半导体器件的切筋成型方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，所述切筋成型方法包括以下步骤：毛刺切割步骤、加强筋切割步骤、边框切割步骤与分离步骤，其能够避免切筋过程中产生的碎屑破裂四处飞溅，无需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，提高生产效率，同时，避免了毛刺对机器精密部件进行污染及破坏，而且杜绝了产品被毛刺污染的问题，降低次品率，本发明专利技术还公开了一种应用上述方法的半导体器件加工设备。

Ribbon-cutting Forming Method for Semiconductor Devices

The invention discloses a rib-cutting forming method for semiconductor devices, in which a plurality of semiconductor devices are arranged on a matrix frame in an array manner, and the semiconductor devices in adjacent rows are connected by a connecting rib. The matrix frame includes a border frame, pins connecting the border with the semiconductor device, and reinforcement bars connecting each pin. The rib-cutting forming method includes the following. Steps: Burr cutting step, reinforcement cutting step, border cutting step and separation step, which can avoid the splash of debris produced in the process of rib cutting, do not need the operator to suspend the machine to clean up a large number of debris inside, improve production efficiency, at the same time, avoid the burr pollution and damage to the precise parts of the machine, and prevent the product from being burred. The invention also discloses a semiconductor device processing equipment applying the above method.

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的切筋成型方法
本专利技术涉及一种半导体加工
，尤其涉及半导体器件的切筋成型方法。
技术介绍
目前集成电路矩阵式引线框架(即矩阵框架)一般设计在10mm～30mm以内的宽度，呈双排或单排设计，每条10～20个单元不等，在相同列中的半导体通过两侧的引脚分别连在两侧框架边框上，且同行中半导体通过连接筋连接，这种框架采用传统塑封模具。但由于TO252矩阵框架的特殊设计，在对引线框架进行切筋后的连接筋部分不可避免地会残留毛刺，传统的TO252切筋工艺没有专门的去毛刺步骤，因此，多余的毛刺将会在切筋过程中破裂飞溅，不仅会损坏机器，更会导致大量的产品缺陷。以下列举出出一些与本专利技术相关的作为
技术介绍
的专利文献：专利文献CN207256415公开了一种矩阵式框架模具及包括该模具的自动切筋成型机，模具包括第一模板、滑柱和第二模板，所述第一模板和所述第二模板在所述滑柱上实现相对滑动，所述第一模板上和所述第二模板上分别设有对称L型钩件，外部冲头立柱与所述第一模板上的对称L型钩件或与所述第二模板上的对称L型钩件连接，所述第一模板上设有呈矩阵排列的大矩形注料腔，所述第二模板上设有呈矩阵排列的小矩形注料腔，所述大矩形注料腔和所述小矩形注料腔的位置一一对应。本专利技术的有益效果在于：结构设计合理，与外部冲头立柱的连接稳固。专利文献CN206595231公开了一种半导体切筋上刀具，属于半导体封装
它包括刀具本体和与刀具本体一体成型的复数个刀刃，所述刀刃底部位置为刃口，各刃口中间位置设置有一凹槽，所述凹槽内部为槽口。本专利技术本专利技术一种半导体切筋上刀具，通过冲切刀片刀口的外形改变，将冲切过程中塑封体的废胶受力进行分解，降低受力峰值，减少了塑封体的受力，有效避免了高风险的隐裂问题。专利文献CN204596769公开了一种切筋治具，包括一切刀本体，所述切刀本体的两侧向下延伸形成两侧壁，两侧壁之间形成用于避免芯片引脚受到冲击而变形的避让腔；在切刀本体的前端下部设有刀口；刀口包括一排间隔排列的凸起冲刀。优选地，在切刀本体的两侧壁外侧面上都设有卡槽。其具有1)能够更好的分离SDIP封装芯片的引脚，使得废料易去除，降低了芯片成品不良率。2)该切筋治具结构简单，容易制作，成本较低。专利文献CN104325509公开了一种组合式切筋凸模模具，包括切筋凸模组单元和凸模固定板，所述切筋凸膜组单元主要由竖直设置的切中筋凸模、切底筋凸模、凸模压块以及矩形的凸模垫块组成，所述切中筋凸模与切底筋凸模的侧边依次连接形成一个矩形腔室，所述凸模压块位于腔室内，且上端与凸模垫块底面固定连接，所述凸模垫块上设有环形的凸台，所述切中筋凸模与切底筋凸模上开设有与凸台相匹配的固定槽，所述凸台位于固定槽内。与现有技术相比较，本专利技术降低了集成电路产品的生产成本、提高生产效率，对集成电路产品切筋工序的切筋凸模结构进行了改进，其结构简单，加工维修方便，提高生产效率一倍，减少了模具投资，具有推广实施应用的必要性。