半导体封装结构制造技术

本发明专利技术公开一种半导体封装结构，包括：封装基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少一个半导体晶粒，位于所述封装基板的第一表面上并由封装层围绕；盖结构，围绕所述封装层并与所述封装层间隔开；其中所述盖结构包括第一开口，所述第一开口由所述封装基板的第一表面所覆盖；第一电子部件，位于所述封装基板的第一表面上方，并设置在所述盖结构的第一开口之内。这样电子部件不会占用封装基板的第一表面上的额外位置，因此盖结构不必为了给电子部件让出空间而缩小宽度，盖结构的宽度可以更大，因此盖结构可以更大面积的覆盖封装基板，并且增强了盖结构的结构强度，从而可以更好的防止在制造半导体封装结构期间的封装翘曲。

【技术实现步骤摘要】
半导体封装结构
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种半导体封装结构。
技术介绍
在半导体封装行业中，业界希望降低封装半导体晶粒的成本。为了实现这一点，已经开发了各种各样的封装结构设计。目前使用的封装结构设计之一是倒装芯片(flip-chip)封装结构。在倒装芯片封装结构中，通常将与焊料凸块(solderbump)一起形成的半导体晶粒(也称为集成电路(IC，integratedcircuit)芯片或“芯片”)直接接合(bond)到封装基板的金属焊垫。这样焊料凸块就被固定到半导体晶粒的I/O(input/output)接合焊垫(例如上述金属焊垫)上。在封装期间，半导体晶粒被“翻转(flip)”，使得焊料凸块在半导体晶粒和封装基板之间形成电性互连(interconnection)。相比早期的引线接合技术，倒装芯片封装技术可以提供更高速的电气性能，因为倒装芯片封装技术大大缩短了半导体晶粒和封装基板之间的互连路径。为了确保电子产品和通信设备的持续小型化和多功能性，业界期望倒装芯片封装尺寸小，高速运转并且具有高功能性。然而，一旦制造过于复杂，封装翘曲就成为制造倒装芯片封装的挑战。尽管现有的倒装芯片封装制造方法通常对于倒装芯片封装预期目的来说是足够的，但倒装芯片封装制造方法在各方面都不是完全令人满意的。因此，亟需一种更理想的新型半导体封装结构。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术提供一种半导体封装结构，以更好的避免封装翘曲问题。根据本专利技术的第一方面，公开一种半导体封装结构，包括：封装基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少一个半导体晶粒，位于所述封装基板的第一表面上并由封装层围绕；盖结构，围绕所述封装层并与所述封装层间隔开；其中所述盖结构包括第一开口，所述第一开口由所述封装基板的第一表面所覆盖；第一电子部件，位于所述封装基板的第一表面上方，并设置在所述盖结构的第一开口之内。根据本专利技术的第二方面，公开一种半导体封装结构，包括：封装基板，具有第一表面和与第一表面相对的第二表面；至少一个半导体晶粒，位于所述封装基板的第一表面上并由封装层围绕；盖结构，围绕所述封装层并与所述封装层间隔开，其中所述盖结构包括第一凹部，所述第一凹部从所述盖结构的内侧壁向内凹陷以形成第一屋檐部；第一电子部件，位于所述封装基板的第一表面上方，并由所述盖结构的第一屋檐部覆盖。本专利技术提供的半导体封装结构由于包括盖结构，盖结构围绕半导体晶粒，所述盖结构包还包括第一开口，并将第一电子部件设置在盖结构的第一开口之内。这样电子部件不会占用封装基板的第一表面上的额外位置，因此盖结构不必为了给电子部件让出空间而缩小宽度，盖结构的宽度可以更大，因此盖结构可以更大面积的覆盖封装基板，并且增强了盖结构的结构强度，从而可以更好的防止在制造半导体封装结构期间的封装翘曲，以及在随后的半导体封装结构的使用中也可以防止封装翘曲；并且还增加了整个半导体封装结构的机械强度；此外将电子部件设置在盖结构的开口中，可以保护电子部件，提高封装结构的安全性。在阅读了随后以不同附图展示的优选实施例的详细说明之后，本专利技术的这些和其它目标对本领域普通技术人员来说无疑将变得明显。附图说明图1是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图2A是根据一些实施例的半导体封装结构的平面图并且示出了半导体封装结构的盖结构中的开口的形状；图2B是根据一些实施例的半导体封装结构的平面图并且示出了半导体封装结构的盖结构中的开口的形状；图3是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图4A是根据一些实施例的半导体封装结构的平面图并且示出了半导体封装结构的盖结构中的开口的布置；图4B是根据一些实施例的半导体封装结构的平面图并且示出了半导体封装结构的盖结构中的开口的布置；图4C是根据一些实施例的半导体封装结构的平面图并且示出了半导体封装结构的盖结构中的开口的布置；图5A是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图5B是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图5C是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图6A是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图6B是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图6C是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图6D是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图6E是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图7A是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图7B是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图7C是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图；图7D是根据一些实施例的具有盖结构的示例性半导体封装结构的横截面图。具体实施方式在说明书和随后的权利要求书中始终使用特定术语来指代特定组件。正如本领域技术人员所认识到的，制造商可以用不同的名称指代组件。本文件无意于区分那些名称不同但功能相同的组件。在以下的说明书和权利要求中，术语“包括”和“包括”被用于开放式类型，因此应当被解释为意味着“包括，但不限于...”。此外，术语“耦合”旨在表示间接或直接的电连接。因此，如果一个设备耦合到另一设备，则该连接可以是直接电连接，或者经由其它设备和连接的间接电连接。以下描述是实施本专利技术的最佳设想方式。这一描述是为了说明本专利技术的一般原理而不是用来限制的本专利技术。本专利技术的范围通过所附权利要求书来确定。下面将参考特定实施例并且参考某些附图来描述本专利技术，但是本专利技术不限于此，并且仅由权利要求限制。所描述的附图仅是示意性的而并非限制性的。在附图中，为了说明的目的，一些元件的尺寸可能被夸大，而不是按比例绘制。在本专利技术的实践中，尺寸和相对尺寸不对应于实际尺寸。图1是根据一些实施例的具有盖(lid)结构的示例性半导体封装结构10a的横截面图。图2A和图2B是根据一些实施例的半导体封装结构10a的平面图，并且分别示出了半导体封装结构10a的盖结构中的开口的形状，其中图2A和图2B可以理解为从图1的俯视角度观察的图标，此时可以透视盖结构170a，以便观察到开口(如开口172a，172b和172c)和电子部件(如第一电子部件180a，第二电子部件180b和第三电子部件180c)的布置。在一些实施例中，半导体封装结构10a可以是例如晶圆级(wafer-level)半导体封装结构。此外半导体封装结构10a可以是例如倒装芯片(flip-chip)半导体封装结构。如图1所示，根据一些实施例，半导体封装结构10a包括系统单芯片(SOC，system-on-chip)封装结构。如图1所示，半导体封装结构10a包括封装基板100，封装基板100具有第一表面100a和与第一表面100a相对的第二表面100b。半导体封装结构10a中的封装基板100的第二表面100b可以安装在基座(未示出)上。在一些实施例中，基座包括印刷电路板(PCB，printedcircuitboard)并且可以由聚丙烯(PP，polypropylene)形成。在一些实施例中，半导体封装结构10a可以通过接合制本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少一个半导体晶粒，位于所述封装基板的第一表面上并由封装层围绕；盖结构，围绕所述封装层并与所述封装层间隔开；其中所述盖结构包括第一开口，所述第一开口由所述封装基板的第一表面所覆盖；第一电子部件，位于所述封装基板的第一表面上方，并设置在所述盖结构的第一开口之内。

