元件基板制造技术

一种元件基板，包括可挠式基板、多条扫描线、多条数据线、第一绝缘层、多个主动元件以及缓冲结构。多条扫描线位于可挠式基板上，且沿着第一方向延伸。多条数据线位于可挠式基板上，且沿着第二方向延伸。第一方向交错于第二方向。第一绝缘层位于扫描线与数据线之间。多个主动元件电性连接至扫描线以及数据线。缓冲结构位于可挠式基板上，且包括多条第一缓冲线以及多条第二缓冲线。多条第一缓冲线沿着第三方向延伸。多条第二缓冲线沿着第四方向延伸。第三方向交错于第四方向。

【技术实现步骤摘要】
元件基板
本专利技术涉及一种元件基板，且特别涉及一种包括可挠式基板的元件基板。
技术介绍
随着科技的进展，可挠式电子产品在市面上的出现率逐渐增加，且各种有关的技术也层出不穷。可挠式电子产品通常是先于硬质的基板上制造，于后段工艺(Backendofline,BEOL)时再将硬质的基板移除。然而，在移除硬质的基板时，可挠式电子产品容易因为应力拉扯而造成变形，使得可挠式电子产品要与其他元件接合时无法精准对位，影响产品的良率。
技术实现思路
本专利技术提供一种元件基板，可以改善其因为应力拉扯而造成变形的问题。本专利技术的至少一实施例提供一种元件基板，包括可挠式基板、多条扫描线、多条数据线、第一绝缘层、多个主动元件以及缓冲结构。多条扫描线位于可挠式基板上，且沿着第一方向延伸。多条数据线位于可挠式基板上，且沿着第二方向延伸。第一方向交错于第二方向。第一绝缘层位于扫描线与数据线之间。多个主动元件电性连接至扫描线以及数据线。缓冲结构位于可挠式基板上。缓冲结构包括多条第一缓冲线以及多条第二缓冲线。多条第一缓冲线沿着第三方向延伸。多条第二缓冲线沿着第四方向延伸。第三方向交错于第四方向。第一方向、第二方向、第三方向以及第四方向互相不同。基于上述，缓冲结构可以使元件基板所受到的应力分散到二维平面，可以改善元件基板因为应力拉扯而造成变形的问题。为让本专利技术的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合说明书附图作详细说明如下。附图说明图1A是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的俯视图。图1B是图1A的一种元件基板的局部放大示意图。图1C是图1B剖面线aa’的剖面示意图。图2是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。图3是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。图4是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的俯视图。图5是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的俯视图。图6A是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的上视局部放大示意图。图6B是图6A剖面线bb’的剖面示意图。图7是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。图8是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的剖面示意图。附图标记说明：10、20、30、40、50、60、70、80：元件基板AR：主动区AL：配向层aa’、bb’：剖面线B：缓冲结构B1：第一缓冲线B2：第二缓冲线BR：周边区CE：共用电极CH：半导体通道层D：漏极DL：数据线DR1：第一驱动电路DR2：第二驱动电路E1、E2、E3、E4：方向G：栅极GI：栅绝缘层H1、H2、O1、O2、O3：开口I0、I1、I2、I3：绝缘层LS：感测元件OL：有机发光层OLED：有机发光二极管PDL：像素定义层PE：像素电极PX：像素结构S：源极SB：可挠式基板SL：扫描线SM：遮蔽金属层SN：感光层T：主动元件t：狭缝TFE：封装层X1：第一电极X2：第二电极具体实施方式应当理解，尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等在本文中可以用于描述各种元件、部件、区域、层及/或部分，但是这些元件、部件、区域、及/或部分不应受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层或部分与另一个元件、部件、区域、层或部分区分开。因此，下面讨论的“第一元件”、“部件”、“区域”、“层”或“部分”可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分而不脱离本文的教导。图1A是依照本专利技术的一实施例的一种元件基板的俯视图。图1B是图1A的一种元件基板的局部放大示意图。图1C是图1B剖面线aa’的剖面示意图。为了方便说明，图1A、图1B以及图1C分别省略示出了元件基板的部分构件。请参考图1A、图1B以及图1C，其中图1B例如为图1A中四个像素结构PX的俯视图。元件基板10包括可挠式基板SB、多条扫描线SL、多条数据线DL、第一绝缘层I1、多个主动元件T以及缓冲结构B。在本实施例中，元件基板10还包括第一驱动电路DR1、第二驱动电路DR2、像素电极PE、共用电极CE以及配向层AL。可挠式基板SB举例而言包括聚酰胺(Polyamide，PA)聚亚酰胺(Polyimide，PI)、聚甲基丙烯酸甲酯(Poly(methylmethacrylate)，PMMA)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate，PEN)、聚对苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate，PET)、玻璃纤维强化塑胶(fiberreinforcedplastics，FRP)、聚醚醚酮(polyetheretherketone，PEEK)、环氧树脂或其它合适的材料或前述至少二种的组合，但本专利技术不限于此。此外，可挠式基板SB的材料可为全部是有机材料混合物、有机材料混合无机材料、有机分子与无机分子键结而成的材料或是其它合适的材料。可挠式基板SB包括主动区AR以及位于主动区AR至少一侧的周边区BR。多条扫描线SL、多条数据线DL、第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2位于可挠式基板SB上。在本实施例中，第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2位于周边区BR上，扫描线SL自第一驱动电路DR1的位置延伸进主动区AR，且数据线DL自第二驱动电路DR2的位置延伸进主动区AR，但本专利技术不以此为限。在一些实施例中，第一驱动电路DR1及/或第二驱动电路DR2也可以设置于主动区AR中。在一些实施例中，第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2例如是电路板或是芯片，且通过多个位于周边区BR上的接垫(未绘出)而分别电性连接至扫描线SL以及数据线DL，但本专利技术不以此为限。在一些实施例中，第一驱动电路DR1以及第二驱动电路DR2可以是直接形成于可挠式基板SB上的驱动电路。扫描线SL沿着第一方向E1延伸。数据线DL沿着第二方向E2延伸。第一方向E1交错于第二方向E2。在本实施例中，第一方向E1正交于第二方向E2，但本专利技术不以此为限。多条扫描线SL以及多条数据线DL定义出多个像素结构PX。每个像素结构PX的范围例如为相邻的两条数据线DL之间以及相邻的两条扫描线SL之间的范围。请参考图1B与图1C，主动元件T位于可挠式基板SB的主动区AA上，且电性连接至扫描线SL以及数据线DL。在本实施例中，主动元件T与可挠式基板SB之间还夹有遮蔽金属层SM以及绝缘层I0。遮蔽金属层SM重叠于主动元件T，且遮蔽金属层SM位于主动元件T与可挠式基板SB之间，遮蔽金属层SM能改善主动元件T的漏电问题。主动元件T包括半导体通道层CH、栅极G、源极S与漏极D。栅极G电性连接至对应的扫描线SL。半导体通道层CH重叠于栅极G，且栅极G与半导体通道层CH之间夹有栅绝缘层GI。第一绝缘层I1覆盖栅极G，且第一绝缘层I1位于扫描线SL与数据线DL之间。源极S与漏极D位于第一绝缘层I1上，且分别通过开口H1、H2而电性连接至半导体通道层CH。开口H1、H2至少贯穿第一绝缘层I1，在本实施例中，开口H1、H2贯穿栅绝缘层GI与第一绝缘层I1。源极S电性连接至对应的数据线DL。虽然在本实施例中，主动元件T是以顶部栅极型的薄膜晶体管为例，但本专利技术不以此为限。在其他实施例中，主动元件T也可以是底部栅极型或其他类型的薄膜晶体管，当主动元件T为底部栅极型薄膜晶体管时，位于扫描线SL与数据线DL之间的第一本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种元件基板，包括：一可挠式基板；多条扫描线，位于该可挠式基板上，且沿着一第一方向延伸；多条数据线，位于该可挠式基板上，且沿着一第二方向延伸，该第一方向交错于该第二方向；一第一绝缘层，位于该些扫描线与该些数据线之间；多个主动元件，电性连接至该些扫描线以及该些数据线；以及一缓冲结构，位于该可挠式基板上，该缓冲结构包括：多条第一缓冲线，沿着一第三方向延伸；以及多条第二缓冲线，沿着一第四方向延伸，且该第三方向交错于该第四方向，其中该第一方向、该第二方向、该第三方向以及该第四方向互相不同。

