一种中心柱形玻璃光纤的制备方法技术

技术编号:20348282 阅读:19 留言:0更新日期:2019-02-16 11:04
本发明专利技术公开了一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,通过利用有机溶剂对原料光纤进行超声清洗,然后利用去离子水对原料光纤进行二次清洗,得到洁净度满足要求的原料光纤,然后在真空环境下用强酸腐蚀液原料光纤进行腐蚀,以获得中心柱形玻璃光纤。本发明专利技术采用腐蚀法对原料光纤进行处理,除掉原料光纤表面的聚酯亚胺PI层,并且原料光纤的中心柱形玻璃光纤不与腐蚀液发生反应,能够使中心柱形玻璃光纤保持直径均匀。本方案没有使用拉模、抛光等方式,不会吹飞中心柱形玻璃光纤引起的质量问题。由于整个原料光纤的腐蚀环境一致,故而不但能够得到表面光滑、直径均匀的中心层玻璃光纤,并且制备过程简单,只需要进行腐蚀即可,制备的效率高、低成本。

【技术实现步骤摘要】
一种中心柱形玻璃光纤的制备方法
本申请涉及微电子和光学
,尤其涉及一种中心柱形玻璃光纤的制备方法。
技术介绍
X射线的波长短、分辨率高、穿透性强,可以对厚物质的内部三维结构进行观察,具有对厚样品进行纳米分辨成像的潜力。菲涅尔波带片是X射线显微成像系统的核心元件。它的成像机制多样,衬底来源丰富,在生物、医疗等各个领域都具有广泛的应用。为了制备大高宽比的菲涅尔波带片,人们一直以来采用将电子束曝光与X射线光刻技术相结合的方法,但这种方法的制作工艺复杂,周期长,制作难度大,价格昂贵,而且进一步减小最外环宽度与提高长径比存在较大的难度,限制了X射线聚焦成像的应用潜力。为了解决这类问题,采用原子层沉积技术(ALD)沉积多层薄膜并进行切片法,逐渐成为制作大高宽比高精度菲涅尔波带片的一个新的研究热点。ALD制备薄膜有厚度控制精度高、层间界面清晰、厚度均匀等优点。但是ALD技术制备波带片的关键问题之一就是中心细丝的选择和制备。菲涅尔波带片对中心细丝的要求极高,包括:整体形状平滑对称,呈圆柱状;表面粗糙度的大小在纳米级别。目前,中心层细丝的种类繁多,制备方式也多种多样,制备玻璃光纤可以采用拉模、抛光等方法,所得玻璃光纤圆度和表面粗糙度也较好,但是由于玻璃光纤质脆且质量轻,故而采用拉模、抛光等方式经常出现易断及被吹飞的现象,制备玻璃光纤的效率低下且无法保证玻璃光纤的质量。
技术实现思路
本专利技术了提供了一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,以解决或者部分解决目前制备玻璃光纤的效率低下且无法保证玻璃光纤的质量的技术问题,本专利技术能够高效率、低成本的制备表面光滑、直径均匀的中心层玻璃光纤。本专利技术采用热腐蚀法对原料光纤进行处理,除掉原料光纤表面的聚酯亚胺PI层,并且原料光纤的中心柱形玻璃光纤不与腐蚀液发生反应,使中心柱形玻璃光纤保持直径均匀。另外,本专利技术易于控制影响光纤形貌特征的因素,通过控制腐蚀过程中的工艺参数及原料光纤的直径,可以制备不同规格的玻璃光纤,以满足不同设计需求。为解决上述技术问题,本专利技术提供了一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,所述中心柱形玻璃光纤用于制备菲涅尔波带片,所述方法包括:利用有机溶剂对原料光纤进行超声清洗,所述原料光纤包括所述中心柱形玻璃光纤和包裹所述中心柱形玻璃光纤的聚酯亚胺;利用去离子水对所述原料光纤进行二次清洗;二次清洗之后,在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀,以获得所述中心柱形玻璃光纤。优选的,所述在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀,以获得所述中心柱形玻璃光纤之后,所述方法还包括:利用氮气使所述中心柱形玻璃光纤干燥。优选的,所述原料光纤的直径可以为20-200um,所述中心柱形玻璃光纤直径为10-150um。优选的,所述原料光纤直径60-70um,所述中心柱形玻璃光纤直径为50-60um。优选的,所述强酸腐蚀液包括浓度超过98%的浓硫酸。优选的,所述在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀之前,所述方法还包括:基于所述聚酯亚胺的参数确定出所述强酸腐蚀液的种类、浓度;和/或基于所述原料光纤的直径确定出所述强酸腐蚀液的种类、浓度。本专利技术还公开了一种菲涅尔波带片的制备方法,所述菲涅尔波带片中的中心柱形玻璃光纤为采用上述方法制备获得的玻璃纤维结构,所述方法包括:采用原子层沉积技术在所述中心柱形玻璃光纤上交替沉积两种不同的材料;采用溅射法在所述中心柱形玻璃光纤上沉积薄膜材料,获得样品;采用聚焦离子束切割法将所述样品切割并抛光为能够提供π位相差厚度的所述菲涅尔波带片。优选的,所述两种不同的材料中,第一材料包括:氧化物、氮化物、金属;第二材料包括:氧化物、氮化物、金属。优选的,所述第一材料包括:氧化铝、氧化铪、氧化钽、氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳、铱、铂、铜、钯;所述第二材料包括:氧化铝、氧化铪、氧化钽、氧化硅、氮化铝、氮化硅、碳、铱、铂、铜、钯。通过本专利技术的一个或者多个技术方案,本专利技术具有以下有益效果或者优点:本专利技术公开了一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,通过利用有机溶剂对原料光纤进行超声清洗,然后利用去离子水对所述原料光纤进行二次清洗,得到洁净度满足要求的原料光纤,然后在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀,以获得所述中心柱形玻璃光纤。本专利技术采用腐蚀法对原料光纤进行处理,除掉原料光纤表面的聚酯亚胺PI层,并且原料光纤的中心柱形玻璃光纤不与腐蚀液发生反应,能够使中心柱形玻璃光纤保持直径均匀。并且避免了使用拉模、抛光等方式,不会吹飞中心柱形玻璃光纤,以及不会出现拉模不均匀时导致的玻璃光纤直径不一致、表面不光滑等等质量问题。由于整个原料光纤的腐蚀环境一致,故而不但能够得到表面光滑、直径均匀的中心层玻璃光纤,并且制备过程简单,只需要进行腐蚀即可,制备的效率高、低成本。附图说明图1为本专利技术实施例中原料光纤的整体结构图;图2为本专利技术实施例中的中心柱形玻璃光纤的制备方法实施过程图;图3A-图3B为本专利技术实施例制备的中心玻璃光纤表面SEM照片;图4为本专利技术实施例中菲涅尔波带片的结构示意图;图5为本专利技术实施例中菲涅尔波带片的制备过程流程图。具体实施方式为了使本申请所属
中的技术人员更清楚地理解本申请,下面结合附图,通过具体实施例对本申请技术方案作详细描述。本专利技术实施例公开了一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,所述中心柱形玻璃光纤用于制备菲涅尔波带片。参看图2,本专利技术实施例的中心柱形玻璃光纤的制备方法包括下述步骤:步骤21,利用有机溶剂对原料光纤进行超声清洗。具体来说,本实施例中使用的原料光纤包括两个部分:所述中心柱形玻璃光纤,和包裹所述中心柱形玻璃光纤的聚酯亚胺PI。图1为原料光纤的立体结构示意图。在图1中,3为原料光纤的整体结构,包括中心柱11和外环薄膜层12。其中:中心柱11为需要制备的中心柱形玻璃光纤,外环薄膜层12为包裹在中心柱形玻璃光纤外面的PI层,它可以反射光信号,使光信号无损的在光纤内部传输。步骤21是对原料光纤的预处理过程。具体来说,可用丙酮、乙醇等有机溶剂对原料光纤进行超声清洗3-5次,每次5min,去除原料光纤表面的油污等杂质。步骤22,利用去离子水对所述原料光纤进行二次清洗。在具体的实施过程中,为了进一步保证原料光纤的洁净度,在超声清洗之后,还可以利用去离子水对所述原料光纤进行二次清洗。在清洗等过程中,可用去离子水对所述原料光纤进行反复超声清洗3-5次。步骤23,二次清洗之后,在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀,以获得所述中心柱形玻璃光纤。在具体的实施过程中,为了控制影响光纤形貌特征的因素,故而本专利技术会通过控制腐蚀过程中的工艺参数及原料光纤的直径,来制备不同规格的玻璃光纤,以满足不同设计需求。而影响热腐蚀光纤形貌的因素有:腐蚀液的种类、浓度,加热板的温度及腐蚀时间等。故而在利用强酸腐蚀液腐蚀原料光纤之前,会基于所述聚酯亚胺的参数(成分、厚度等等)确定出所述强酸腐蚀液的种类、浓度;和/或基于所述原料光纤的直径确定出所述强酸腐蚀液的种类、浓度。举例来说,原料光纤的直径为20-200um,那么则确定利用浓度超过98%的浓硫酸对原料光纤的PI层进行腐蚀,进而能够得到10-150um的中心柱形玻璃光纤直径为。由于本专利技术的强酸腐蚀液的种类、浓度都是基于原料光纤的参数(原料本文档来自技高网
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【技术保护点】
1.一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,所述中心柱形玻璃光纤用于制备菲涅尔波带片,其特征在于,所述方法包括:利用有机溶剂对原料光纤进行超声清洗,所述原料光纤包括所述中心柱形玻璃光纤和包裹所述中心柱形玻璃光纤的聚酯亚胺;利用去离子水对所述原料光纤进行二次清洗;二次清洗之后,在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀,以获得所述中心柱形玻璃光纤。