【技术特征摘要】
2017.08.01 US 62/539,585;2018.06.07 US 16/002,1381.一种半导体封装结构，其特征在于，包括：封装基板，具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面；至少一个半导体晶粒，位于所述封装基板的第一表面上并由封装层围绕；盖结构，围绕所述封装层并与所述封装层间隔开；其中所述盖结构包括第一开口，所述第一开口由所述封装基板的第一表面所覆盖；第一电子部件，位于所述封装基板的第一表面上方，并设置在所述盖结构的第一开口之内。2.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述至少一个半导体晶粒从所述盖结构中暴露出来，或所述盖结构还包括覆盖所述至少一个半导体晶粒的一部分。3.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括散热器，覆盖所述盖结构和所述半导体晶粒。4.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括多个导电结构，设置在所述封装基板的第二表面上并通过封装基板电耦合到所述半导体晶粒。5.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖结构的第一开口具有矩形或圆形形状。6.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，还包括第二电子部件，在所述封装基板的第一表面上方并且布置在所述盖结构的第一开口之内。7.如权利要求1所述的半导体封装结构，其特征在于，所述盖结构还包括第二开口，所述第二开口由所述封装基板的第...

【专利技术属性】
技术研发人员：张嘉诚，林子闳，彭逸轩，刘乃玮，
申请(专利权)人：联发科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71