本实用新型专利技术公开了一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置，包括：等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架。本实用新型专利技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置，利用电容耦合等离子体稳定、均匀的优点，给高分子材料处理真空腔内提供稳定且均匀的等离子体处理环境；同时装置通过设置一进气混合装置，可提高通入混合气体时的气体混合效果，并提高气体进入真空室后分布的均匀性，保证处理效果的均匀性。
【技术实现步骤摘要】
一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置
本技术属于一种等离子体表面处理装置
，具体涉及一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置。
技术介绍
高分子材料粘接前的表面处理，目前常用的方法有化学湿法处理、光化学法处理、辐射法处理以及等离子体处理等。与其它方法相比，等离子体表面处理则具有更高的温度和能量密度、易产生活性成分等优点。相比于目前工业中广泛使用的化学湿法处理，等离子体表面处理具有节省能源、减少污染等显著特点，对环境保护和实现可持续发展也有重要意义。电容耦合等离子体能够产生比较均匀且大面积的等离子体，并且工作气压较低（0.1-10Pa）,能够在短时间内获得工作真空度，同时结构简单、造价低，具有很好的工业应用优势。考虑到实际生产中利用等离子体对高分子材料进行表面处理时，材料在传送过程中同时需要等离子体活化和等离子体接枝的场合，并对产品处理效果也要求有一定的均匀性。为了保证处理效果的均匀性和处理技术的实用性，电极的设计和布置至关重要。同时，对于不同高分子材料，有时需要在多种气体混合气氛下进行，此时便需要向真空室内通入两种或以上的气体，而通过设置多个通气管道直接向真空室内通气，一方面在真空室壁上开口太多会影响真空装置的致密性，另外多种气体进入真空室后的混合效果以及进入真空室后气体分布的均匀性也较难保证。
技术实现思路
为克服前述技术问题，本技术专利提供了一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置以及混合进气装置。本技术的技术方案是一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置，包括：等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架；所述等离子体表面处理真空室在前后侧设置真空门，所述上电容电极和下电容电极均放置于真空室内；所述放置架位于上电容电极与下电容电极之间；所述进气室位于真空室内，并设置于上电容电极上方；所述进气室通过进气管路与气体混合室连接，所述混合室外设置进气接口。本技术进一步改进在于，所述真空室、进气室、气体混合室、进气管路内均涂覆一层致密的四氟乙烯涂层。本技术进一步改进在于，所述电容电极使用铜管并依照真空腔室结构设计，同时铜管内可通冷却水。本技术进一步改进在于，所述进气室内相对于进气管路的开口处设置一个圆形挡板作为进气缓冲挡板。本技术进一步改进在于，所述进气室底部均匀分布有气孔。本技术进一步改进在于，所述进气接口在所述混合室两侧相对布置，并可依据工艺要求在所述混合室外设置多个进气接口。本技术的有益效果：本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置，利用电容耦合等离子体稳定、均匀的优点，给高分子材料处理真空腔内提供稳定且均匀的等离子体处理环境；同时装置通过设置一进气混合装置，可提高通入混合气体时的气体混合效果，并提高气体进入真空室后分布的均匀性，保证处理效果的均匀性。附图说明图1为本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置的结构示意图；图2为本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置的气体混合室结构示意图；图3为本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置的上电容电极结构示意图；图4为本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置的下电容电极结构示意图；图5为本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置的进气室底部均匀开设的气孔示意图。其中，1、前真空室门，2、前观察窗，3、真空室，4、进气室，5、上电容电极，6、进气缓冲挡板，7、进气管路，8、进气接口，9、气体混合室，10、后真空室门，11、后观察窗，12、置物架，13、下电容电极。