MOSFET电路和电源制造技术

技术编号:20326908 阅读:3 留言:0更新日期:2019-02-13 04:30
本实用新型专利技术涉及MOSFET电路和电源。示例性MOSFET电路包括具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极。该MOSFET电路还包括控制器,所述控制器配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号,以在第一MOSFET的漏‑源电压和第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断第一MOSFET和第二MOSFET。还公开了其他MOSFET电路以及电源。

【技术实现步骤摘要】
MOSFET电路和电源相关申请的交叉引用本申请要求于2017年4月7日提交的美国临时申请No.62/483,040的权益和优先权。上述申请的全部公开内容通过引用并入本文。
本技术涉及金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电路和电源。
技术介绍
本部分提供与本技术相关的背景信息,这些背景信息不一定是现有技术。多个MOSFET可以串联连接,其有时被称为“堆叠式”MOSFET配置。这些堆叠式MOSFET配置通常使用电容耦合以驱动堆叠式MOSFET配置中不同的MOSFET。具体地,电容器上的电荷变化用于获得用于MOSFET的栅极驱动信号。
技术实现思路
本部分提供了本技术的概述,并非其全部范围或全部特征的全面公开。根据本技术的一个方面,一种MOSFET电路,包括:具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET);以及与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET。所述第二MOSFET包括栅极、源极和漏极。所述MOSFET电路还包括控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供控制信号,以在所述第一MOSFET的漏-源电压和所述第二MOSFET的漏-源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。根据本技术的另一方面,一种MOSFET电路,包括:具有栅极、源极和漏极的第一金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。所述MOSFET电路还包括具有栅极、源极和漏极的第二MOSFET。所述第二MOSFET与所述第一MOSFET串联联接。电压共享电路联接在所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。所述电压共享电路包括至少两个串联连接的电阻器或至少两个串联连接的电容器。所述MOSFET电路还包括控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号。根据本技术的又一方面,公开了一种电源,所述电源包括主功率开关或同步整流器,所述主功率开关包括上述MOSFET电路或者所述同步整流器包括上述MOSFET电路。根据本文提供的描述,其他方面和适用领域将变得显而易见。应该理解的是,本技术的各个方面可以单独实施或者与一个或更多个其他方面组合实施。还应该理解的是,这里的描述和具体示例仅用于示例的目的,而不意图限制本技术的范围。附图说明本文描述的附图仅用于选定的实施方式、而不是全部可能的实现方式的示例性目的,并且不旨在限制本技术的范围。图1是根据本技术的一个示例性实施方式的MOSFET电路的电路图。图2是根据本技术的另一示例性实施方式的包括电压共享电路的MOSFET电路的电路图。图3是根据本技术的另一示例性实施方式的MOSFET电路的电路图。图4是根据本技术的另一示例性实施方式的包括两个MOSFET电路的开关模式电源的电路图。图5A是图3的MOSFET电路的示例性模拟电压波形的线状图。图5B是图3的MOSFET电路的示例性测量电压波形的线状图。图6是根据本技术的另一示例性实施方式的具有多于两个MOSFET开关的MOSFET电路的电路图。贯穿附图的多个视图,对应的附图标记表示对应的特征。具体实施方式现在将参照附图更全面地描述示例性实施方式。提供示例性实施方式,使得本技术将是透彻的且将向本领域的技术人员全面传达范围。提出多个具体细节,诸如具体部件、装置和方法的示例,以提供对本技术的实施方式的透彻理解。对于本领域的技术人员来说显而易见的是,不需要采用具体细节,示例性实施方式可以以许多不同形式来体现,以及具体细节和示例性实施方式均不应当被理解为限制本技术的范围。在一些示例性实施方式中,没有详细地描述公知的过程、公知的装置结构、和公知的技术。本文中所使用的术语仅出于描述特定示例性实施方式的目的且不意图进行限制。如本文中所使用,单数形式“一”和“该”可以意图也包括复数形式,除非上下文另有明确指示。术语“包括”、“包含”和“具有”是包含性的且因此指所陈述的特征、整数、步骤、操作、元件、和/或部件的存在,但是不排除一个或多个其它特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或附加。本文中所描述的方法步骤、过程和操作不应被理解为必须要求它们以所讨论或所示出的特定次序来执行,除非具体被认定为执行次序。也将理解,可以采用附加或替选步骤。尽管术语“第一”、“第二”、“第三”等可以在本文中用于描述各种元件、部件、区域、层和/或区段,但是这些元件、部件、区域、层和/或区段不应当受这些术语限制。这些术语可以仅用于将一个元件、部件、区域、层或区段与另一个区域、层或区段区分。诸如“第一”、“第二”的术语和其它数字术语在本文中使用时不暗示顺序或次序,除非上下文有明确指示。因此,下文讨论的第一元件、第一部件、第一区域、第一层或第一区段可以被称为第二元件、第二部件、第二区域、第二层或第二区段,而不脱离示例性实施方式的教导。为了便于描述,在本文中可以使用空间相对术语,诸如“内部”、“外部”、“下面”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等,来描述如图中所示的一个元件或特征与其它的一个或多个元件或特征的关系。除了图中示出的取向之外,空间相对术语可以意图涵盖装置在使用或操作中的不同取向。例如,如果图中的装置被翻转,则描述为在其它元件或特征的“下方”或“下面”的元件将被取向为在该其它元件或特征的“上方”。因而,示例性术语“下方”可以涵盖上方和下方两种取向。该装置可以被另外地取向(旋转90度或以其它取向旋转)且本文中所使用的空间相对描述符被相应地理解。根据本技术的一个示例性实施方式的金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)电路在图1中示出并通常由附图标记100表示。如图1所示,MOSFET电路100包括串联联接的MOSFET102和MOSFET104,MOSFET电路100有时被称为“堆叠式”MOSFET配置。更具体地,MOSFET102和MOSFET104分别包括栅极(G)、源极(S)和漏极(D),MOSFET102的源极与MOSFET104的漏极联接。如图1所示,MOSFET电路100可以包括连接到MOSFET102的栅极(G)的可选的栅极驱动电路103和连接到MOSFET104的栅极(G)的可选的栅极驱动电路105。MOSFET102和MOSFET104分别被其对应的栅极驱动电路103和栅极驱动电路105控制(例如,驱动)。具体地,栅极驱动电路103向MOSFET102的栅极(G)提供栅极驱动信号(例如,以接通和关断MOSFET102),并且栅极驱动电路105向MOSFET104的栅极(G)提供栅极驱动信号。栅极驱动电路103和栅极驱动电路105可以包括任何合适的电阻器、二极管、开关等配置,用于将栅极驱动信号提供给对应的MOSFET102和MOSFET104。MOSFET电路100包括控制器106。控制器106被配置为向MOSFET102的栅极驱动电路103和MOSFET104的栅极驱动电路105提供相同的控制信号。栅极驱动电路103响应于从控制器106接收到的控制信号来操作MOSFET102,且栅极驱动电路105响应于从控制器本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路包括:具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET;与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET,所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极;以及控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号,以在所述第一MOSFET的漏‑源电压和所述第二MOSFET的漏‑源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。

