绝缘层薄膜表面的导电化处理工艺制造技术

本发明专利技术提供了一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。

【技术实现步骤摘要】
绝缘层薄膜表面的导电化处理工艺
本专利技术属于电磁屏蔽膜
，尤其涉及一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺。
技术介绍
随着现代电子工业的快速发展，大量电器和电子设备广泛应用于工业生产和人们日常生活，促进了工业技术的发展，改善了人们的生活，提升了人们的生活质量。但电器和电子设备在使用过程中会辐射出大量的电磁波，电磁波对电子设备的正常安全运行和人类的生存环境造成了不可忽视的危害。随着各种无线通信系统和高频电子器件数量的急剧增加，电磁干扰现象和电磁污染问题日渐突出。人类生存环境中的电磁能量逐年增加，21世纪电磁环境恶化难以避免。电磁屏蔽，是指对两个区域之间进行隔离，以控制磁场、电场、电磁信号等有一个区域扩散到另一个区域造成感应和辐射的行为。具体的，屏蔽体将元器件、电路、组合件等包裹起来，防止受到外界的电磁信号的干扰。电磁屏蔽膜作为一种常用的屏蔽体，广泛用于各电子元器件中。在电磁屏蔽膜的制备过程中，在绝缘层上制备金属屏蔽层时，需要制备至少一层金属层，该金属层一方面用来完成对屏蔽对象的屏蔽保护作用，另一方面用来实现与接地点之间的连接。将电磁屏蔽膜直接覆盖于目标表面时，要求能够与目标完全贴合，中间不能有空腔。而现有电磁屏蔽膜的金属层在使用中，由于膜层光亮导致气体残留于屏蔽膜与目标之间，形成空腔的问题。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，旨在解决现有技术制备的电磁屏蔽膜的金属层在使用中，由于膜层光亮导致气体残留于屏蔽膜与目标之间，形成空腔的问题。为实现上述专利技术目的，本专利技术采用的技术方案如下：一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。优选的，将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理的步骤中，所述碱性电解液中，金属离子浓度为1-30g/L、pH为7-13的碱性电解液。优选的，将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理的步骤中，所述表面沉积处理在电流为1-50A的条件进行。优选的，所述微蚀液包括无机酸和微蚀剂，且所述微蚀液中无机酸的质量浓度为150-300g/L，微蚀剂的质量浓度为100-200g/L。优选的，将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理的步骤中，在电流强度为10-50A的条件下进行微蚀，完成导电化处理。优选的，所述金属镀层中的金属元素为银、铜、金、铝、钨、锌、镍、铁、铂、钛金属单质形成的金属镀层；或者所述金属镀层为银、铜、金、铝、钨、锌、镍、铁、铂、钛金属中的至少两种形成的合金镀层。优选的，采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理的步骤中，预处理的工艺参数为：工作真空镀压强：0.1～100Pa，速度：0.5～50m/min；阻值：≤200Ω，工作电压：500～1000V，工作电流：50～500A，氩气量：10～500SCCM。优选的，所述金属镀层的厚度为0.1μm-20μm。优选的，所述金属镀层的表面粗糙度Ra在5-20。本专利技术提供的绝缘膜表面实现导电化的处理方法，先对绝缘层进行真空镀预处理，将预处理之后的绝缘层置于碱性电解液中，采用碱液沉淀法在所述绝缘层表面进行表面处理，得到一层表面结构均匀、致密的金属镀层半成品，在此金属镀层半成品表面进行微蚀处理，获得金属镀层。一方面，在经过至少一次碱液处理后，可获得较强的导电性能，提高电磁屏蔽效果(屏蔽效果可以达到不小于60dB)。另一方面，通过采用微蚀液对所述金属镀层半成品进行微蚀处理，可以在所述金属镀层表面形成多孔结构，形成多孔表面，从而在制备相邻导电胶层时，可以通过表面多孔有效排气，使得到的发泡金属层与导电胶层贴附时层与层之间无气体残留，在实现电磁屏蔽膜良好的屏蔽性能及导电性能的同时，具备较好的排气性能，实现牢固粘附。在进行导电化处理前，膜面的表面电阻为＞5MΩ，导电化处理后获得的导电层，根据沉淀次数的不同，表面电阻为60mΩ～100mΩ。通过此种方式获得的金属镀层，具有均匀的外观，表面具有多孔结构，具备良好的导电性能与电磁屏蔽效果。