一种制备垂直阵列碳纳米管的方法技术

技术编号:20347616 阅读:26 留言:0更新日期:2019-02-16 10:52
本申请属于纳米技术领域,具体为一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A;(2)将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂,后继续搅拌0.5‑4h,静置1‑2h得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。

【技术实现步骤摘要】
一种制备垂直阵列碳纳米管的方法
本申请属于纳米
,具体为一种制备垂直阵列碳纳米管的方法。
技术介绍
多壁碳纳米管存在聚团状碳纳米管和定向阵列碳纳米管,其中聚团状碳纳米管因其相互缠绕团聚,在现有分散技术条件下,使其在应用过程中无法很好地发挥自身高导电高导热的性能优势,而定向阵列状碳纳米管则表现出了更符合预期的应用性能。但是国内垂直阵列管主要集中在以二氧化硅为载体的制备体系下,其后期的纯化处理必须用到氢氟酸,加之打浆洗到中性,造成资源浪费严重,污水处理量大,工艺流程繁琐复杂。专利CN101073934A《一种碳纳米管阵列/层状材料复合物及其制备的方法》,公开了一种利用片层状氧化铝、二氧化硅、蛭石、石墨等作为载体,经过活性物质溶液浸渍后焙烧制备阵列碳纳米管/层状材料复合物的方法。其负载方式为自然交换式的浸渍,负载水平低,其制备的阵列碳管倍率低,纯度差。其中二氧化硅和蛭石载体都存在后期需用氢氟酸的问题。
技术实现思路
了解决上述技术问题,本申请提供了一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,本申请是通过下述方案实现的:一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A;(2)将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂,后继续搅拌0.5-4h,静置1-2h得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。优选的,所述还原的温度为500-650℃,所述还原的时间为5-10min,所述还原的环境为在氢气氛围下。优选的,所述氢气的量为需要还原物质的质量分数的10%;优选的,所述筛分为过20-100目筛,优选20-50目筛。优选的,所述钛酸盐为钛酸钾;优选的,所述钛酸盐的加入量是金属盐质量的20-100%;优选的所述钛酸盐的加入量是金属盐质量的40-70%。优选的,所述溶液A为质量分数为0.5-60%的溶液A。优选的,所述金属盐为铁、镍、钴、锰、铂、铝、镁、钼的盐酸盐、硝酸盐、乙酸盐、草酸盐中的一种或者多种。优选的,所述沉淀剂为氨水、碳酸铵、碳酸氢铵、氢氧化钠中的一种或多种;所述沉淀剂的加入量为为片层钛酸盐重量的80%-150%。优选的,,所述焙烧方式为带液焙烧或固液分离后焙烧,所述焙烧温度为300℃-600℃,焙烧时间为3-5h;优选的,所述焙烧温度为400℃-450℃。优选的,所述CVD反应采用的是固定床、移动床、流化床中的一种或者他们的组合床;所述CVD反应采用的碳源为甲烷、乙烷、乙烯、丙烷、丙烯、苯、甲苯、二甲苯中的一种或者多种;所述CVD反应采用所用得惰性气体为氩气、氮气、氢气中的一种或多种。优选的,所述CVD反应的反应温度为600℃-1100℃;优选的,所述CVD反应的反应温度为650℃-900℃。有益效果:本申请所得的垂直阵列碳纳米管上活性金属的负载量大、活性高,生成的阵列碳纳米管倍率高,纯度高,顺向排布均匀,管径分布集中,导电性能优异,碳源利用率高,成本低;摆脱了含有硅系载体垂直阵列管后期纯化必须使用氢氟酸的缺点,减少了后期纯化的步骤,流程简洁,减少了环境污染,更加环保可实现经预氧化,简单酸洗后纯度达到99.4%以上,提高了产品的市场竞争力。附图说明图1为本专利技术制备的阵列碳纳米管(1千倍);图2为本专利技术制备的阵列碳纳米管(5万倍)。具体实施方式:下面将结合本专利技术实施例中的内容,对本专利技术实施例中的技术方案进行更清晰和完成的阐述。显然,所描述的实施例仅仅是本专利技术的一部分实施例,而并非是全部的实验案例。基于本专利技术实施例。本领域其他技术人员所获得的其余实施例,均属于本专利技术的保护范围之内。实施例1:一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A:将九水硝酸铁15g、九水硝酸铝42g、四水七钼酸铵2g和去离子水80g混合均匀并搅拌13-18min使盐溶解得均质溶液;(2)将20g片层状钛酸钾加入溶液A中并搅拌4h得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加质量分数为35%的氨水30g,20min内滴加完成,后继续搅拌3h,静置12h倒去上清液得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物于520℃下焙烧3h,将焙烧后的物质过20目筛,过筛后的物质于620℃下通氢气5min还原得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管;所述CVD反应采用的是直径500mm,长度为1400mm的石英流化床;所述CVD反应采用的碳源为乙烯;所述CVD反应采用所用得惰性气体为氮气;氮气与乙烯流量控制为2:1;所述CVD反应的反应温度为650-660℃;所述CVD反应的反应时间为50min;CVD反应后保持氮气,自然降温至400℃时通空气10min,卸料的样品;样品经盐酸浸泡过夜后60℃酸洗6h,检测纯度99.42%,四探针电阻率为45mΩcm。实施例2一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A:九水硝酸钴23g、九水硝酸镁35g、四水七钼酸铵2g和去离子水80g混合均匀并搅拌30min使盐溶解形成均质溶液;(2)将片层状钛酸钾15g加入溶液A中并搅拌6h得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加30g质量分数为15%的碳酸铵溶液,40min内滴加完毕,滴加完毕后继续搅拌2h,静置10h后倒去上层清液得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物于450℃下焙烧4h,焙烧后的物质过20目筛,过筛后的物质在650℃下通氢气5min还原得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管;所述CVD反应采用的是直径500mm,长度为1400mm的石英流化床;所述CVD反应采用的碳源为丙烯;所述CVD反应采用所用得惰性气体为氮气;所述氮气与乙烯流量比为1:1,所述CVD反应的温度为670℃,所述CVD反应的时间为60min;所述CVD反应保持氮气,自然降温至370℃时通空气15min,卸料得样品;所述样品经盐酸硝酸浸泡过夜后70℃酸洗5h得垂直阵列碳纳米管,检测纯度99.57%,四探针电阻率为49mΩcm。以上所述仅为本专利技术的较佳实施例而已,并不用以限制本专利技术,凡在本专利技术的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A;(2)将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂,后继续搅拌0.5‑4h,静置1‑2h得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。