【技术特征摘要】
2017.04.07 US 62/483,0401.一种MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路包括:具有栅极、源极和漏极的第一MOSFET;与所述第一MOSFET串联联接的第二MOSFET,所述第二MOSFET具有栅极、源极和漏极;以及控制器,所述控制器被配置为向所述第一MOSFET的栅极和所述第二MOSFET的栅极提供相同的控制信号,以在所述第一MOSFET的漏-源电压和所述第二MOSFET的漏-源电压基本上为零时接通或关断所述第一MOSFET和所述第二MOSFET。2.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括具有电压轨和基准电位的电源,其中,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接在所述电压轨和所述基准电位之间。3.根据权利要求2所述的MOSFET电路,其特征在于,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接以共享所述电压轨的电压,使得每个MOSFET两端的电压小于所述电压轨的电压。4.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述第一MOSFET和所述第二MOSFET联接使得所述第一MOSFET两端的电压基本上等于所述第二MOSFET两端的电压。5.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括:位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点;以及联接在所述第一MOSFET的栅极和所述节点之间的开关。6.根据权利要求5所述的MOSFET电路,其特征在于,所述开关被所述控制信号控制,以防止所述第一MOSFET在所述控制信号处于逻辑低值时接通。7.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括联接在所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的电压共享电路。8.根据权利要求7所述的MOSFET电路,其特征在于,所述电压共享电路包括第一电阻器和与所述第一电阻器串联联接的第二电阻器,所述第一电阻器和所述第二电阻器位于所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。9.根据权利要求8所述的MOSFET电路,其特征在于,位于所述第一电阻器和所述第二电阻器之间的节点与位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点联接。10.根据权利要求7所述的MOSFET电路,其特征在于,所述电压共享电路包括第一电容器和与所述第一电容器串联联接的第二电容器,所述第一电容器和所述第二电容器位于所述第一MOSFET的漏极和所述第二MOSFET的源极之间。11.根据权利要求10所述的MOSFET电路,其特征在于,位于所述第一电容器和所述第二电容器之间的节点与位于所述第一MOSFET和所述第二MOSFET之间的节点联接。12.根据权利要求1所述的MOSFET电路,其特征在于,所述MOSFET电路还包括具有阴极和阳极的二极管,所述阴极与所述第一MOSFET联接,所述阳极与所述控制器联接。13.根据权利要求1至12中任一项所述...

【专利技术属性】
技术研发人员:谢永涛小埃内斯托·Z·卡古伊奥
申请(专利权)人:雅达电子国际有限公司
类型:新型
国别省市:中国香港,81

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