具体实施方式为了使本专利技术要解决的技术问题、技术方案及有益效果更加清楚明白，以下结合实施例，对本专利技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本专利技术，并不用于限定本专利技术。在本专利技术的描述中，需要理解的是，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本专利技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。本专利技术实施例提供了一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，包括以下步骤：S01.提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；S02.采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；S03.将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；S04.将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。本专利技术实施例提供的绝缘膜表面实现导电化的处理方法，先对绝缘层进行真空镀预处理，将预处理之后的绝缘层置于碱性电解液中，采用碱液沉淀法在所述绝缘层表面进行表面处理，得到一层表面结构均匀、致密的金属镀层半成品，在此金属镀层半成品表面进行微蚀处理，获得金属镀层。一方面，在经过至少一次碱液处理后，可获得较强的导电性能，提高电磁屏蔽效果(屏蔽效果可以达到不小于60dB)。另一方面，通过采用微蚀液对所述金属镀层半成品进行微蚀处理，可以在所述金属镀层表面形成多孔结构，形成多孔表面，从而在制备相邻导电胶层时，可以通过表面多孔有效排气，使得到的发泡金属层与导电胶层贴附时层与层之间无气体残留，在实现电磁屏蔽膜良好的屏蔽性能及导电性能的同时，具备较好的排气性能，实现牢固粘附。在进行导电化处理前，膜面的表面电阻为＞5MΩ，导电化处理后获得的导电层，根据沉淀次数的不同，表面电阻为60mΩ～100mΩ。通过此种方式获得的金属镀层，具有均匀的外观，表面具有多孔结构，具备良好的导电性能与电磁屏蔽效果。具体的，上述步骤S01中，所述载体膜层可以选择本领域常规的载体膜层。具体的，所述载体膜层通过在基膜表面涂布硅油离型剂或无硅离型剂，进一步经UV固化形成。其中，所述基膜可选自聚酰亚胺薄膜、聚苯硫醚(PPS)薄膜、聚酯薄膜中的一种，所述基膜的厚度为15μm～200μm；所述硅油离型剂或无硅离型剂的厚度为0.1μm～30μm。所述固化方法为：将涂布有硅油离型剂或无硅离型剂的基本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。

【技术特征摘要】
1.一种绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，其特征在于，包括以下步骤：提供载体膜，在所述载体膜至少一表面制备绝缘层，其中，所述绝缘层的表面电阻为大于5MΩ；采用真空镀的方式对所述绝缘层远离所述载体膜的表面进行预处理，在所述绝缘层表面形成真空金属层；将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理，形成金属镀层半成品；将所述金属镀层半成品置于微蚀液中，对其进行表面微蚀处理，形成具有表面多孔结构的金属镀层。2.如权利要求1所述的绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，其特征在于，将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理的步骤中，所述碱性电解液中，金属离子浓度为1-30g/L、pH为7-13的碱性电解液。3.如权利要求2所述的绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，其特征在于，将经预处理的绝缘膜置于碱性电解液中，采用电镀沉淀法在所述真空金属层表面进行至少一次表面沉淀处理的步骤中，所述表面沉积处理在电流为1-50A的条件进行。4.如权利要求1所述的绝缘薄膜表面的导电化处理工艺，其特征在于，所述微蚀液包括无机酸和微蚀剂，且所述微蚀液中无机酸的质量浓度为150-300...

【专利技术属性】
技术研发人员：李克贵，陈耀，
申请(专利权)人：深圳科诺桥科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44