一种晶元加工方法技术

技术编号:20341745 阅读:23 留言:0更新日期:2019-02-16 09:10
本发明专利技术公开了一种晶元加工方法,包括如下步骤:在抛光机的主轴上方和下方分别设置上磨盘和下磨盘,并围绕抛光机的主轴设置多个行星轮,并在行星轮的夹具中心垂直打孔,使孔的内径大于晶元,夹具厚度小于晶元厚度;将多个晶元分别安置于孔中,并用石蜡把晶元封在孔中;在研磨机上把晶元露出的两端面端磨到与夹具平面平齐,再将第一次研磨后的晶元两端面用磨料研磨,最后用抛光液进行抛光。本发明专利技术利用机器可以一次加工多个晶元,大大降低了工作量,提高了生产效率,且在主轴的上方和下方同时设置上磨盘和下磨盘,对两面进行同时抛光,节约了一半的时间,加工质量稳定可靠。

【技术实现步骤摘要】
一种晶元加工方法
本专利技术涉及一种加工方法,具体是一种晶元加工方法,属于光学加工领域。
技术介绍
晶元主要应用于计算机、光学等领域,随着科学的发展,对于其精度要求越来越高,尤其是对于端面的平整度。然而现有的技术很难加工出高质量的产品;另一方面,现有的加工方法加工周期长,加工效率低,已不能满足大规模使用需求。
技术实现思路
针对上述现有技术存在的问题,本专利技术的目的是提供一种加工效率高、加工质量好的晶元加工方法。为实现上述目的,本专利技术采用的技术方案是:一种晶元加工方法,包括如下步骤:(1)在抛光机的主轴上方和下方分别设置上磨盘和下磨盘,并围绕抛光机的主轴设置多个行星轮,并在行星轮的夹具中心垂直打孔,使孔的内径大于晶元0.02mm,夹具厚度小于晶元厚度5mm;(2)将多个晶元分别安置于孔中,并用石蜡把晶元封在孔中;(3)进行第一次研磨:在研磨机上把晶元露出的两端面端磨到与夹具平面平齐,研磨时间10-20min,研磨后晶元表面和夹具表面不平度小于0.02mm;(4)继续进行二次研磨,将第一次研磨后的晶元两端面用磨料研磨,研磨时间5-10min,留下0.02mm抛光余量;(5)抛光:用抛光液进行抛光8-10min,清洗、检查合格后下盘。优选的,为了提高第一次研磨的质量,所述步骤(3)中第一次研磨采用的磨料为绿碳化硅。优选的,所述步骤(4)中第二次研磨采用的磨料为W10碳化硼。优选的,为了保证最终产品的质量,所述步骤(4)的研磨时间为10min。本专利技术不需要人工加工,且利用机器可以一次加工多个晶元,大大降低了工作量,提高了生产效率,且在主轴的上方和下方同时设置上磨盘和下磨盘,对两面进行同时抛光,节约了一半的时间;通过围绕主轴设置行星轮加工时能够保证多个晶元的平整度和平行度,加工质量稳定可靠。具体实施方式下面对本专利技术作进一步详细说明。实施例1晶元加工方法具体包括如下步骤:(1)在抛光机的主轴上方和下方分别设置上磨盘和下磨盘,并围绕抛光机的主轴设置多个行星轮,并在行星轮的夹具中心垂直打孔,使孔的内径大于晶元0.02mm,夹具厚度小于晶元厚度5mm;(2)将多个晶元分别安置于孔中,并用石蜡把晶元封在孔中;(3)进行第一次研磨:在研磨机上用绿碳化硅把晶元露出的两端面端磨到与夹具平面平齐,研磨时间20min,研磨后晶元表面和夹具表面不平度小于0.02mm;(4)继续进行二次研磨,将第一次研磨后的晶元两端面用W10碳化硼磨料研磨,研磨时间10min,留下0.02mm抛光余量;(5)抛光:用抛光液进行抛光10min,清洗、检查合格后下盘。实施例2晶元加工方法具体包括如下步骤:(1)在抛光机的主轴上方和下方分别设置上磨盘和下磨盘,并围绕抛光机的主轴设置多个行星轮,并在行星轮的夹具中心垂直打孔,使孔的内径大于晶元0.02mm,夹具厚度小于晶元厚度5mm;(2)将多个晶元分别安置于孔中,并用石蜡把晶元封在孔中;(3)进行第一次研磨:在研磨机上把晶元露出的两端面端磨到与夹具平面平齐,研磨时间10min,研磨后晶元表面和夹具表面不平度小于0.02mm;(4)继续进行二次研磨,将第一次研磨后的晶元两端面用W10碳化硼磨料研磨,研磨时间5min,留下0.02mm抛光余量;(5)抛光:用抛光液进行抛光8min,清洗、检查合格后下盘。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种晶元加工方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在抛光机的主轴上方和下方分别设置上磨盘和下磨盘,并围绕抛光机的主轴设置多个行星轮,并在行星轮的夹具中心垂直打孔,使孔的内径大于晶元0.02mm,夹具厚度小于晶元厚度5mm;(2)将多个晶元分别安置于孔中,并用石蜡把晶元封在孔中;(3)进行第一次研磨:在研磨机上把晶元露出的两端面端磨到与夹具平面平齐,研磨时间10‑20min,研磨后晶元表面和夹具表面不平度小于0.02mm;(4)继续进行二次研磨,将第一次研磨后的晶元两端面用磨料研磨,研磨时间5‑10min,留下0.02mm抛光余量;(5)抛光:用抛光液进行抛光8‑10min,清洗、检查合格后下盘。

【技术特征摘要】
1.一种晶元加工方法,其特征在于,包括如下步骤:(1)在抛光机的主轴上方和下方分别设置上磨盘和下磨盘,并围绕抛光机的主轴设置多个行星轮,并在行星轮的夹具中心垂直打孔,使孔的内径大于晶元0.02mm,夹具厚度小于晶元厚度5mm;(2)将多个晶元分别安置于孔中,并用石蜡把晶元封在孔中;(3)进行第一次研磨:在研磨机上把晶元露出的两端面端磨到与夹具平面平齐,研磨时间10-20min,研磨后晶元表面和夹具表面不平度小于0.02mm;(4)继续进行二次...

【专利技术属性】
技术研发人员:孙井君
申请(专利权)人:徐州鑫盛智能科技发展有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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