专利文献CN102315146公开了一种切筋装管结构，包括下模板，下模板上设有凹模座，凹模座上设有切筋凹模和承料块，其特征在于，所述的承料块的顶面包括一个平坦部分以及设于平坦部分后侧的倾斜部分，位于承料块后侧的凹模座的顶面也包括一个倾斜部分，凹模座的后侧设有斜滑块，斜滑块上设有挡块，斜滑块的一侧设有料管固定块，料管固定块上设有料管。本专利技术长时间使用后不会有变形，对操作人员在装管的时候手动滑动产品不会有危险，增加了模具使用寿命，提高了产品质量，达到安全生产的目的。专利文献CN107275224公开了一种二极管切筋整形机构，包括切筋整形模具、切筋驱动电机和切筋传动机构，所述切筋整形模具包括上整形刀、上切筋刀、上压料杆、下切筋刀座、下切筋刀、下浮动块、下浮动块弹簧，上切筋刀位于对应侧的下切筋刀的外侧，从而将N个二极管单元多余的引脚切断，剩余引脚由上整形刀和上切筋刀进行第一个折弯点的折弯，之后上整形刀和上切筋刀一起向上运动，上压料杆由配备的驱动部分带动向下运动并结合下浮动块对N个二极管单元的剩余引脚进行第二个折弯点的折弯，最后上压料杆向上运动，下浮动块由下浮动块弹簧顶出并结合上压料杆、上整形刀共同对N个二极管单元进行挤压整形。节约了人力成本，减少了能耗，大大提高了生产效率。针对于如上需求，申请人基于如何提高半导体切筋成型时的生产效率、降低次品率的技术问题，进行技术研发。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术的目的之一在于提供一种半导体器件的切筋成型方法，其能够避免切筋过程中产生的碎屑破裂四处飞溅，无需要操作员暂停机器对内部大量的碎屑进行清理，提高生产效率，同时，避免了毛刺对机器精密部件进行污染及破坏，而且杜绝了产品被毛刺污染的问题，降低次品率。本专利技术的目的之二在于提供一种应用上述方法的半导体器件加工设备。本专利技术的目的之一采用如下技术方案实现：一种半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于所述切筋成型方法包括以下步骤：毛刺切割步骤：预切筋刀在预切筋刀驱动装置的驱动下，移动至连接筋位置，预切筋刀与连接筋接触，以将部分连接筋切除，切割后连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的20％-60％，经预切筋刀切割后半导体器件由输送装置输送到加强筋切割步骤；加强筋切割步骤：加强筋切割刀在加强筋切割刀驱动装置的驱动下，移动至加强筋位置处，加强筋切割刀与加强筋接触，以将加强筋切除，加强筋切除后，通过加强筋连接的相邻列半导体器件分离，经加强筋切割刀切割后的半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；边框切割步骤：引脚切割刀在引脚切割刀驱动装置的驱动下，对引脚与边框的连接部分进行切割，切割后，引脚与边框分离，剩余引脚与半导体器件连接，切割后半导体器件由输送装置输送到分离步骤；分离步骤：分离刀在分离刀驱动装置的驱动下，对剩余连接筋进行切割，以将剩余连接筋切断，连接筋切断后相邻行半导体器件分离，半导体器件分离。进一步地，所述预切筋刀包括预切筋刀头与预切筋刀体，所述预切筋刀头设置在所述预切筋刀体侧面，在毛刺切割步骤时，所述预切筋刀头适于与连接筋抵接，以对连接筋进行切割，所述预切筋刀头的横截面呈梯形设置。进一步地，所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的20％-60％，以适于切除连接筋宽度的20-60％。进一步地，所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的50％，以适于切除连接筋宽度的40％。进一步地，所述分离刀包括分离刀与分离刀体，所述分离刀体的侧边与所述分离刀体侧边形成第一倾斜角，所述预切筋刀头的侧边与所述预切筋刀体的侧边形成第二倾斜角，所述第一倾斜角的角度与所述第二倾斜角的角度大小相同。进一步地，所述毛刺切割步骤中：连接筋切割后，连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的40％。进一步地，所述引脚包括左引脚、中间引脚、右引脚以及连接所述左引脚、中间引脚、右引脚的挡胶筋，所述毛刺切割步骤之后，所述加强筋切割步骤之前还包括挡胶筋切割步骤，所述挡胶筋切割步骤：挡胶筋切割刀切除挡胶筋，挡胶筋切除后，所述左引脚、中间引脚、右引脚分离。进一步地，所述本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于所述切筋成型方法包括以下步骤：毛刺切割步骤：预切筋刀在预切筋刀驱动装置的驱动下，移动至连接筋位置，预切筋刀与连接筋接触，以将部分连接筋切除，切割后连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的20％‑60％，经预切筋刀切割后半导体器件由输送装置输送到加强筋切割步骤；加强筋切割步骤：加强筋切割刀在加强筋切割刀驱动装置的驱动下，移动至加强筋位置处，加强筋切割刀与加强筋接触，以将加强筋切除，加强筋切除后，通过加强筋连接的相邻列半导体器件分离，经加强筋切割刀切割后的半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；边框切割步骤：引脚切割刀在引脚切割刀驱动装置的驱动下，对引脚与边框的连接部分进行切割，切割后，引脚与边框分离，剩余引脚与半导体器件连接，切割后半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；边框切割步骤分离步骤分离步骤：分离刀在分离刀驱动装置的驱动下，对剩余连接筋进行切割，以将剩余连接筋切断，连接筋切断后相邻行半导体器件分离，半导体器件分离。...

