，切割口位于掩光区，将掩膜板覆盖于掩光区后，进行曝光。由于切割口位于掩光区，曝光时由于掩膜板的掩盖，没有被曝光。一个实施例中，涂覆光刻胶的方式为旋涂或刮涂。除去掩膜板，在光刻胶面涂覆显影液，显影掩光区，露出柔性基板的表面中对应掩光区的部分，即绝缘层，由于切割口位于掩光区，所以切割口亦露出外表面。然后对毛刺所在区域进行干法刻蚀，削减或消除毛刺，可根据后续工序的需要，控制刻蚀毛刺的高度，只需要达到削减或消除毛刺高度即可。干法刻蚀可以刻透绝缘层，也可以不完全刻透绝缘层，切割口所处位置在panel(嵌板)外围，绝缘层刻透后不会影响其他区域对panel的保护；如果不完全刻透绝缘层，绝缘层余下的膜层依然可以起到绝缘保护的作用，不影响柔性基板的正常功能。显影液可采用四甲基氢氧化铵或其他可以显影光刻胶的显影液。一个实施例中，干法刻蚀的刻蚀气体主要包括氧气，根据绝缘层的材料特性将刻蚀气体于低压状态下，施以电压，将刻蚀气体激发呈离子浆，对毛刺进行轰击，刻蚀气体于毛刺的绝缘材料产生化学反应，以及被离子轰击，达到削减或消除毛刺的效果。以下为具体实施例说明。实施例1本实施例的柔性基板为CF基板，柔性基板预切割后，且未改善毛刺前，其结构如图1所示，柔性基板包括基材、柔性底衬及绝缘层，基材与绝缘层分别贴附于柔性底衬的两侧，绝缘层采用环氧树脂材料制成，绝缘层的厚度为10μm。预切割为切割柔性底衬与绝缘层，切割处形成切割口，切割后绝缘层于切割口处产生毛刺。采用干法刻蚀改善上述柔性基板的切割毛刺，包括以下步骤：提供上述柔性基板；将柔性基板的具有毛刺的一面涂覆光刻胶，形成光刻胶面，光刻胶面设有曝光区和掩光区，切割口位于掩光区，将掩膜板覆盖于掩光区后，进行曝光。除去掩膜板，在光刻胶面涂覆显影液四甲基氢氧化铵，显影掩光区，露出柔性基板的表面中对应掩光区的部分，对毛刺所在区域进行干法刻蚀，消除毛刺。干法刻蚀的条件为：刻蚀气体为O2、SF6，侧壁保护气体为CF4，刻蚀速率为每分钟0.4μm，刻蚀时间为30分钟。消除毛刺后的柔性基板如图2所示。实施例2本实施例的柔性基板为CF基板，柔性基板预切割后，且未改善毛刺前，柔性基板包括基材、柔性底衬及绝缘层，基材与绝缘层分别贴附于柔性底衬的两侧，绝缘层采用亚克力树脂材料制成，绝缘层的厚度为12μm。预切割为切割柔性底衬与绝缘层，切割处本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种改善柔性基板毛刺的方法，用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺，其特征在于，采用干法刻蚀削减或消除所述毛刺。

【技术特征摘要】
1.一种改善柔性基板毛刺的方法，用于削减或消除柔性基板预切割后于切割口处产生的毛刺，其特征在于，采用干法刻蚀削减或消除所述毛刺。2.根据权利要求1所述的改善柔性基板毛刺的方法，其特征在于，包括以下步骤：将柔性基板的具有毛刺的一面涂覆光刻胶，形成光刻胶面，所述光刻胶面设有曝光区和掩光区，所述切割口位于所述掩光区；将掩膜板覆盖于所述掩光区，然后进行曝光；除去掩膜板，在所述光刻胶面涂覆显影液，显影所述掩光区，露出所述柔性基板的表面中对应所述掩光区的部分，对所述毛刺所在区域进行干法刻蚀，削减或消除所述毛刺。3.根据权利要求2所述的改善柔性基板毛刺的方法，其特征在于，所述柔性基板包括绝缘层，所述毛刺位于所述绝缘层的切割口处。4.根据权利要求3所述的改善柔性基板毛刺的方法，其特征在于，所述绝缘层采用有机高分子材料制成。5.根据权利要求4所述的改善柔性基板毛刺的方法，其特征在于，所述绝缘层采用环氧树脂或亚克力树脂制成。6.根据权利要求2...

【专利技术属性】
技术研发人员：柳发霖，董思娜，方翠怡，李林，
申请(专利权)人：信利半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44