铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池电沉积装置制造方法及图纸

本实用新型专利技术涉及铜铟镓硒（CIGS）薄膜太阳能电池电沉积设备，包括控制器、移动装置、机体、电镀槽、喷水清洗槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽、高压气瓶。在CIGS薄膜太阳能电池的制备过程中，为了提高原材料的利用率，改善大面积生产均匀性，提升产品质量和降低生产成本等问题，本实用新型专利技术通过新型的铜铟镓沉积设备，可以很好的将Cu、In、Ga沉积在基片(待沉积件)上，并可以提高沉积速度，改善大面积生产均匀性以及降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池电沉积装置
本技术涉及太阳能电池
，尤其是涉及铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池点沉积装置。
技术介绍
CIGS太阳能电池由Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)四种元素构成，由于其效率高、无衰退、抗辐射、寿命长、成本低廉等特点，是备受人们关注的一种新型光伏电池产品，经过近30年的研究和发展，其光电转换率为所有已知薄膜太阳能电池中最高的。而且其光谱响应范围宽，在阴雨天条件下输出功率高于其他任何种类太阳电池。在CIGS的制备过程中，虽然共蒸法和溅射后硒化法具有较高的实验室光电转换效率，可视为理想的产业化路线，目前国际上产业化生产也多采用此方法，但其原材料使用率低，大面积生产均匀性不好，不利于降低生产成本和提升产品质量。本技术CIGS薄膜太阳能电池电沉积装置具有沉积速度快、材料利用率和成膜效率高、装置简单、Cu-In-Ga预置层的组成容易控制、重现性和大面积均匀性好、溶液维护简单等特点。
技术实现思路
在CIGS薄膜太阳能电池的制备过程中，为了提高原材料的利用率，改善大面积生产均匀性，提升产品质量和降低生产成本等问题。本技术通过新型的铜铟镓沉积装置，可以很好的将Cu、In、Ga沉积在基片(待沉积件)上，并可以提高沉积速度，改善大面积生产均匀性以及降低生产成本。实现本技术的技术方案如下：铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池电沉积装置，其特征在于，包括控制器、移动装置、机体、电镀槽、喷水清洗槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽、高压气瓶；所述控制器，用来控制移动装置和高压气瓶的工作；所述移动装置，包括滑动台、升降架、产品架；所述机体，用于放置电镀槽、喷水槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽，而且布置有移动装置滑动台移动的滑轨；所述电镀槽，布置在喷水清洗槽前面，里面盛有电镀液，其上布置Cu电极、In电极和Ga电极；所述喷水清洗槽前面，盛有水溶液，布置在浸泡清洗槽前面，用以清洗镀层产品件；所述浸泡清洗槽，盛有水溶液，布置在第二道电镀槽前面；所述高压N2吹干槽，布置在第三道浸泡清洗槽，用以吹干沉积基片，防止其氧化，并为硒化做准备；所述高压气瓶，内部装有N2，罐壁装有气管，气管上布置哟若干有喷气头。所述滑动台，安装在滑轨上并可沿滑轨滑动；所述升降架，安装在滑动台上，可以沿滑动台上下升降；所述产品架，安装在升降机上，基片可以放置在上面，经控制器通电后使基片带有负电荷。附图说明图1为本技术的总体结构示意图。