具体实施方式为便于本领域技术人员理解本技术方案，现结合具体实施方式对本技术技术方案作进一步具体说明。如图1所示，本技术是一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置，包括：等离子体表面处理真空室3、前真空室门1、前观察窗2、后真空室门10、后观察窗11、上电容电极5、下电容电极13、进气接口8、气体混合室9、进气管路7、进气室4、进气缓冲挡板6、材料放置架12，等离子体表面处理真空室3在前后侧设置前真空室门1和后真空室门10，利于材料在传送过程中的进出，开设前观察窗2和后观察窗11利于工艺过程中的质量监控；上电容电极5、下电容电极13放置于真空室3内；材料放置架12位于上电容电极5、下电容电极13之间；进气室4位于真空室3内，并设置于上电容电极5的上方；进气室4通过进气管路7与气体混合室9连接，所述气体混合室9外设置进气接口8。采用本实施例的上述装置，利用电容耦合等离子体稳定、均匀的优点，给等离子体表面处理真空室3内提供稳定且均匀的等离子体处理环境。同时装置通过设置气体混合装置，可提高通入混合气体时的气体混合效果，并提高气体进入真空室后分布的均匀性，保证处理效果的均匀性。图3、4示出了本技术另一实施例的上电容电极5、下电容电极13，上电容电极5和下电容电极13结构依照真空室3结构设计，上电容电极5、下电容电极13均使用铜管绕制，铜管内可通冷却水，防止真空室3内温度过高造成高分子材料的损伤。图2示出了本技术另一实施例的气体混合装置，包括气体混合室9、进气管路7、进气室4，气体混合室9外可设置多个进气接口8，以解决多种气体通入真空室3并有效混合的问题。气体混合室9上设置的进气接口8需相对布置于两侧，保证多种气体的有效混合，同时进气管路7接口设置于垂直进气接口8侧的另一侧，防止气体进入气体混合室9后即刻进入进气管路7，另外，进气管路7增加一弯管设计，可用于缓冲气体。进气室4的大小完全依照真空室3大小设定，进气室4底部设置均匀分布的气孔，进气室4内相对于进气管路7的开口处设置一个圆形挡板作为进气缓冲挡板6，进一步的缓冲气体并保证经有效混合的气体可更均匀的分布于真空室3内。本技术的一种电容耦合等离子体高分子材料表面处理装置，一般处理工艺如下：1）将待处理材料进行清洗并烘干，放置于材料放置架上；2）打开前真空门，将放有高分子材料的材料放置架推送至真空室内，关闭前真空室门；3）打开真空抽气系统开始抽真空，将真空室内真空度抽至10Pa以下；4）打开电容耦合等离子体电源，对真空室内材料进行等离子体放电处理以及加热处理，处理时间视具体工艺而定；5）向气体混合室内通入源气体、催化剂等需混合的气体，气体种类及流量依具体工艺而定，混合气体由进气室进入真空室内开始对高分子材料进行等离子体活化、接枝处理，并可通过前后观察窗观察等离子体辉光是否稳定；6）工艺结束后，关闭电容耦合等离子体电源，停止气体通入，停止抽真空；7）向真空室内放气，打开后真空室门，将材料放置架推出；8）处理工艺结束或进行后续处理。本技术方案在上面进行了示例性描述，显然本技术具体实现并不受上述方式的限制，只要采用了本技术的方法构思和技术方案进行的各种非实质性改进，或未经改进将技术的构思和技术方案直接应用于其它场合的，均在本技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，包括：等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架；其特征在于，所述等离子体表面处理真空室在前后侧设置真空门，所述上电容电极和下电容电极均放置于真空室内；所述放置架位于上电容电极与下电容电极之间；所述进气室位于真空室内，并设置于上电容电极上方；所述进气室通过进气管路与气体混合室连接，所述混合室外设置进气接口。
【技术特征摘要】
1.一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，包括：等离子体表面处理真空室、前真空门、前观察窗、后真空门、后观察窗、上电容电极、下电容电极、进气接口、气体混合室、进气管路、进气室、进气缓冲挡板、材料放置架；其特征在于，所述等离子体表面处理真空室在前后侧设置真空门，所述上电容电极和下电容电极均放置于真空室内；所述放置架位于上电容电极与下电容电极之间；所述进气室位于真空室内，并设置于上电容电极上方；所述进气室通过进气管路与气体混合室连接，所述混合室外设置进气接口。2.根据权利要求1所述的一种电容耦合等离子体高分子表面处理装置，其特征在于，所述真空室、进气室、气体混合室、进气管路内均...
【专利技术属性】
技术研发人员：詹铁锤，程光周，薛进，刘龙威，
申请(专利权)人：合肥杰硕真空科技有限公司，
类型：新型
国别省市：安徽,34
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