【技术特征摘要】
1.一种中心柱形玻璃光纤的制备方法,所述中心柱形玻璃光纤用于制备菲涅尔波带片,其特征在于,所述方法包括:利用有机溶剂对原料光纤进行超声清洗,所述原料光纤包括所述中心柱形玻璃光纤和包裹所述中心柱形玻璃光纤的聚酯亚胺;利用去离子水对所述原料光纤进行二次清洗;二次清洗之后,在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀,以获得所述中心柱形玻璃光纤。2.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述在真空环境下用强酸腐蚀液所述原料光纤进行腐蚀之前,所述方法还包括:基于所述聚酯亚胺的参数确定出所述强酸腐蚀液的种类、浓度;和/或基于所述原料光纤的直径确定出所述强酸腐蚀液的种类、浓度。3.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述原料光纤的直径可以为20-200um,所述中心柱形玻璃光纤直径为10-150um。4.如权利要求3所述的方法,其特征在于,所述原料光纤直径60-70um,所述中心柱形玻璃光纤直径为50-60um。5.如权利要求1所述的方法,其特征在于,所述强酸腐蚀液包括浓度超过98%的浓...

【专利技术属性】
技术研发人员:闫美菊卢维尔夏洋赵丽莉
申请(专利权)人:中国科学院微电子研究所
类型:发明
国别省市:北京,11

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