【技术特征摘要】
1.一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,制备步骤如下:(1)用去离子水配置金属盐溶液A;(2)将片层状钛酸盐加入溶液A中并搅拌均匀得混合液;(3)在搅拌状态下向混合液中滴加沉淀剂,后继续搅拌0.5-4h,静置1-2h得混合物;(4)将步骤(3)所得混合物进行焙烧、筛分、还原后得初催化剂;(5)初催化剂经过CVD反应即得垂直阵列碳纳米管。2.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,所述还原的温度为500-650℃,所述还原的时间为5-10min,所述还原的环境为在氢气氛围下。3.如权利要求2所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,所述氢气的量为需要还原物质的质量分数的10%;优选的,所述筛分为过20-100目筛,优选20-50目筛。4.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,所述钛酸盐为钛酸钾;优选的,所述钛酸盐的加入量是金属盐质量的20-100%;优选的所述钛酸盐的加入量是金属盐质量的40-70%。5.如权利要求1所述的一种制备垂直阵列碳纳米管的方法,其特征在于,所述溶液A为质量分数为0.5-60%的溶液A。6.如权利...

【专利技术属性】
技术研发人员:耿磊李岩蒋兴华王哲王莲莲吕振华
申请(专利权)人:山东斯恩特纳米材料有限公司
类型:发明
国别省市:山东,37

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