【技术特征摘要】
1.半导体器件的切筋成型方法，其中，多个半导体器件按阵列的方式设置在矩阵框架上，相邻行所述半导体器件通过连接筋连接，所述矩阵框架包括边框、多个连接所述边框与半导体器件的引脚以及连接各引脚的加强筋，其特征在于所述切筋成型方法包括以下步骤：毛刺切割步骤：预切筋刀在预切筋刀驱动装置的驱动下，移动至连接筋位置，预切筋刀与连接筋接触，以将部分连接筋切除，切割后连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的20％-60％，经预切筋刀切割后半导体器件由输送装置输送到加强筋切割步骤；加强筋切割步骤：加强筋切割刀在加强筋切割刀驱动装置的驱动下，移动至加强筋位置处，加强筋切割刀与加强筋接触，以将加强筋切除，加强筋切除后，通过加强筋连接的相邻列半导体器件分离，经加强筋切割刀切割后的半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；边框切割步骤：引脚切割刀在引脚切割刀驱动装置的驱动下，对引脚与边框的连接部分进行切割，切割后，引脚与边框分离，剩余引脚与半导体器件连接，切割后半导体器件由输送装置输送到边框切割步骤；边框切割步骤分离步骤分离步骤：分离刀在分离刀驱动装置的驱动下，对剩余连接筋进行切割，以将剩余连接筋切断，连接筋切断后相邻行半导体器件分离，半导体器件分离。2.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述预切筋刀包括预切筋刀头与预切筋刀体，所述预切筋刀头设置在所述预切筋刀体侧面，在毛刺切割步骤时，所述预切筋刀头适于与连接筋抵接，以对连接筋进行切割，所述预切筋刀头的横截面呈梯形设置。3.如权利要求2所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的20％-60％，以适于切除连接筋宽度的20-60％。4.如权利要求3所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述预切筋刀头与连接筋接触部分宽度为连接筋宽度的50％，以适于切除连接筋宽度的40％。5.如权利要求2所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于：所述分离刀包括分离刀与分离刀体，所述分离刀体的侧边与所述分离刀体侧边形成第一倾斜角，所述预切筋刀头的侧边与所述预切筋刀体的侧边形成第二倾斜角，所述第一倾斜角的角度与所述第二倾斜角的角度大小相同。6.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于所述毛刺切割步骤中：连接筋切割后，连接筋剩余宽度为连接筋原宽度的40％。7.如权利要求1所述的半导体器件的切筋成型方法，其特征在于所述引脚包括左引脚、中间引脚、右引脚以及连接所述左引脚、中间引脚、右引脚的挡胶筋，所述毛刺切割步骤之后，所述加强...

【专利技术属性】
技术研发人员：谭伟忠，都俊兴，彭帝华，
申请(专利权)人：深圳赛意法微电子有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44