控制器1、产品架2、升降架3、滑动台4、滑轨5、Cu电极6、Cu电极槽7、喷水清洗槽(a)8、浸泡清洗槽(a)9、In电极10、In电极槽11、喷水清洗槽(b)12、浸泡清洗槽(b)13、Ga电极14、Ga电极槽15、喷水清洗槽(c)16、浸泡清洗槽(c)17、高压N2吹干槽18、喷气头19、气管20、高压气瓶21、机体22具体实施方式现结合附图详细说明本技术结构的实施方式：一种无人智能仓储系统，其特征在于，包括控制器、移动装置、机体、电镀槽、喷水清洗槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽、高压气瓶；所述移动装置，包括滑动台、升降架、产品架；当本技术的电沉积装置工作时，首先把基片放置到产品架2上，此时基片将会带有负电荷，通过控制器1的控制操作，滑动台4沿滑轨5移动，当产品架2对准Cu电极槽7时，滑动台4停止滑动，然后升降架3带动产品架2上的基片伸入到Cu电极槽7，此时Cu电极6上的正电荷将会转移并沉积到基片上。Cu沉积完成后，升降架3会带动产品架2上的Cu基片起来，滑动台4沿滑轨5移动，当产品架2对准喷水清洗槽(a)8时，滑动台4停止滑动，然后升降架3带动产品架2上的Cu基片伸入到喷水清洗槽(a)8中，喷水清洗Cu基片上的杂质；喷水清洗完成后，升降架3会带动产品架2上经喷水清洗完后的Cu基片起来，滑动台4沿滑轨5移动，当产品架2对准浸泡清洗槽(a)9时，滑动台4停止滑动，然后升降架3带动产品架2上经浸泡清洗完后的Cu基片又伸入到浸泡清洗槽(a)9中，完成浸泡清洗作业后，将浸泡清洗后的Cu基片通过高压气瓶21经气管20从喷气头19导出的高压N2进行风干Cu基片外表水分(采用高压N2风干的原因是防止沉积基片氧化)，然后开始沉积In工序。同理，根据以上在基片上沉积Cu所述作业过程，在Cu基片上沉积In过程完全类似，In沉积并风干完成后，最后沉积Ga(沉积Ga过程与沉积Cu和In完全类似)。In沉积完成后，升降架3会带动产品架2上经In沉积后的基片起来，滑动台4沿滑轨5移动，当产品架2对准高压N2吹干槽18时，滑动台4停止滑动，然后升降架3带动产品架2上经In沉积后的基片伸入到高压N2吹干槽18中进行风干操作，进而为下一道Se化工序做准备。至此基片整个沉积Cu、In、Ga过程完成。以上内容是结合具体的优选实施方式对本技术所作的进一步详细说明，不能认定本技术的具体实施只局限于这些说明。对于本技术所属
的普通技术人员来说，在不脱离本技术构思的前提下做出若干等同替代或明显变型，而且性能或用途相同，则应当视为属于本技术所提交的权利要求书确定的保护范围。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池电沉积装置，其特征在于，包括控制器、移动装置、机体、电镀槽、喷水清洗槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽、高压气瓶；其中，所述控制器，用来控制移动装置和高压气瓶的工作；所述移动装置，包括滑动台、升降架、产品架；所述机体，用于放置电镀槽、喷水槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽，而且布置有移动装置滑动台移动的滑轨；所述电镀槽，布置在喷水清洗槽前面，里面盛有电镀液，其上布置Cu电极、In电极和Ga电极；所述喷水清洗槽前面，盛有水溶液，布置在浸泡清洗槽前面，用以清洗镀层产品件；所述浸泡清洗槽，盛有水溶液，布置在第二道电镀槽前面；所述高压N2吹干槽，布置在第三道浸泡清洗槽，用以吹干沉积基片，防止其氧化，并为硒化做准备；所述高压气瓶，内部装有N2，罐壁装有气管，气管上布置哟若干有喷气头。

【技术特征摘要】
1.铜铟镓硒(CIGS)薄膜太阳能电池电沉积装置，其特征在于，包括控制器、移动装置、机体、电镀槽、喷水清洗槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽、高压气瓶；其中，所述控制器，用来控制移动装置和高压气瓶的工作；所述移动装置，包括滑动台、升降架、产品架；所述机体，用于放置电镀槽、喷水槽、浸泡清洗槽、高压N2吹干槽，而且布置有移动装置滑动台移动的滑轨；所述电镀槽，布置...

【专利技术属性】
技术研发人员：槐创锋，贾雪艳，樊亚宁，黄涛，黄升，
申请(专利权)人：华东交通大学，
类型：新型
国别省市：江西,36