【技术特征摘要】
2018.08.31 TW 1071304761.一种元件基板，包括：一可挠式基板；多条扫描线，位于该可挠式基板上，且沿着一第一方向延伸；多条数据线，位于该可挠式基板上，且沿着一第二方向延伸，该第一方向交错于该第二方向；一第一绝缘层，位于该些扫描线与该些数据线之间；多个主动元件，电性连接至该些扫描线以及该些数据线；以及一缓冲结构，位于该可挠式基板上，该缓冲结构包括：多条第一缓冲线，沿着一第三方向延伸；以及多条第二缓冲线，沿着一第四方向延伸，且该第三方向交错于该第四方向，其中该第一方向、该第二方向、该第三方向以及该第四方向互相不同。2.如权利要求1所述的元件基板，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该些扫描线属于同一膜层，且该些扫描线与该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线分隔。3.如权利要求1所述的元件基板，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该些数据线属于同一膜层，且该些数据线与该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线分隔。4.如权利要求1所述的元件基板，还包括：一遮蔽金属层，重叠于该些主动元件，且该遮蔽金属层位于该些主动元件与该可挠式基板之间，其中该些第一缓冲线以及该些第二缓冲线中的至少一者与该遮蔽金属层属于同一膜层。5.如权利要求1所述的元件基板，...

【专利技术属性】
技术研发人员：柯聪盈，蓝咏翔，刘京桦，康婷，郑贵宁，
申请(专利权)人：友达光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71